公开(公告)号：US20130320522A1

公开(公告)日：2013-12-05

申请号：US13483999

申请日：2012-05-30

申请人： Feng-Liang Lai ,  Kai-Yuan Yang ,  Chia-Jen Leu ,  Sheng Chiang Hung

发明人： Feng-Liang Lai ,  Kai-Yuan Yang ,  Chia-Jen Leu ,  Sheng Chiang Hung

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L23/291 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/0509 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： An embodiment is a semiconductor device comprising a contact pad over a substrate, wherein the contact pad is disposed over an integrated circuit on the substrate and a first passivation layer over the contact pad. A first via in the first passivation layer, wherein the first via has more than four sides, and wherein the first via extends to the contact pad.

摘要翻译： 一个实施例是一种半导体器件，其包括在衬底上的接触焊盘，其中接触焊盘设置在衬底上的集成电路上，以及在接触焊盘上方的第一钝化层。 第一钝化层中的第一通孔，其中第一通孔具有多于四个边，并且其中第一通孔延伸到接触焊盘。