-
公开(公告)号：TWI664298B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW107136932
申请日：2018-10-19
发明人： 近藤茂喜 , KONDOH, SHIGEKI , 𡈽 , 屋政人 , TSUCHIYA, MASATO , 須藤皓紀 , SUDO, HIROKI , 川浩由 , KAWASAKI, HIROYOSHI , 六本木貴弘 , ROPPONGI, TAKAHIRO , 相馬大輔 , SOMA, DAISUKE , 佐藤勇 , SATO, ISAMU
-
公开(公告)号：TWI647316B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW106123802
申请日：2017-07-17
发明人： 矢作政隆 , YAHAGI, MASATAKA , 古澤秀樹 , FURUSAWA, HIDEKI
-
公开(公告)号：TWI618798B
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：TW103112960
申请日：2014-04-09
发明人： 立花賢 , TACHIBANA, KEN , 野村光 , NOMURA, HIKARU
CPC分类号： B23K35/262 , B23K1/0016 , B23K35/264 , C22C12/00 , C22C13/02 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1134 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/01083 , H01L2924/01103 , H01L2924/01108 , H01L2924/01109 , H01L2924/01322 , H01L2924/0134 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15701 , H05K3/3463 , H01L2924/01015 , H01L2924/01032 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
-
公开(公告)号：TW201546293A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104106804
申请日：2015-03-04
发明人： 小井土由将 , KOIDO, YOSHIMASA
CPC分类号： H01J37/3429 , B22F3/15 , B22F9/04 , B22F9/082 , B22F2009/044 , B22F2009/0848 , C22C1/04 , C22C12/00 , C22C28/00 , C23C14/0623 , C23C14/08 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/10 , C23C14/14 , C23C14/3414
摘要： 一種Sb-Te基合金燒結體濺鍍靶，其係由Sb含量10~60at%、Te含量20~60at%，剩餘部分為選自Ag、In、Ge中之一種以上的元素及不可避免之雜質構成的濺鍍靶，其特徵在於：氧化物之平均粒徑為0.5μm以下。其目的在於：謀求改善Sb-Te基合金燒結體濺鍍靶組織，防止濺鍍時電弧之產生，並提高濺鍍膜之熱穩定性。
简体摘要： 一种Sb-Te基合金烧结体溅镀靶，其系由Sb含量10~60at%、Te含量20~60at%，剩余部分为选自Ag、In、Ge中之一种以上的元素及不可避免之杂质构成的溅镀靶，其特征在于：氧化物之平均粒径为0.5μm以下。其目的在于：谋求改善Sb-Te基合金烧结体溅镀靶组织，防止溅镀时电弧之产生，并提高溅镀膜之热稳定性。
-
公开(公告)号：TW201432095A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102139280
申请日：2013-10-30
发明人： 細川侑 , HOSOKAWA, YU , 伊藤順一 , ITO, JUNICHI
CPC分类号： B23K35/264 , B23K35/26 , C22C12/00 , C22C13/02 , C25C1/22
摘要： 一種鉍，α射線量在0.01cph/cm2以下。一種低α射線鉍之製造方法，將鈦製陰極及鉍陽極插入於鉍濃度5~50g/L、pH0.0~0.4之硝酸溶液，以陰極電流密度0.1~1A/dm2進行電解純化。最近之半導體裝置由於高密度化及高容量化，故因來自半導體晶片附近材料之α射線的影響而產生軟性錯誤之危險增多。尤其是由於對接近半導體裝置所使用之焊料材料的高純度化要求強烈，又，要求低α射線之材料，因此本發明之課題在於闡明鉍產生α射線之現象，且得到可因應所要求之材料的鉍其α射線量經降低的高純度鉍及其合金。
简体摘要： 一种铋，α射线量在0.01cph/cm2以下。一种低α射线铋之制造方法，将钛制阴极及铋阳极插入于铋浓度5~50g/L、pH0.0~0.4之硝酸溶液，以阴极电流密度0.1~1A/dm2进行电解纯化。最近之半导体设备由于高密度化及高容量化，故因来自半导体芯片附近材料之α射线的影响而产生软性错误之危险增多。尤其是由于对接近半导体设备所使用之焊料材料的高纯度化要求强烈，又，要求低α射线之材料，因此本发明之课题在于阐明铋产生α射线之现象，且得到可因应所要求之材料的铋其α射线量经降低的高纯度铋及其合金。
-
公开(公告)号：TW201406491A
公开(公告)日：2014-02-16
申请号：TW102101339
申请日：2013-01-14
发明人： 上島稔 , UESHIMA, MINORU , 藤卷礼 , FUJIMAKI, REI
CPC分类号： B23K35/262 , B23K35/025 , B23K35/24 , B23K35/28 , C22C12/00 , C22C13/02 , C22C30/02 , C22C30/04 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/2912 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83815 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/351 , Y10T403/479 , H01L2224/45099 , H01L2924/0105 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/013 , H01L2924/01028 , H01L2924/20107 , H01L2924/20106 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 本發明的課題是在於提供即使進行緩冷卻也不會產生低熔點相，且具有優良的連接可靠性的Sn-Sb-Ag-Cu系高溫無鉛焊錫合金。用以解決課題之手段為，具有由以質量%計算時，Sb：35~40%、Ag：13~18%、Cu：6~8%、及殘餘部為Sn所形成的合金組成。
