公开(公告)号：TWI539034B

公开(公告)日：2016-06-21

申请号：TW102107208

申请日：2013-03-01

申请人： 羅門哈斯電子材料有限公司 ,  ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC

发明人： 章貝林格 王 ,  ZHANG-BEGLINGER, WAN ,  施特彼爾斯 琳達 ,  STAPPERS, LINDA ,  佛朗沙爾 珍 ,  FRANSAER, JAN ,  圖本 麥可P ,  TOBEN, MICHAEL P.

IPC分类号： C25D15/00

CPC分类号： C25D15/00 ,  C25D3/02 ,  C25D3/12 ,  C25D3/30 ,  C25D3/38 ,  C25D3/46 ,  C25D3/48 ,  C25D3/50 ,  C25D3/54 ,  C25D5/04 ,  C25D5/20 ,  C25D21/10 ,  H01B1/02

公开(公告)号：TWI534896B

公开(公告)日：2016-05-21

申请号：TW100124808

申请日：2011-07-13

申请人： 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

发明人： 寇力克斯 亞圖 ,  KOLICS, ARTUR ,  瑞德克 佛禮茲 ,  REDEKER, FRITZ

IPC分类号： H01L21/3205 ,  C23C16/54

CPC分类号： H05K1/09 ,  C23C18/1607 ,  C23C18/1662 ,  C23C18/1834 ,  C23C18/1844 ,  C23C18/31 ,  C23C18/40 ,  C23C18/50 ,  C23C18/52 ,  C25D3/12 ,  C25D3/20 ,  C25D3/22 ,  C25D3/30 ,  C25D3/38 ,  C25D3/46 ,  C25D3/48 ,  C25D3/50 ,  C25D3/54 ,  C25D3/562 ,  C25D5/02 ,  C25D7/123 ,  C25D15/00 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI495184B

公开(公告)日：2015-08-01

申请号：TW097102205

申请日：2008-04-03

申请人： 亞妥帖德國股份有限公司 ,  ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH

发明人： 戴特 梅斯格 ,  METZGER, DIETER ,  史凡 藍普瑞區 ,  LAMPRECHT, SVEN

IPC分类号： H01M4/88

CPC分类号： C25D5/56 ,  C25D3/50 ,  C25D5/10 ,  C25D5/36 ,  H01M4/0452 ,  H01M4/8621 ,  H01M4/8885

公开(公告)号：TWI424456B

公开(公告)日：2014-01-21

申请号：TW097101275

申请日：2008-01-11

申请人： 古河電氣工業股份有限公司 ,  THE FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.

发明人： 小林良聰 ,  KOBAYASHI, YOSHIAKI

IPC分类号： H01H1/023

CPC分类号： C22C5/02 ,  C10M103/04 ,  C10M107/32 ,  C10M169/044 ,  C10M2201/05 ,  C10M2215/04 ,  C10M2219/082 ,  C10N2230/06 ,  C10N2240/202 ,  C10N2250/141 ,  C22C5/04 ,  C22C5/06 ,  C22C9/00 ,  C23C22/02 ,  C23C30/00 ,  C25D3/46 ,  C25D3/48 ,  C25D3/50 ,  C25D3/567 ,  C25D5/48 ,  H01H1/023 ,  H01H1/029 ,  H01H1/60 ,  H01H11/04 ,  H01H2011/065 ,  H01R13/03 ,  Y10S439/931 ,  Y10T428/31678

公开(公告)号：TW200636834A

公开(公告)日：2006-10-16

申请号：TW095100289

申请日：2006-01-04

申请人： 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

发明人： 飛利浦M 佛瑞肯 VEREECKEN, PHILIPPE M. ,  費拉拉哈凡S. 貝斯克 BASKER, VEERARAGHAVAN S. ,  西瑞爾 卡布羅 CABRAL, CYRIL ,  伊瑪爾I. 庫波 COOPER, EMANUEL I. ,  哈里克亞 戴林恩伊 DELIGIANNI, HARIKLIA ,  馬汀M. 法蘭克 FRANK, MARTIN M. ,  拉甲歐 賈米 JAMMY, RAJARAO ,  瓦蒙西 克里許南 帕魯齊里 PARUCHURI, VAMSI KRISHNA ,  凱瑟琳L. 珊格 SAENGER, KATHERINE L. ,  蕭夏楊 SHAO, XIAOYAN

