積體電路打線位置檢測法
    2.
    发明专利
    積體電路打線位置檢測法 有权
    集成电路打线位置检测法

    公开(公告)号:TWI335071B

    公开(公告)日:2010-12-21

    申请号:TW096113025

    申请日:2007-04-13

    发明人: 李恕明

    IPC分类号: H01L

    摘要: 本發明提供一種積體電路打線位置檢測法,其係首先取得一積體電路打線區域影像,並使影像中每一腳位具有不同的色階值,以及透過將標準打線機台/電腦輔助設計檔案內設定之標準打線位置座標值對應於影像中的腳位,取得所對應之色階值,接著將待測打線機台內設定之打線位置座標值對應於影像中的打線位置,以獲得所對應的色階值,最後藉由判斷兩者之打線位置座標值分別所對應的色階值是否相同,檢測待測打線機台是否具有正確的打線位置座標值。因此,本發明可用於多層線的檢驗,並具有無誤偵測與漏偵測以及檢測快速的優點。

    简体摘要: 本发明提供一种集成电路打线位置检测法,其系首先取得一集成电路打线区域影像,并使影像中每一脚位具有不同的色阶值,以及透过将标准打线机台/电脑辅助设计文档内设置之标准打线位置座标值对应于影像中的脚位,取得所对应之色阶值,接着将待测打线机台内设置之打线位置座标值对应于影像中的打线位置,以获得所对应的色阶值,最后借由判断两者之打线位置座标值分别所对应的色阶值是否相同,检测待测打线机台是否具有正确的打线位置座标值。因此,本发明可用于多层线的检验,并具有无误侦测与漏侦测以及检测快速的优点。

    單晶片推挽式功率電晶體裝置
    6.
    发明专利
    單晶片推挽式功率電晶體裝置 有权
    单芯片推挽式功率晶体管设备

    公开(公告)号:TW522564B

    公开(公告)日:2003-03-01

    申请号:TW091104146

    申请日:2002-03-06

    IPC分类号: H01L

    摘要: 一種推挽式電晶體晶片,包含單一半導體晶粒,其具有在其上所形成之第一及第二橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)電晶體且被裝配用於推挽式操作,該第一及第二電晶體共享一共用元件電流區。在一功率電晶體封裝中該推挽式電晶體晶片被安裝在一固定凸緣,其作用是當作共用元件接地參考,其中一導體(例如一或多個結合金屬線)將共同使用之共用元件電流區電氣連接至固定凸緣。

    简体摘要: 一种推挽式晶体管芯片,包含单一半导体晶粒,其具有在其上所形成之第一及第二横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管且被装配用于推挽式操作,该第一及第二晶体管共享一共享组件电流区。在一功率晶体管封装中该推挽式晶体管芯片被安装在一固定凸缘,其作用是当作共享组件接地参考,其中一导体(例如一或多个结合金属线)将共同使用之共享组件电流区电气连接至固定凸缘。

    晶片設計中的線網分配方法與裝置
    10.
    发明专利
    晶片設計中的線網分配方法與裝置 审中-公开
    芯片设计中的线网分配方法与设备

    公开(公告)号:TW201128430A

    公开(公告)日:2011-08-16

    申请号:TW099104887

    申请日:2010-02-12

    发明人: 張一帆

    IPC分类号: G06F H01L

    摘要: 本發明之方法用於在積體電路中的信號網路之間減少或消除飛線交叉,以使得在VLSI設計中的網路分配被最佳化。本發明方法首先為了從至少兩個起點中的每一個到至少兩個終點中的每一個的路徑分配成本而生成一路徑分配成本資料集;第二,生成許多列等於該至少兩個起點和許多行等於該至少兩個終點的一價值矩陣;下一步,分配該路徑分配成本資料集到該價值矩陣的每個元素,以使得從一個起點到一個終點的該路徑分配成本被分配到由該起點的一列和該終點的一行所定義的一個元素;最後,通過對該價值矩陣執行一個連接路徑分配最佳化演算法來決定一個最低成本連接路徑。

    简体摘要: 本发明之方法用于在集成电路中的信号网络之间减少或消除飞线交叉,以使得在VLSI设计中的网络分配被最优化。本发明方法首先为了从至少两个起点中的每一个到至少两个终点中的每一个的路径分配成本而生成一路径分配成本数据集;第二,生成许多列等于该至少两个起点和许多行等于该至少两个终点的一价值矩阵;下一步,分配该路径分配成本数据集到该价值矩阵的每个元素,以使得从一个起点到一个终点的该路径分配成本被分配到由该起点的一列和该终点的一行所定义的一个元素;最后,通过对该价值矩阵运行一个连接路径分配最优化算法来决定一个最低成本连接路径。