公开(公告)号：TWI496242B

公开(公告)日：2015-08-11

申请号：TW099131567

申请日：2010-09-17

申请人： 萬國商業機器公司 ,  INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

发明人： 林慶煌 ,  LIN, QINGHUANG ,  紐梅耶 戴博艾A ,  NEUMAYER, DEBORAH A.

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L21/76835 ,  C08G77/04 ,  G03F7/0757 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76832 ,  H01L2221/1031

公开(公告)号：TWI337299B

公开(公告)日：2011-02-11

申请号：TW093127953

申请日：2004-09-16

申请人： AZ電子材料股份有限公司

发明人： 田代裕治 ,  青木宏幸 ,  石川智規

IPC分类号： G03F

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C08G77/52 ,  C09D183/14 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835

摘要： 本發明提供一種用以形成可使乾蝕刻選擇比與低介電常數並存之阻蝕刻層之組成物，及使用其之半導體裝置之製造方法。
該阻蝕刻層形成用組成物係由含有含矽聚合物所構成者，且供含在組成物之含矽聚合物係含有二矽烷苯結構，該半導體裝置之製造方法係使用其以形成阻蝕刻層者。

简体摘要： 本发明提供一种用以形成可使干蚀刻选择比与低介电常数并存之阻蚀刻层之组成物，及使用其之半导体设备之制造方法。 该阻蚀刻层形成用组成物系由含有含硅聚合物所构成者，且供含在组成物之含硅聚合物系含有二硅烷苯结构，该半导体设备之制造方法系使用其以形成阻蚀刻层者。

公开(公告)号：TWI326701B

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：TW094115013

申请日：2005-05-10

申请人： JSR股份有限公司

发明人： 秋山將宏 ,  中川恭志 ,  黑澤孝彥 ,  鹽田淳

IPC分类号： C09D ,  B05D ,  C08G

CPC分类号： C08L83/14 ,  C08G77/50 ,  C08G77/60 ,  C09D183/14 ,  H01B3/30 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/3121 ,  Y10T428/31663

摘要： 本發明之絕緣膜形成用組成物，係含有：在(B)成分存在下，將(A)成分施行水解縮合而所獲得的水解縮合物；及有機溶劑；其中，該(B)成分係主鏈為由－(Si－CH2)x－所示構造，且具有下述一般式(4)所示構造、下述一般式(5)所示構造、下述一般式(6)所示構造及下述一般式(7)所示構造的聚碳矽烷；該(A)成分係從下述一般式(1)~(3)所示化合物組群中至少選擇1種之矽烷化合物。
RaSi(OR1)4－a………(1) Si(OR2)4………(2) R3b(R4O)3－bSi－(R7)d－Si(OR5)3－cR6c………(3)
(式中，R8係指選擇自氫原子、鹵原子、羥基、烷氧基、醯氧基所構成組群中的基。)

(式中，R9及R10係指相同或互異，且選擇自氫原子、鹵原子、羥基、烷氧基、醯氧基所構成組群中的基。)

(式中、R11~R13係指相同或互異，且選擇自氫原子、鹵原子、羥基、烷氧基、醯氧基所構成組群中的基。)

简体摘要： 本发明之绝缘膜形成用组成物，系含有：在(B)成分存在下，将(A)成分施行水解缩合而所获得的水解缩合物；及有机溶剂；其中，该(B)成分系主链为由－(Si－CH2)x－所示构造，且具有下述一般式(4)所示构造、下述一般式(5)所示构造、下述一般式(6)所示构造及下述一般式(7)所示构造的聚碳硅烷；该(A)成分系从下述一般式(1)~(3)所示化合物组群中至少选择1种之硅烷化合物。 RaSi(OR1)4－a………(1) Si(OR2)4………(2) R3b(R4O)3－bSi－(R7)d－Si(OR5)3－cR6c………(3) (式中，R8系指选择自氢原子、卤原子、羟基、烷氧基、酰氧基所构成组群中的基。) (式中，R9及R10系指相同或互异，且选择自氢原子、卤原子、羟基、烷氧基、酰氧基所构成组群中的基。) (式中、R11~R13系指相同或互异，且选择自氢原子、卤原子、羟基、烷氧基、酰氧基所构成组群中的基。)

公开(公告)号：TW200929436A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：TW097131212

申请日：2008-08-15

申请人： 國立大學法人 東北大學 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY ,  東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED ,  宇部興產股份有限公司 UBE INDUSTRIES, LTD. ,  宇部日東化成股份有限公司 UBE-NITTO KASEI CO., LTD.