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/2885 ,  C25D3/50 ,  C25D5/02 ,  C25D5/024 ,  C25D5/54 ,  C25D7/123 ,  C25D9/04 ,  C25F3/14 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/76885 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78648

摘要： 本發明提供一種用以直接電鍍一閘極金屬或其他導電或半導電材料於一介電質(例如閘極介電質)上的方法。此方法包含選擇一基板、介電層及電解溶液或熔化物，其中基板、介電層及電解溶液或熔化物的結合，使一電化學電流可從基板流經介電層而進入電解溶液或熔化物。本發明亦提供利用穿透介電質(through–dielectric)電流供介電質之電化學調整的方法。

简体摘要： 本发明提供一种用以直接电镀一闸极金属或其他导电或半导电材料于一介电质(例如闸极介电质)上的方法。此方法包含选择一基板、介电层及电解溶液或熔化物，其中基板、介电层及电解溶液或熔化物的结合，使一电化学电流可从基板流经介电层而进入电解溶液或熔化物。本发明亦提供利用穿透介电质(through–dielectric)电流供介电质之电化学调整的方法。

公开(公告)号：TWI247055B

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：TW090129324

申请日：2001-11-27

申请人： 松田產業股份有限公司

发明人： 植木伸二

IPC分类号： C25D ,  H01L

CPC分类号： H01L23/49582 ,  C25D3/50 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2224/45099

摘要： 根據本發明可提供至少含換算為鈀量1至60克/升之可溶性鈀鹽，氨基磺酸或其鹽0·1至300克/升之鈀鍍液，其實質巨不含光澤劑。以該鍍液，可於鍍層基材表面形成針狀結品狀之鈀鍍層。藉此可於基材表面提供具優良樹脂密合性之鍍層。

简体摘要： 根据本发明可提供至少含换算为钯量1至60克/升之可溶性钯盐，氨基磺酸或其盐0·1至300克/升之钯镀液，其实质巨不含光泽剂。以该镀液，可于镀层基材表面形成针状结品状之钯镀层。借此可于基材表面提供具优良树脂密合性之镀层。

公开(公告)号：TW201415721A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：TW101139398

申请日：2012-10-25

申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 ,  JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION

发明人： 澀谷義孝 ,  SHIBUYA, YOSHITAKA ,  深町一彥 ,  FUKAMACHI, KAZUHIKO ,  兒玉篤志 ,  KODAMA, ATSUSHI

IPC分类号： H01R13/03 ,  C22C13/00

CPC分类号： C22C5/06 ,  B32B15/01 ,  C22C5/02 ,  C22C5/08 ,  C22C9/00 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  C22C19/03 ,  C22C28/00 ,  C23C28/021 ,  C25D3/04 ,  C25D3/18 ,  C25D3/20 ,  C25D3/30 ,  C25D3/38 ,  C25D3/46 ,  C25D3/48 ,  C25D3/50 ,  C25D3/562 ,  C25D3/60 ,  C25D3/64 ,  C25D5/10 ,  C25D5/12 ,  C25D5/505 ,  C25D7/00

摘要： 本發明提供一種具有低插拔性、低晶鬚(whisker)性及高耐久性之電子零件用金屬材料及其製造方法。本發明之電子零件用金屬材料10具備基材11、A層、及B層；該A層14構成基材11之最表層，且由Sn、In或該等之合金形成；B層13設置於基材11與A層14之間而構成中層，且由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir或該等之合金形成；且最表層(A層)14之厚度為0.002~0.2 μm，中層(B層)13之厚度厚於0.3 μm。

简体摘要： 本发明提供一种具有低插拔性、低晶须(whisker)性及高耐久性之电子零件用金属材料及其制造方法。本发明之电子零件用金属材料10具备基材11、A层、及B层；该A层14构成基材11之最表层，且由Sn、In或该等之合金形成；B层13设置于基材11与A层14之间而构成中层，且由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir或该等之合金形成；且最表层(A层)14之厚度为0.002~0.2 μm，中层(B层)13之厚度厚于0.3 μm。

公开(公告)号：TW201334326A

公开(公告)日：2013-08-16

申请号：TW101141492

申请日：2012-11-07

申请人： 古河電氣工業股份有限公司 ,  FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.

