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公开(公告)号：TWI694557B
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW102110736
申请日：2013-03-26
发明人： 林少雄 , LIM, SHOA-SIONG RAYMOND , 周輝星 , CHEW, HWEE-SENG JIMMY
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公开(公告)号：TW201349397A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102110736
申请日：2013-03-26
发明人： 林少雄 , LIM, SHOA-SIONG RAYMOND , 周輝星 , CHEW, HWEE-SENG JIMMY
CPC分类号： H01L23/12 , H01L21/4842 , H01L21/4857 , H01L21/56 , H01L23/13 , H01L23/295 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L24/97 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , Y10T29/49121 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本發明提供一種半導體基板，半導體基板包括二或多層堆疊結構層，堆疊結構層形成於一犧牲載體上。各堆疊結構層包括一導電線路層及一相互連接件，各堆疊結構層被封膠於一樹脂封膠複合物中。封膠複合物之頂部表面係為研磨面且設置一黏合層於研磨面上。於一最外部導電線路層形成於黏合層上及載體或加強環被移除後，獲得一多層基板。
简体摘要： 本发明提供一种半导体基板，半导体基板包括二或多层堆栈结构层，堆栈结构层形成于一牺牲载体上。各堆栈结构层包括一导电线路层及一相互连接件，各堆栈结构层被封胶于一树脂封胶复合物中。封胶复合物之顶部表面系为研磨面且设置一黏合层于研磨面上。于一最外部导电线路层形成于黏合层上及载体或加强环被移除后，获得一多层基板。
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公开(公告)号：TWI563628B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：TW103105808
申请日：2014-02-21
发明人： 林少雄 , LIM, SHOA-SIONG RAYMOND , 周輝星 , CHEW, HWEE-SENG JIMMY
CPC分类号： H01L23/562 , H01L21/4828 , H01L21/4842 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/565 , H01L23/16 , H01L23/49541 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/544 , H01L24/97 , H01L2223/54426 , H01L2223/54486
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公开(公告)号：TWI411083B
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW099121566
申请日：2007-12-14
发明人： 周輝星 , CHEW, HWEE-SENG JIMMY , 王志堅 , ONG, CHEE KIAN , 阿杜 拉吒(奇契之子) , ABD. RAZAK BIN CHICHIK
IPC分类号： H01L23/495
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/4839 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L23/49558 , H01L23/49575 , H01L23/49816 , H01L23/49861 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2221/68345 , H01L2224/0554 , H01L2224/05573 , H01L2224/131 , H01L2224/16 , H01L2224/16057 , H01L2224/16245 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01068 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2224/13099 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
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公开(公告)号：TWI525760B
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：TW101148470
申请日：2012-12-19
发明人： 周輝星 , CHEW, HWEE-SENG JIMMY , 林少雄 , LIM, SHOA-SIONG RAYMOND
CPC分类号： H05K1/18 , H01L21/4828 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/142 , H01L23/3107 , H01L23/3128 , H01L23/49537 , H01L23/49582 , H01L23/49861 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/80 , H01L24/97 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2224/45099 , H01L2924/207
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公开(公告)号：TWI500124B
公开(公告)日：2015-09-11
申请号：TW101144758
申请日：2012-11-29
发明人： 周輝星 , CHEW, HWEE-SENG JIMMY , 林少雄 , LIM, SHOA-SIONG RAYMOND
CPC分类号： H01L21/4857 , C25D5/022 , C25D7/12 , H01L21/02697 , H01L21/0273 , H01L21/2885 , H01L21/486 , H01L23/3107 , H01L23/48 , H01L23/49838 , H01L23/49861 , H01L23/49866 , H01L23/49894 , H01L24/73 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H05K1/0373 , H05K1/09 , H05K1/092 , H05K2201/09118 , H05K2203/0574 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TWI427756B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW098130288
申请日：2009-09-08
发明人： 周輝星 , CHEW, HWEE-SENG JIMMY , 王志堅 , ONG, CHEE-KIAN
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2924/15311
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公开(公告)号：TW201322390A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW101144758
申请日：2012-11-29
发明人： 周輝星 , CHEW, HWEE-SENG JIMMY , 林少雄 , LIM, SHOA-SIONG RAYMOND
CPC分类号： H01L21/4857 , C25D5/022 , C25D7/12 , H01L21/02697 , H01L21/0273 , H01L21/2885 , H01L21/486 , H01L23/3107 , H01L23/48 , H01L23/49838 , H01L23/49861 , H01L23/49866 , H01L23/49894 , H01L24/73 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H05K1/0373 , H05K1/09 , H05K1/092 , H05K2201/09118 , H05K2203/0574 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 一種基板結構、半導體封裝元件及基板結構之製造方法。基板結構包括一導電結構，導電結構包括一第一金屬層、一第二金屬層以及一第三金屬層。第二金屬層設置於第一金屬層上，第三金屬層設置於第二金屬層上。第二金屬層和第三金屬層分別具有相對之一第一表面與一第二表面，第三金屬層之第一表面連接於第二金屬層之第二表面，且第三金屬層之第一表面的面積大於第二金屬層之第二表面的面積。
简体摘要： 一种基板结构、半导体封装组件及基板结构之制造方法。基板结构包括一导电结构，导电结构包括一第一金属层、一第二金属层以及一第三金属层。第二金属层设置于第一金属层上，第三金属层设置于第二金属层上。第二金属层和第三金属层分别具有相对之一第一表面与一第二表面，第三金属层之第一表面连接于第二金属层之第二表面，且第三金属层之第一表面的面积大于第二金属层之第二表面的面积。
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公开(公告)号：TWI508241B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW101138782
申请日：2012-10-19
发明人： 林少雄 , LIM, SHOA-SIONG RAYMOND , 周輝星 , CHEW, HWEE-SENG JIMMY
CPC分类号： H01L21/0332 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/768 , H01L21/7685 , H01L21/76865 , H01L21/76883 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L23/488 , H01L23/49816 , H01L23/49861 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/97 , H01L2224/16225 , H01L2224/16238 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/97 , H01L2924/07802 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
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公开(公告)号：TW201306199A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101126484
申请日：2012-07-23
发明人： 周輝星 , CHEW, HWEE-SENG JIMMY , 林建福 , LIM, KIAN-HOCK , 歐 菲索 , FORTALEZA, OVISO DOMINADOR JR , 林少雄 , LIM, SHOA-SIONG RAYMOND
CPC分类号： H01L21/568 , H01L21/4846 , H01L21/486 , H01L21/6835 , H01L23/3107 , H01L23/49861 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2221/68345 , H01L2221/68381 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/85447 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 一種半導體結構及其製造方法。半導體結構包括一載板。載板具有相對之一第一表面與一第二表面，載板包括一內層(inner layer)及一外披覆層(exterior clad layer)，外披覆層包覆內層。
简体摘要： 一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一载板。载板具有相对之一第一表面与一第二表面，载板包括一内层(inner layer)及一外披覆层(exterior clad layer)，外披覆层包覆内层。
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