公开(公告)号：TW201709437A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：TW105121051

申请日：2016-07-01

申请人： 台達電子企業管理(上海)有限公司 ,  DELTA ELECTRONICS (SHANGHAI) CO.,LTD.

发明人： 王濤 ,  WANG, TAO ,  趙振清 ,  ZHAO, ZHEN-QING ,  魯凱 ,  LU, KAI ,  李鋥 ,  LI, ZENG ,  曾劍鴻 ,  ZENG, JAIN-HONG

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/54 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/3178 ,  H01L24/03 ,  H01L24/08 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/0805 ,  H01L2224/085 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37139 ,  H01L2224/37144 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05599

摘要： 本發明揭露一種多功率晶片的功率封裝模組，包括功率晶片單元，包括至少兩個並行設置的功率晶片和連接兩個功率晶片的連接體；基板，承載功率晶片單元，基板包括金屬層，金屬層與功率晶片單元電性連接；密封層，將安置於基板上的功率晶片單元與周邊環境隔離，實現功率晶片單元的密封；連接體和密封層的材料各為不同的絕緣材料，兩個並行設置的功率晶片之間的間隔小於等於預設寬度，連接體填充於間隔之中連接且絕緣兩個並行設置的功率晶片。本案利於降低晶片的最大結溫，提高功率封裝模組的可靠性。

简体摘要： 本发明揭露一种多功率芯片的功率封装模块，包括功率芯片单元，包括至少两个并行设置的功率芯片和连接两个功率芯片的连接体；基板，承载功率芯片单元，基板包括金属层，金属层与功率芯片单元电性连接；密封层，将安置于基板上的功率芯片单元与周边环境隔离，实现功率芯片单元的密封；连接体和密封层的材料各为不同的绝缘材料，两个并行设置的功率芯片之间的间隔小于等于默认宽度，连接体填充于间隔之中连接且绝缘两个并行设置的功率芯片。本案利于降低芯片的最大结温，提高功率封装模块的可靠性。

公开(公告)号：TWI590395B

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105121051

申请日：2016-07-01

申请人： 台達電子企業管理(上海)有限公司 ,  DELTA ELECTRONICS (SHANGHAI) CO.,LTD.

发明人： 王濤 ,  WANG, TAO ,  趙振清 ,  ZHAO, ZHEN-QING ,  魯凱 ,  LU, KAI ,  李鋥 ,  LI, ZENG ,  曾劍鴻 ,  ZENG, JAIN-HONG

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/54 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/3178 ,  H01L24/03 ,  H01L24/08 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/0805 ,  H01L2224/085 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37139 ,  H01L2224/37144 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05599

公开(公告)号：TWI574364B

公开(公告)日：2017-03-11

申请号：TW103145293

申请日：2014-12-24

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 李明機 ,  LII, MIRNGJI ,  梁裕民 ,  LIANG, YUMIN ,  陳玉芬 ,  CHEN, YUFENG

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/03 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0805 ,  H01L2224/08112 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16059 ,  H01L2224/16104 ,  H01L2224/16151 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81345 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：TW201532231A

公开(公告)日：2015-08-16

申请号：TW103145293

申请日：2014-12-24

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 李明機 ,  LII, MIRNGJI ,  梁裕民 ,  LIANG, YUMIN ,  陳玉芬 ,  CHEN, YUFENG

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/03 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0805 ,  H01L2224/08112 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16059 ,  H01L2224/16104 ,  H01L2224/16151 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81345 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： 一實施例封裝體包括，一導電柱，安裝在一積體 電路晶片上，此導電柱具有一階梯形狀，一金屬導線，部分嵌入一基板中，此金屬導線具有接合墊部從基板突出，以及一焊接部，電耦合導電柱至金屬導線的接合墊部。

简体摘要： 一实施例封装体包括，一导电柱，安装在一积体 电路芯片上，此导电柱具有一阶梯形状，一金属导线，部分嵌入一基板中，此金属导线具有接合垫部从基板突出，以及一焊接部，电耦合导电柱至金属导线的接合垫部。

公开(公告)号：TWI471951B

公开(公告)日：2015-02-01

申请号：TW101108739

申请日：2012-03-14

申请人： 梭意泰科公司 ,  SOITEC

发明人： 山達卡 馬瑞姆 ,  SADAKA, MARIAM ,  朗度 伊歐納特 ,  RADU, IONUT ,  蘭德魯 戴迪爾 ,  LANDRU, DIDIER

IPC分类号： H01L21/50

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L2224/0312 ,  H01L2224/03466 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/03901 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0805 ,  H01L2224/0807 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08501 ,  H01L2224/0903 ,  H01L2224/80048 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80099 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/8583 ,  H01L2224/85897 ,  H01L2224/85898 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

公开(公告)号：TW201241937A

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：TW101108739

申请日：2012-03-14

申请人： 梭意泰科公司

发明人： 山達卡 馬瑞姆 ,  朗度 伊歐納特 ,  蘭德魯 戴迪爾

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L2224/0312 ,  H01L2224/03466 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/03901 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0805 ,  H01L2224/0807 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08501 ,  H01L2224/0903 ,  H01L2224/80048 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80099 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/8583 ,  H01L2224/85897 ,  H01L2224/85898 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

摘要： 本發明係關於將半導體結構接合在一起之方法,其包含將半導體結構上之特徵的金屬退火,然後將該特徵直接接合至另一半導體結構之金屬特徵以形成經接合的金屬結構,及在該接合程序之後將該經接合的金屬結構退火。第一退火程序之熱預算可至少與後續退火程序之熱預算一樣高。其他方法涉及在金屬特徵中形成空隙,及將該金屬特徵退火以使該特徵之金屬擴展至該空隙中。使用此等方法形成經接合的半導體結構及中間結構。

简体摘要： 本发明系关于将半导体结构接合在一起之方法,其包含将半导体结构上之特征的金属退火,然后将该特征直接接合至另一半导体结构之金属特征以形成经接合的金属结构,及在该接合进程之后将该经接合的金属结构退火。第一退火进程之热预算可至少与后续退火进程之热预算一样高。其他方法涉及在金属特征中形成空隙,及将该金属特征退火以使该特征之金属扩展至该空隙中。使用此等方法形成经接合的半导体结构及中间结构。