发明人： 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO ,  松岡孝明 MATSUOKA, TAKAAKI ,  井之口敦智 INOKUCHI, ATSUTOSHI ,  綿貫耕平 WATANUKI, KOHEI ,  小池匡 KOIKE, TADASHI ,  足立龍彥 ADACHI, TATSUHIKO

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/02255 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

摘要： 於包含淺溝渠元件分離區、多層構造之層間絕緣膜的半導體裝置之製程中,必需反複採用CMP;但由於CMP本身成本高,因此反複採用CMP係製造成本提高之一因。作為使用於淺溝渠(ST)元件分離區之絕緣膜及/或最下層之層間絕緣膜,使用能以旋轉塗布法塗布之絕緣性塗布膜。該絕緣性塗布膜具有以((CH3)nSiO2-n/2)x(SiO2)1-x(其中,n=1-3,0≦x≦1.0)表示之組成,並藉由選擇熱處理條件,而形成比介電常數k不同的膜。又,藉由將絕緣性塗布膜完全重組為SiO2膜,能形成STI元件分離區;且藉由使該絕緣性塗布膜成為未完全重組之狀態,能形成比介電常數k為小的層間絕緣膜。

简体摘要： 于包含浅沟渠组件分离区、多层构造之层间绝缘膜的半导体设备之制程中,必需反复采用CMP;但由于CMP本身成本高,因此反复采用CMP系制造成本提高之一因。作为使用于浅沟渠(ST)组件分离区之绝缘膜及/或最下层之层间绝缘膜,使用能以旋转涂布法涂布之绝缘性涂布膜。该绝缘性涂布膜具有以((CH3)nSiO2-n/2)x(SiO2)1-x(其中,n=1-3,0≦x≦1.0)表示之组成,并借由选择热处理条件,而形成比介电常数k不同的膜。又,借由将绝缘性涂布膜完全重组为SiO2膜,能形成STI组件分离区;且借由使该绝缘性涂布膜成为未完全重组之状态,能形成比介电常数k为小的层间绝缘膜。

公开(公告)号：TW200919088A

公开(公告)日：2009-05-01

申请号：TW097128074

申请日：2008-07-24

申请人： 住友電木股份有限公司 SUMITOMO BAKELITE COMPANY LIMITED

发明人： 番場敏夫 BANBA, TOSHIO ,  折原秀樹 ORIHARA, HIDEKI

IPC分类号： G03F ,  H01L

CPC分类号： H01L21/02282 ,  G03F7/0233 ,  G03F7/16 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3127

摘要： 本發明為關於一種噴塗用正型光敏性樹脂組成物,其特徵為將該組成物噴塗於半導體元件搭載基板、陶瓷基板、鋁基板等基板上而形成塗佈膜時,前述噴塗用正型光敏性樹脂組成物係含有(A)鹼可溶性樹脂、(B)受光而產生酸之化合物、(C)溶劑,且其黏度為2至200 cP者。

简体摘要： 本发明为关于一种喷涂用正型光敏性树脂组成物,其特征为将该组成物喷涂于半导体组件搭载基板、陶瓷基板、铝基板等基板上而形成涂布膜时,前述喷涂用正型光敏性树脂组成物系含有(A)碱可溶性树脂、(B)受光而产生酸之化合物、(C)溶剂,且其黏度为2至200 cP者。

公开(公告)号：TWI302718B

公开(公告)日：2008-11-01

申请号：TW094132081

申请日：2005-09-16

申请人： 分子壓模公司 MOLECULAR IMPRINTS, INC.

