公开(公告)号：US07528188B2

公开(公告)日：2009-05-05

申请号：US10862338

申请日：2004-06-08

申请人： Seok Bong Park ,  Myung Sun Kim ,  Won Mi Kim ,  Jae Hyun Kim ,  Sang Sik Moon ,  Chang Ho Lee ,  Young Hoon Kim

发明人： Seok Bong Park ,  Myung Sun Kim ,  Won Mi Kim ,  Jae Hyun Kim ,  Sang Sik Moon ,  Chang Ho Lee ,  Young Hoon Kim

IPC分类号： C08K5/10 ,  C08K5/09 ,  C08L71/10

CPC分类号： C08L61/06

摘要： A resin solution usable for forming a protection layer, including an organic solvent and a resol resin. The resin solution may further include any combination of a cross-linking agene or agent(s), a photo active compound (PAC) or compounds(s), and/or development accelerator or accelerator(s) a method forming a cured resin layer, including applying a resin solution, including a resol resin, directly or indirectly on a substrate and hard baking the resin solution to form the cured resin layer. The resin solution may include a resol resin and/or a novolac resin.

摘要翻译： 可用于形成保护层的树脂溶液，包括有机溶剂和甲阶酚醛树脂。 树脂溶液还可以包括交联的一个或多个化合物，光活性化合物（PAC）或化合物和/或显影促进剂或促进剂的任何组合，形成固化树脂层 包括将包含甲阶酚醛树脂的树脂溶液直接或间接地施加到基板上，并硬化烘烤树脂溶液以形成固化树脂层。 树脂溶液可以包括甲阶酚醛树脂和/或酚醛清漆树脂。

公开(公告)号：US20060154176A1

公开(公告)日：2006-07-13

申请号：US11331305

申请日：2006-01-11

申请人： Seok-Bong Park ,  Won-Mi Kim ,  Jae-Hyun Kim

发明人： Seok-Bong Park ,  Won-Mi Kim ,  Jae-Hyun Kim

IPC分类号： G03C1/76

CPC分类号： G03F7/0233

摘要： A photoresist composition comprising a hydrogen-bonding compound and a thermosetting resin is provided. A method of forming a photoresist pattern is also provided. The method comprises forming a photoresist film on an object by coating the object with a photoresist composition including a hydrogen-bonding compound and a thermosetting resin. Then, the photoresist film is partially removed to form the photoresist pattern.

摘要翻译： 提供了包含氢键化合物和热固性树脂的光致抗蚀剂组合物。 还提供了形成光致抗蚀剂图案的方法。 该方法包括通过用包含氢键化合物和热固性树脂的光致抗蚀剂组合物涂覆物体在物体上形成光致抗蚀剂膜。 然后，部分去除光致抗蚀剂膜以形成光致抗蚀剂图案。

公开(公告)号：US07026240B2

公开(公告)日：2006-04-11

申请号：US10776064

申请日：2004-02-11

申请人： Jae-Hyun Kim ,  Dong-Won Shin ,  Boo-Deuk Kim ,  Chang-Ho Lee ,  Won-Mi Kim ,  Seok-Bong Park

发明人： Jae-Hyun Kim ,  Dong-Won Shin ,  Boo-Deuk Kim ,  Chang-Ho Lee ,  Won-Mi Kim ,  Seok-Bong Park

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L23/3192 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/312 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00

摘要： In a semiconductor device fabrication method and in a product formed according to the method, a photosensitive polyimide layer (PSPL) layer is applied to a semiconductor device in a manner which overcomes the limitations of the conventional approaches. The beneficial qualities of an added photoresist layer are utilized to avoid unwanted development of the underlying PSPL layer. In this manner, cracking of the PSPL layer is mitigated or eliminated, reducing the device soft error rate (SER) and increasing device yield. This is accomplished in a reliable and low-cost approach that employs standard device fabrication techniques.

摘要翻译： 在半导体器件制造方法和根据该方法形成的产品中，以克服常规方法的限制的方式将光敏聚酰亚胺层（PSPL）层施加到半导体器件。 利用添加的光致抗蚀剂层的有益特性来避免潜在的PSPL层的不期望的显影。 以这种方式，减轻或消除了PSPL层的破裂，降低了器件的软错误率（SER）并提高了器件的产量。 这是采用标准器件制造技术的可靠且低成本的方法实现的。

公开(公告)号：US20050029631A1

公开(公告)日：2005-02-10

申请号：US10776064

申请日：2004-02-11

申请人： Jae-Hyun Kim ,  Dong-Won Shin ,  Boo-Deuk Kim ,  Chang-Ho Lee ,  Won-Mi Kim ,  Seok-Bong Park

发明人： Jae-Hyun Kim ,  Dong-Won Shin ,  Boo-Deuk Kim ,  Chang-Ho Lee ,  Won-Mi Kim ,  Seok-Bong Park

IPC分类号： H01L21/312 ,  H01L21/027 ,  H01L23/31 ,  H01L23/58 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L23/3192 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/312 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00

摘要： In a semiconductor device fabrication method and in a product formed according to the method, a photosensitive polyimide layer (PSPL) layer is applied to a semiconductor device in a manner which overcomes the limitations of the conventional approaches. The beneficial qualities of an added photoresist layer are utilized to avoid unwanted development of the underlying PSPL layer. In this manner, cracking of the PSPL layer is mitigated or eliminated, reducing the device soft error rate (SER) and increasing device yield. This is accomplished in a reliable and low-cost approach that employs standard device fabrication techniques.

摘要翻译： 在半导体器件制造方法和根据该方法形成的产品中，以克服常规方法的限制的方式将光敏聚酰亚胺层（PSPL）层施加到半导体器件。 利用添加的光致抗蚀剂层的有益特性来避免潜在的PSPL层的不期望的显影。 以这种方式，减轻或消除了PSPL层的破裂，降低了器件的软错误率（SER）并提高了器件的产量。 这是采用标准器件制造技术的可靠且低成本的方法实现的。