公开(公告)号：US20120205242A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13501061

申请日：2010-09-28

申请人： Tomoya Tamura ,  Hideo Takami ,  Masakatsu Ikisawa ,  Masaru Sakamoto ,  Ryo Suzuki

发明人： Tomoya Tamura ,  Hideo Takami ,  Masakatsu Ikisawa ,  Masaru Sakamoto ,  Ryo Suzuki

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/14

CPC分类号： H01L31/0322 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/3414 ,  Y02E10/541

摘要： A quaternary alloy sputtering target made of copper (Cu), indium (In), gallium (Ga) and selenium (Se), wherein the Cu—In—Ga—Se sputtering target has a composition that is represented by a composition formula of CuIn1−xGaxSe2−y (provided that x and y respectively represent atomic ratios), a composition range of 0

摘要翻译： 由铜（Cu），铟（In），镓（Ga）和硒（Se）制成的四元合金溅射靶，其中Cu-In-Ga-Se溅射靶具有由CuIn1组成式表示的组成 -xGaxSe2-y（假设x和y分别表示原子比），组成范围为0

公开(公告)号：US20120286219A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：US13519208

申请日：2010-12-03

申请人： Masakatsu Ikisawa ,  Hideo Takami ,  Tomoya Tamura

发明人： Masakatsu Ikisawa ,  Hideo Takami ,  Tomoya Tamura

IPC分类号： C23C14/34 ,  H01B1/22

CPC分类号： C23C14/0623 ,  C23C14/0629 ,  C23C14/3414 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： The present invention provides a sputtering target which comprises an alkali metal, a Ib group element, a IIIb group element, and a VIb group element, and has a chalcopyrite crystal structure. Provided is a sputtering target comprising Ib-IIIb-VIb group elements and having a chalcopyrite crystal structure, which is suitable for producing, via a single sputtering process, a light-absorbing layer comprising the Ib-IIIb-VIb group elements and having the chalcopyrite crystal structure.

摘要翻译： 本发明提供一种溅射靶，其包含碱金属，Ib族元素，IIIb族元素和VIb族元素，并且具有黄铜矿晶体结构。 提供了包含Ib-IIIb-VIb族元素并且具有黄铜矿晶体结构的溅射靶，其适于通过单次溅射工艺制造包含Ib-IIIb-VIb族元素并具有黄铜矿的光吸收层 晶体结构。

公开(公告)号：US20120043509A1

公开(公告)日：2012-02-23

申请号：US13318172

申请日：2010-09-30

申请人： Hideo Takami ,  Masakatsu Ikisawa

发明人： Hideo Takami ,  Masakatsu Ikisawa

IPC分类号： H01B1/08 ,  C23C14/08 ,  H05K3/06 ,  C23C14/34

CPC分类号： H01B1/08 ,  C04B35/01 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9653 ,  C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3414

摘要： An indium oxide sintered compact containing zirconium as an additive, wherein the ratio of atomic concentration of zirconium to the sum of the atomic concentration of indium and the atomic concentration of zirconium is in the range of 0.5 to 4%, the relative density is 99.3% or higher, and the bulk resistance is 0.5 mΩ·cm or less. This invention aims to provide an indium oxide transparent conductive film of high transmittance in the visible light region and the infrared region, with low film resistivity, and in which the crystallization temperature can be controlled, as well as the manufacturing method thereof, and an oxide sintered compact for use in producing such transparent conductive film.

摘要翻译： 一种含有锆作为添加剂的氧化铟烧结体，其中锆的原子浓度与铟的原子浓度之和与锆的原子浓度之比在0.5〜4％的范围内，相对密度为99.3％ 以上，体积电阻为0.5mΩ，OHgr·cm以下。 本发明的目的是提供一种在可见光区域和红外区域具有低透射率的氧化铟透明导电膜，其膜电阻率低，并且其中可以控制结晶温度及其制造方法，以及氧化物 用于制造这种透明导电膜的烧结体。

公开(公告)号：US09663405B2

公开(公告)日：2017-05-30

申请号：US13375404

申请日：2010-05-28

申请人： Masakatsu Ikisawa ,  Masataka Yahagi ,  Kozo Osada ,  Takashi Kakeno ,  Hideo Takami