发明人： 米勒 麥可N. MILLER, MICHAEL N. ,  史戴西 尼古拉A. STACEY, NICHOLAS A.

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/3081 ,  B29C43/003 ,  B29C2043/025 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3121

摘要： 本發明係有關一種對基材製作圖案之方法,包括於該基材上形成多層膜,其界定蝕刻速率界面,該蝕刻速率界面具有多個第一部其具有相關的第一蝕刻速率。多層膜包括具有相關第二蝕刻速率的第二部。相鄰的第一部係由第二部所隔開。圖案轉印至基材上,部分係由接面所界定。第一蝕刻速率與第二蝕刻速率間之差異經選擇來減少於該圖案所形成之凹陷結構的彎曲。

简体摘要： 本发明系有关一种对基材制作图案之方法,包括于该基材上形成多层膜,其界定蚀刻速率界面,该蚀刻速率界面具有多个第一部其具有相关的第一蚀刻速率。多层膜包括具有相关第二蚀刻速率的第二部。相邻的第一部系由第二部所隔开。图案转印至基材上,部分系由接面所界定。第一蚀刻速率与第二蚀刻速率间之差异经选择来减少于该图案所形成之凹陷结构的弯曲。

公开(公告)号：TWI294147B

公开(公告)日：2008-03-01

申请号：TW093117177

申请日：2004-06-15

申请人： 半導體工程研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR PROCESS LABORATORY CO., LTD.

发明人： 鹽谷喜美 YOSHIMI SHIOYA ,  前田和夫 KAZUO MAEDA

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/02216 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3122

摘要： 本發明係關於一種低介電常數絕緣層之沉積方法，其步驟包括形成第一沉積氣體，該沉積氣體包括至少一矽源其係擇自由具矽氧鍵之含矽有機化合物、具有甲基之含矽有機化合物以及由具有氧烷基(OR，O代表氧而R是甲基或乙基)之含氧化合物形成之氧化劑所組成之族群，以及提供一電能至該第一沉積氣體以形成電漿並產生反應以於一基底上形成一低介電常數絕緣層。

简体摘要： 本发明系关于一种低介电常数绝缘层之沉积方法，其步骤包括形成第一沉积气体，该沉积气体包括至少一硅源其系择自由具硅氧键之含硅有机化合物、具有甲基之含硅有机化合物以及由具有氧烷基(OR，O代表氧而R是甲基或乙基)之含氧化合物形成之氧化剂所组成之族群，以及提供一电能至该第一沉积气体以形成等离子并产生反应以于一基底上形成一低介电常数绝缘层。

公开(公告)号：TWI293970B

公开(公告)日：2008-03-01

申请号：TW092133898

申请日：2003-12-02

申请人： JSR股份有限公司 JSR CORPORATION

发明人： 吉岡睦彥 YOSHIOKA, MUTSUHIKO ,  林英治 HAYASHI, EIJI ,  住谷孝治 SUMIYA, KOUJI ,  鹽田淳 SHIOTA, ATSUSHI

IPC分类号： C08K

CPC分类号： C09D183/16 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3121

摘要： 本發明揭示一種含有機矽聚合物及有機聚合物例如聚芳撐、聚芳撐醚、聚醯亞胺及含氟樹脂之絕緣膜，其中有機矽聚合物之相對介電常數是4或更低且對於二氧化矽、含氟的二氧化矽、有機矽酸鹽玻璃、含碳的二氧化矽、甲基矽倍半氧烷、氫矽倍半氧烷、旋轉塗佈的玻璃(spin-on- glass)或聚有機矽氧烷的乾式蝕刻選擇率是1/3或更低。該絕緣膜在半導體內層介電膜之乾式蝕刻製程中可作為蝕刻阻滯層或硬屏蔽使用且可在最小破壞下製造具有極佳精密度之半導體。