发明人： 鈴木智 ,  SUZUKI, SATOSHI ,  小林良聰 ,  KOBAYASHI, YOSHIAKI

IPC分类号： H01R39/20 ,  H02K13/00 ,  H01R43/12 ,  C25D5/10

CPC分类号： C22C5/06 ,  B32B15/018 ,  C22C5/02 ,  C22C5/08 ,  C25D3/12 ,  C25D3/46 ,  C25D3/48 ,  C25D3/50 ,  C25D3/567 ,  C25D3/62 ,  C25D3/64 ,  C25D5/10 ,  C25D5/12 ,  C25D7/00 ,  H01R39/20

摘要： 本發明之整流器材料係於導電性基體之整面或一部分被覆銀或銀合金，進而於銀或銀合金之表面被覆金或金合金而成之材料，其特徵在於：於導電性基體被覆銀或銀合金後實施減面加工，其後被覆條紋狀之金或金合金。

简体摘要： 本发明之整流器材料系于导电性基体之整面或一部分被覆银或银合金，进而于银或银合金之表面被覆金或金合金而成之材料，其特征在于：于导电性基体被覆银或银合金后实施减面加工，其后被覆条纹状之金或金合金。

公开(公告)号：TWI404835B

公开(公告)日：2013-08-11

申请号：TW098108444

申请日：2009-03-16

申请人： 松田產業股份有限公司 ,  MATSUDA SANGYO CO., LTD.

发明人： 高柳守 ,  TAKAYANAGI, MAMORU ,  小田和弘 ,  ODA, KAZUHIRO ,  道野貴由 ,  MICHINO, TAKAYOSHI ,  鈴木岳彥 ,  SUZUKI, TAKEHIKO

IPC分类号： C25D5/12 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L23/4924 ,  C25D3/48 ,  C25D3/50 ,  C25D3/562 ,  C25D5/12 ,  C25D7/00 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H05K3/244 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

公开(公告)号：TW201209922A

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：TW100124808

申请日：2011-07-13

申请人： 蘭姆研究公司

发明人： 寇力克斯 亞圖 ,  瑞德克 佛禮茲

IPC分类号： H01L ,  C23C

CPC分类号： H05K1/09 ,  C23C18/1607 ,  C23C18/1662 ,  C23C18/1834 ,  C23C18/1844 ,  C23C18/31 ,  C23C18/40 ,  C23C18/50 ,  C23C18/52 ,  C25D3/12 ,  C25D3/20 ,  C25D3/22 ,  C25D3/30 ,  C25D3/38 ,  C25D3/46 ,  C25D3/48 ,  C25D3/50 ,  C25D3/54 ,  C25D3/562 ,  C25D5/02 ,  C25D7/123 ,  C25D15/00 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明之一實施樣態為一種基板處理方法。在一實施例中,該方法包含藉由提供包含金屬微粒以及一無電沉積溶液的一混合物並且無電沉積一金屬基質並共沉積(co-depositing)該金屬微粒,而在基板上或內形成一導電體。在另一實施例中,該方法包含藉由提供包含金屬微粒以及一電化學電鍍溶液的一混合物並且電化學電鍍一金屬基質並共沉積該金屬微粒,而在基板上或內形成一導電體。本發明之另一實施樣態為一種用於在基板上或內形成導電體的混合物。本發明之另一實施樣態為一種電子裝置。

简体摘要： 本发明之一实施样态为一种基板处理方法。在一实施例中,该方法包含借由提供包含金属微粒以及一无电沉积溶液的一混合物并且无电沉积一金属基质并共沉积(co-depositing)该金属微粒,而在基板上或内形成一导电体。在另一实施例中,该方法包含借由提供包含金属微粒以及一电化学电镀溶液的一混合物并且电化学电镀一金属基质并共沉积该金属微粒,而在基板上或内形成一导电体。本发明之另一实施样态为一种用于在基板上或内形成导电体的混合物。本发明之另一实施样态为一种电子设备。