简体摘要： 本发明的课题是在于提供即使进行缓冷却也不会产生低熔点相，且具有优良的连接可靠性的Sn-Sb-Ag-Cu系高温无铅焊锡合金。用以解决课题之手段为，具有由以质量%计算时，Sb：35~40%、Ag：13~18%、Cu：6~8%、及残余部为Sn所形成的合金组成。
-
公开(公告)号：TW201809304A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106123802
申请日：2017-07-17
发明人： 矢作政隆 , YAHAGI, MASATAKA , 古澤秀樹 , FURUSAWA, HIDEKI
摘要： 提供一種新穎之焊料合金，含有Sn、Bi及Cu，藉由使Sn為0.05~1.50質量%，Cu為0.03~3.2質量%，剩餘部分為Bi及不可避免之雜質，而可於高溫區域使用。
简体摘要： 提供一种新颖之焊料合金，含有Sn、Bi及Cu，借由使Sn为0.05~1.50质量%，Cu为0.03~3.2质量%，剩余部分为Bi及不可避免之杂质，而可于高温区域使用。
-
公开(公告)号：TWI493064B
公开(公告)日：2015-07-21
申请号：TW100114243
申请日：2011-04-25
发明人： 高橋秀行 , TAKAHASHI, HIDEYUKI , 小井土由將 , KOIDO, YOSHIMASA
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/515 , C22C12/00
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/547 , C04B35/6261 , C04B35/645 , C04B2235/40 , C04B2235/404 , C04B2235/408 , C04B2235/421 , C04B2235/422 , C04B2235/428 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/77 , C04B2235/785 , C04B2235/96 , C22C1/04 , C22C12/00 , C22C28/00 , C23C14/0623 , G11B7/266
-
公开(公告)号：TW201525152A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103131533
申请日：2014-09-12
发明人： 細川侑 , HOSOKAWA, YU
摘要： 本發明之鉍之特徵在於：α射線量為0.007cph/cm2以下。本發明之低α射線鉍之製造方法之特徵在於：以α射線量0.15cph/cm2以下之鉍為原料，藉由電解製作鉍濃度5~50g/L、pH值0.0~0.4之硝酸鉍溶液，並於該溶液中添加20~60%之氫氧化鈉水溶液，使帶有釙之沈澱物產生，對其進行過濾而分離成沈澱物1與濾液1，其次對濾液1進行電解萃取而回收鉍。最近之半導體裝置受到高密度化及高電容化，故而因來自半導體晶片附近之材料之α射線之影響，產生軟錯誤(soft error)之危險變多。尤其是謀求一種靠近半導體裝置而使用之材料，其對焊錫材料之高純度化強烈要求且α射線少，因此本發明之課題在於獲得一種使可適合所要求之材料之鉍即降低α射線量的高純度鉍。
简体摘要： 本发明之铋之特征在于：α射线量为0.007cph/cm2以下。本发明之低α射线铋之制造方法之特征在于：以α射线量0.15cph/cm2以下之铋为原料，借由电解制作铋浓度5~50g/L、pH值0.0~0.4之硝酸铋溶液，并于该溶液中添加20~60%之氢氧化钠水溶液，使带有钋之沈淀物产生，对其进行过滤而分离成沈淀物1与滤液1，其次对滤液1进行电解萃取而回收铋。最近之半导体设备受到高密度化及高电容化，故而因来自半导体芯片附近之材料之α射线之影响，产生软错误(soft error)之危险变多。尤其是谋求一种靠近半导体设备而使用之材料，其对焊锡材料之高纯度化强烈要求且α射线少，因此本发明之课题在于获得一种使可适合所要求之材料之铋即降低α射线量的高纯度铋。
-
公开(公告)号：TW201504447A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW103112960
申请日：2014-04-09
发明人： 立花賢 , TACHIBANA, KEN , 野村光 , NOMURA, HIKARU
CPC分类号： B23K35/262 , B23K1/0016 , B23K35/264 , C22C12/00 , C22C13/02 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1134 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/01083 , H01L2924/01103 , H01L2924/01108 , H01L2924/01109 , H01L2924/01322 , H01L2924/0134 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15701 , H05K3/3463 , H01L2924/01015 , H01L2924/01032 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本發明係提供在低熔點具有優異延展性且抗拉強度高，亦能抑制接合界面的P豐富層的生成，還具有高抗剪強度，具有抑制基板的變形而具有優異連接可靠度的Sn-Bi-Cu-Ni系無鉛焊合金。 為了抑制電極的Cu和Ni的擴散，同時確保合金的延展度和可濕性，其具有由Bi：31~59%、Cu：0.3~1.0%、Ni：0.01~0.06%之質量%、剩餘為Sn所構成的合金組成。
简体摘要： 本发明系提供在低熔点具有优异延展性且抗拉强度高，亦能抑制接合界面的P丰富层的生成，还具有高抗剪强度，具有抑制基板的变形而具有优异连接可靠度的Sn-Bi-Cu-Ni系无铅焊合金。 为了抑制电极的Cu和Ni的扩散，同时确保合金的延展度和可湿性，其具有由Bi：31~59%、Cu：0.3~1.0%、Ni：0.01~0.06%之质量%、剩余为Sn所构成的合金组成。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
31 条记录 (耗时 0.013 秒)