简体摘要： 本发明揭示一种含有机硅聚合物及有机聚合物例如聚芳撑、聚芳撑醚、聚酰亚胺及含氟树脂之绝缘膜，其中有机硅聚合物之相对介电常数是4或更低且对于二氧化硅、含氟的二氧化硅、有机硅酸盐玻璃、含碳的二氧化硅、甲基硅倍半氧烷、氢硅倍半氧烷、旋转涂布的玻璃(spin-on- glass)或聚有机硅氧烷的干式蚀刻选择率是1/3或更低。该绝缘膜在半导体内层介电膜之干式蚀刻制程中可作为蚀刻阻滞层或硬屏蔽使用且可在最小破坏下制造具有极佳精密度之半导体。

公开(公告)号：TW200745268A

公开(公告)日：2007-12-16

申请号：TW096110990

申请日：2007-03-29

申请人： JSR股份有限公司 JSR CORPORATION

发明人： 中川恭志 HISASHI NAKAGAWA ,  野邊洋平 YOUHEI NOBE ,  服部清太郎 SEITAROU HATTORI ,  秋山將宏 MASAHIRO AKIYAMA

IPC分类号： C08L ,  C08J

CPC分类号： C09D183/14 ,  C08G77/50 ,  C08L83/14 ,  H01L21/3121

摘要： 本發明提供聚合物膜形成用組成物,其含有:藉由使(A)選自下述通式(1)及(2)所表示之化合物之族群之至少1種含有水解性基的矽烷化合物、與(B)選自下述通式(3)所表示之化合物之族群之至少1種環狀矽烷單體進行共縮合而獲得之聚合物;以及有機溶劑。
096110990-p01.bmp
(式中,R^4~R^7為相同或不同,表示氫原子、鹵原子、羥基、烷氧基、醯氧基、磺酸基、甲烷磺酸基、三氟甲烷磺酸基或一價烴基,m表示1~6之整數,n表示1~10之整數。)
096110990-p02.bmp

简体摘要： 本发明提供聚合物膜形成用组成物,其含有:借由使(A)选自下述通式(1)及(2)所表示之化合物之族群之至少1种含有水解性基的硅烷化合物、与(B)选自下述通式(3)所表示之化合物之族群之至少1种环状硅烷单体进行共缩合而获得之聚合物;以及有机溶剂。 096110990-p01.bmp (式中,R^4~R^7为相同或不同,表示氢原子、卤原子、羟基、烷氧基、酰氧基、磺酸基、甲烷磺酸基、三氟甲烷磺酸基或一价烃基,m表示1~6之整数,n表示1~10之整数。) 096110990-p02.bmp

公开(公告)号：TWI282124B

公开(公告)日：2007-06-01

申请号：TW092133418

申请日：2003-11-27

申请人： 東曹股份有限公司 TOSOH CORPORATION

发明人： 原大治 HARA, DAIJI ,  吉田圭介 YOSHIDA, KEISUKE

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/02126 ,  B05D1/62 ,  C07F7/184 ,  C07F7/1876 ,  C07F7/21 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31633 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明提供一種適合於半導體裝置用之層間絕緣材料，係以化學氣相生長法形成之絕緣膜用材料，及此等材料所形成之絕緣膜，以及使用絕緣膜之半導體裝置。含有以第二級烴基及烯基、或烯基直接結合於矽原子之有機矽烷化合物、第二級烴基及/或烯基直接結合於矽原子之有機矽氧烷化合物的任一種所成，以一般式(1)~(4)所示之有機矽化合物，絕緣膜為藉由該有機矽化合物之化學氣相生長法，形成絕緣膜用材料。

简体摘要： 本发明提供一种适合于半导体设备用之层间绝缘材料，系以化学气相生长法形成之绝缘膜用材料，及此等材料所形成之绝缘膜，以及使用绝缘膜之半导体设备。含有以第二级烃基及烯基、或烯基直接结合于硅原子之有机硅烷化合物、第二级烃基及/或烯基直接结合于硅原子之有机硅氧烷化合物的任一种所成，以一般式(1)~(4)所示之有机硅化合物，绝缘膜为借由该有机硅化合物之化学气相生长法，形成绝缘膜用材料。