公开(公告)号：TWI555139B

公开(公告)日：2016-10-21

申请号：TW103100030

申请日：2014-01-02

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 陳 崑崙 ,  TRAN, LUAN C. ,  杜友倫 ,  TU, YEUR LUEN ,  王俊智 ,  WANG, CHUN CHING

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/09 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/06134 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/0901 ,  H01L2224/0903 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014

公开(公告)号：TWI502700B

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：TW102134695

申请日：2013-09-26

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 劉丙寅 ,  LIU, PING YIN ,  陳思瑩 ,  CHEN, SZU YING ,  王銓中 ,  WANG, CHEN JONG ,  黃志輝 ,  HUANG, CHIH HUI ,  黃信華 ,  HUANG, XIN HUA ,  趙蘭璘 ,  CHAO, LAN LIN ,  杜友倫 ,  TU, YEUR LUEN ,  蔡嘉雄 ,  TSAI, CHIA SHIUNG ,  陳曉萌 ,  CHEN, XIAOMENG

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/80121 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/0504 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/059 ,  H01L2224/05552

公开(公告)号：TW201301398A

公开(公告)日：2013-01-01

申请号：TW101111450

申请日：2012-03-30

申请人： 蘇泰克公司 ,  SOITEC ,  原子能與替代能源委員會 ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

发明人： 沙達卡 馬里安 ,  SADAKA, MARIAM ,  拉杜 優娜特 ,  RADU, IONUT ,  蘭德路 迪迪爾 ,  LANDRU, DIDIER ,  迪休西 利亞 ,  DI CIOCCI, LEA

IPC分类号： H01L21/324

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/03466 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/03901 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/0903 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80099 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2224/034

摘要： 將半導體結構結合在一起之方法包括使第一半導體結構上之第一金屬特徵結構退火，將第一金屬特徵結構結合至第二半導體結構之第二金屬特徵結構，以形成包含第一金屬特徵結構及第二金屬特徵結構的一經結合金屬結構，且使經結合金屬結構退火。使第一金屬特徵結構退火可包含使第一金屬特徵結構經受一預結合熱預算，且使經結合金屬結構退火可包含使經結合金屬結構經受小於預結合熱預算的一後結合熱預算。經結合半導體結構使用此等方法被製成。

简体摘要： 将半导体结构结合在一起之方法包括使第一半导体结构上之第一金属特征结构退火，将第一金属特征结构结合至第二半导体结构之第二金属特征结构，以形成包含第一金属特征结构及第二金属特征结构的一经结合金属结构，且使经结合金属结构退火。使第一金属特征结构退火可包含使第一金属特征结构经受一预结合热预算，且使经结合金属结构退火可包含使经结合金属结构经受小于预结合热预算的一后结合热预算。经结合半导体结构使用此等方法被制成。

公开(公告)号：TWI620235B

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW104112708

申请日：2015-04-21

申请人： 東芝記憶體股份有限公司 ,  TOSHIBA MEMORY CORPORATION

发明人： 谷田一真 ,  TANIDA, KAZUMASA ,  吉田貴光 ,  YOSHIDA, TAKAMITSU ,  內海邦朗 ,  UTSUMI, KUNIAKI ,  川崎敦子 ,  KAWASAKI, ATSUKO

IPC分类号： H01L21/283 ,  H01L21/48 ,  H01L21/768 ,  H01L23/498 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L21/4853 ,  H01L21/76885 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14643 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/08059 ,  H01L2224/08111 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80345 ,  H01L2224/80365 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：TW201616626A

公开(公告)日：2016-05-01

申请号：TW104117607

申请日：2015-06-01

申请人： 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

发明人： 英格蘭 盧克 ,  ENGLAND, LUKE ,  克利威爾 查利斯坦 ,  KLEWER, CHRISTIAN

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/522 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/09 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03011 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08123 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2924/00014

摘要： 本發明揭露一種用於製備三維積體化半導體元件之方法及所造成的元件。實施例包含分別地形成第一及第二接合墊於第一及第二半導體元件上，該第一及第二接合墊的每一個具有複數個金屬區段，該第一接合墊之該金屬區段具有不同於該第二接合墊之該金屬區段之組構或者具有與該第二接合墊之該金屬區段的組構相同但是相對於該第二接合墊而旋轉之組構；以及透過該第一及第二接合墊將該第一及第二半導體元件接合在一起。

简体摘要： 本发明揭露一种用于制备三维积体化半导体组件之方法及所造成的组件。实施例包含分别地形成第一及第二接合垫于第一及第二半导体组件上，该第一及第二接合垫的每一个具有复数个金属区段，该第一接合垫之该金属区段具有不同于该第二接合垫之该金属区段之组构或者具有与该第二接合垫之该金属区段的组构相同但是相对于该第二接合垫而旋转之组构；以及透过该第一及第二接合垫将该第一及第二半导体组件接合在一起。

