利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

38 条记录 (耗时 0.036 秒)

    Phase change memory device and method of fabricating the same
    1.
    发明授权
    Phase change memory device and method of fabricating the same 有权
    相变存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US07767568B2

    公开(公告)日：2010-08-03

    申请号：US11905244

    申请日：2007-09-28

    申请人： Hyeong-Geun An ,  Hideki Horii ,  Jong-Chan Shin ,  Dong-Ho Ahn ,  Jun-Soo Bae ,  Jeong-Hee Park

    发明人： Hyeong-Geun An ,  Hideki Horii ,  Jong-Chan Shin ,  Dong-Ho Ahn ,  Jun-Soo Bae ,  Jeong-Hee Park

    IPC分类号： H01L21/3205

    CPC分类号： H01L27/2463 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1683

    摘要： A phase change memory device and method of manufacturing the same is provided. A first electrode having a first surface is provided on a substrate. A second electrode having a second surface at a different level from the first surface is on the substrate. The second electrode may be spaced apart from the first electrode. A third electrode may be formed corresponding to the first electrode. A fourth electrode may be formed corresponding to the second electrode. A first phase change pattern may be interposed between the first surface and the third electrode. A second phase change pattern may be interposed between the second surface and the fourth electrode. Upper surfaces of the first and second phase change patterns may be on the same plane.

    摘要翻译： 提供了一种相变存储器件及其制造方法。 具有第一表面的第一电极设置在基板上。 具有与第一表面不同的第二表面的第二电极在基板上。 第二电极可以与第一电极间隔开。 可以对应于第一电极形成第三电极。 可以对应于第二电极形成第四电极。 可以在第一表面和第三电极之间插入第一相变图案。 可以在第二表面和第四电极之间插入第二相变图案。 第一和第二相变图案的上表面可以在同一平面上。

    Phase-changeable memory device and method of manufacturing the same
    4.
    发明授权
    Phase-changeable memory device and method of manufacturing the same 有权
    相变存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US07563639B2

    公开(公告)日：2009-07-21

    申请号：US11733131

    申请日：2007-04-09

    申请人： Hee-Ju Shin ,  Jong-Chan Shin ,  Soon-Oh Park ,  Hyeong-Geun An ,  Han-Bong Ko

    发明人： Hee-Ju Shin ,  Jong-Chan Shin ,  Soon-Oh Park ,  Hyeong-Geun An ,  Han-Bong Ko

    IPC分类号： H01L21/06

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

    摘要： In a semiconductor memory device and a method of manufacturing the same, an insulating layer is formed on a substrate having a logic region on which a first pad is provided and a cell region on which a second pad and a lower electrode are subsequently provided. The insulating layer is etched to be a first insulating layer pattern having a first opening exposing the first pad. A first plug is formed in the first opening. The first insulating layer pattern where the first plug is formed is etched to be a second insulating layer pattern having a second opening exposing the lower electrode. A second plug including a phase-changeable material is formed in the second opening. A conductive wire and an upper electrode are formed on the first plug and the second plug, respectively.

    摘要翻译： 在半导体存储器件及其制造方法中，在具有设置有第一焊盘的逻辑区域的衬底上形成绝缘层，并且随后设置有第二焊盘和下电极的单元区域。 绝缘层被蚀刻成具有第一开口的第一绝缘层图案，该第一开口露出第一焊盘。 第一插头形成在第一开口中。 将形成有第一插塞的第一绝缘层图案蚀刻成具有暴露下电极的第二开口的第二绝缘层图案。 包括相变材料的第二插头形成在第二开口中。 导线和上电极分别形成在第一插头和第二插头上。

    METHODS OF FORMING CONTACT STRUCTURES AND SEMICONDUCTOR DEVICES FABRICATED USING CONTACT STRUCTURES
    10.
    发明申请
    METHODS OF FORMING CONTACT STRUCTURES AND SEMICONDUCTOR DEVICES FABRICATED USING CONTACT STRUCTURES 有权
    形成接触结构的方法和使用接触结构织造的半导体器件

    公开(公告)号：US20100144138A1

    公开(公告)日：2010-06-10

    申请号：US12627810

    申请日：2009-11-30

    申请人： Young-Lim Park ,  Hyeong-Geun An ,  Gyu-Hwan Oh ,  Dong-Ho Ahn ,  Jin-Il Lee

    发明人： Young-Lim Park ,  Hyeong-Geun An ,  Gyu-Hwan Oh ,  Dong-Ho Ahn ,  Jin-Il Lee

    IPC分类号： H01L21/768

    CPC分类号： H01L21/76816 ,  H01L27/24

    摘要： Provided are methods of forming contact structures and semiconductor devices fabricated using the contact structures. The formation of a contact structure can include forming a first molding pattern on a substrate, forming an insulating layer to cover at least a sidewall of the first molding pattern, forming a second molding pattern to cover a sidewall of the insulating layer and spaced apart from the first molding pattern, removing a portion of the insulating layer between the first and second molding patterns to form a hole, and forming an insulating pattern between the first and second molding patterns, and forming a contact pattern in the hole.

    摘要翻译： 提供了形成使用接触结构制造的接触结构和半导体器件的方法。 接触结构的形成可以包括在基底上形成第一模制图案，形成绝缘层以覆盖至少第一模制图案的侧壁，形成第二模制图案以覆盖绝缘层的侧壁并与 第一模制图案，去除第一和第二模制图案之间的绝缘层的一部分以形成孔，并且在第一和第二模制图案之间形成绝缘图案，并在孔中形成接触图案。