公开(公告)号：TW201612964A

公开(公告)日：2016-04-01

申请号：TW104112708

申请日：2015-04-21

申请人： 東芝股份有限公司 ,  KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

发明人： 谷田一真 ,  TANIDA, KAZUMASA ,  吉田貴光 ,  YOSHIDA, TAKAMITSU ,  內海邦朗 ,  UTSUMI, KUNIAKI ,  川崎敦子 ,  KAWASAKI, ATSUKO

IPC分类号： H01L21/283 ,  H01L21/48 ,  H01L21/768 ,  H01L23/498 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L21/4853 ,  H01L21/76885 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14643 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/08059 ,  H01L2224/08111 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80345 ,  H01L2224/80365 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： 若根據實施形態，則提供一種半導體裝置。半導體裝置是具備：絕緣層、電極、及溝。絕緣層是設在基板的表面。電極是被埋設於絕緣層中，一方的端面會從絕緣層露出。溝是被形成於基板表面的電極的周圍。並且，溝是以電極的外側面作為一方的側面，絕緣層的表面側被開放。被埋設於絕緣層的電極是一方的端面會從絕緣層的表面突出。

简体摘要： 若根据实施形态，则提供一种半导体设备。半导体设备是具备：绝缘层、电极、及沟。绝缘层是设在基板的表面。电极是被埋设于绝缘层中，一方的端面会从绝缘层露出。沟是被形成于基板表面的电极的周围。并且，沟是以电极的外侧面作为一方的侧面，绝缘层的表面侧被开放。被埋设于绝缘层的电极是一方的端面会从绝缘层的表面突出。

公开(公告)号：TW201250971A

公开(公告)日：2012-12-16

申请号：TW100137587

申请日：2011-10-17

申请人： 索泰克公司

发明人： 薩達卡 馬利

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/80 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03602 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/08501 ,  H01L2224/0903 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/049 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/206 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明之實施例包括將半導體構造直接黏附在一起之方法。在一些實施例中,一蓋層可以提供於該些半導體構造中直接黏附之該些金屬部件間一界面上。在一些實施例中,雜質被提供於該些半導體構造中直接黏附之該些金屬部件內。黏附半導體構造係應用此等方法形成。

简体摘要： 本发明之实施例包括将半导体构造直接黏附在一起之方法。在一些实施例中,一盖层可以提供于该些半导体构造中直接黏附之该些金属部件间一界面上。在一些实施例中,杂质被提供于该些半导体构造中直接黏附之该些金属部件内。黏附半导体构造系应用此等方法形成。

公开(公告)号：TWI603454B

公开(公告)日：2017-10-21

申请号：TW104136199

申请日：2015-11-03

申请人： 東芝記憶體股份有限公司 ,  TOSHIBA MEMORY CORPORATION

发明人： 蘆立浩明 ,  ASHIDATE, HIROAKI ,  谷田一真 ,  TANIDA, KAZUMASA

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/30 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L27/14634 ,  H01L21/187 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03602 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/06505 ,  H01L2224/0807 ,  H01L2224/08112 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80902 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05442

公开(公告)号：TW201719842A

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：TW105124289

申请日：2016-08-01

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 楊明憲 ,  YANG, MING HSIEN ,  王俊智 ,  WANG, CHING CHUN ,  楊敦年 ,  YAUNG, DUN NIAN ,  洪豐基 ,  HUNG, FENG CHI ,  黃信耀 ,  HUANG, SIN YAO

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/43 ,  H01L24/46 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L27/14634 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/73251 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/08 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/32 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/01029

摘要： 提供一半導體元件結構。半導體元件結構包括一第一半導體基板，第一半導體基板具有一第一表面、一第二表面、以及一凹槽。第二表面相對於第一表面。凹槽貫穿第一半導體基板。半導體元件結構包括一第一線路層，第一線路層係位於第二表面上。半導體元件結構包括第一接墊，第一接墊位於凹槽中並延伸至第一線路層以電性連接至第一線路層。半導體元件結構包括一鎳層，鎳層位於第一接墊上。半導體元件結構包括一金層，金層位於鎳層上。

简体摘要： 提供一半导体组件结构。半导体组件结构包括一第一半导体基板，第一半导体基板具有一第一表面、一第二表面、以及一凹槽。第二表面相对于第一表面。凹槽贯穿第一半导体基板。半导体组件结构包括一第一线路层，第一线路层系位于第二表面上。半导体组件结构包括第一接垫，第一接垫位于凹槽中并延伸至第一线路层以电性连接至第一线路层。半导体组件结构包括一镍层，镍层位于第一接垫上。半导体组件结构包括一金层，金层位于镍层上。

公开(公告)号：TWI578473B

公开(公告)日：2017-04-11

申请号：TW104117607

申请日：2015-06-01

申请人： 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

发明人： 英格蘭 盧克 ,  ENGLAND, LUKE ,  克利威爾 查利斯坦 ,  KLEWER, CHRISTIAN

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/522 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/09 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03011 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08123 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2924/00014