发明人： Masakatsu Ikisawa ,  Masataka Yahagi ,  Kozo Osada ,  Takashi Kakeno ,  Hideo Takami

IPC分类号： C04B35/453 ,  C01G15/00 ,  C04B35/626 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01B1/08

CPC分类号： C04B35/453 ,  C01G15/006 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62675 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/724 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01B1/08

摘要： An oxide sintered compact made of indium (In), gallium (Ga), zinc (Zn) and oxygen (O) and represented by a formula of InxGayZnzOa [wherein x/(x+y) is 0.2 to 0.8, z/(x+y+z) is 0.1 to 0.5, and a=(3/2)x+(3/2)y+z], wherein the concentration of volatile impurities contained in the oxide sintered compact is 20 ppm or less. Provided is technology for application to the production of an IGZO target capable of achieving high densification and low bulk resistance of the sputtering target, preventing swelling and cracks of the target during the production process, minimizing the generation of nodules, inhibiting abnormal discharge, and enabling DC sputtering.

公开(公告)号：US09214253B2

公开(公告)日：2015-12-15

申请号：US13499712

申请日：2010-10-13

申请人： Masakatsu Ikisawa ,  Hideo Takami

发明人： Masakatsu Ikisawa ,  Hideo Takami

IPC分类号： H01B1/08 ,  C03C17/245 ,  C04B35/01 ,  C04B35/626 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C30/00

CPC分类号： H01B1/08 ,  C03C17/245 ,  C04B35/01 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62635 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/9653 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  C23C30/00

摘要： A sintered indium oxide comprising niobium as an additive, wherein the ratio of the number of niobium atoms relative to the total number of atoms of all metal elements contained in the sintered compact is within a range of 1 to 4%, the relative density is 98% or higher, and the bulk resistance is 0.9 mΩ·cm or less. Provided are a sintered compact of indium oxide system and a transparent conductive film of indium oxide system, which have characteristics of high transmittance in the short wavelength and long wavelength ranges since the carrier concentration is not too high even though the resistivity thereof is low.

摘要翻译： 一种包含铌作为添加剂的烧结氧化铟，其中铌原子数相对于烧结体中所含的全部金属元素的总原子数的比例在1〜4％的范围内，相对密度为98 ％以上，体积电阻为0.9mΩ，OHgr·cm以下。 提供了氧化铟系的烧结体和氧化铟系的透明导电膜，其具有在短波长和长波长范围内具有高透射率的特性，因为即使电阻率低，载流子浓度也不太高。

公开(公告)号：US08771557B2

公开(公告)日：2014-07-08

申请号：US13318172

申请日：2010-09-30

申请人： Hideo Takami ,  Masakatsu Ikisawa

发明人： Hideo Takami ,  Masakatsu Ikisawa

IPC分类号： H01B1/08 ,  B05D5/12 ,  C23C14/08

CPC分类号： H01B1/08 ,  C04B35/01 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9653 ,  C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3414

摘要： An indium oxide sintered compact containing zirconium as an additive, wherein the ratio of atomic concentration of zirconium to the sum of the atomic concentration of indium and the atomic concentration of zirconium is in the range of 0.5 to 4%, the relative density is 99.3% or higher, and the bulk resistance is 0.5 mΩ·cm or less. This invention aims to provide an indium oxide transparent conductive film of high transmittance in the visible light region and the infrared region, with low film resistivity, and in which the crystallization temperature can be controlled, as well as the manufacturing method thereof, and an oxide sintered compact for use in producing such transparent conductive film.

摘要翻译： 一种含有锆作为添加剂的氧化铟烧结体，其中锆的原子浓度与铟的原子浓度之和与锆的原子浓度之比在0.5〜4％的范围内，相对密度为99.3％ 以上，体积电阻为0.5mΩ，OHgr·cm以下。 本发明的目的是提供一种在可见光区域和红外区域具有低透射率的氧化铟透明导电膜，其膜电阻率低，并且其中可以控制结晶温度及其制造方法，以及氧化物 用于制造这种透明导电膜的烧结体。

公开(公告)号：US20120103804A1

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：US13375404

申请日：2010-05-28

申请人： Masakatsu Ikisawa ,  Masataka Yahagi ,  Kozo Osada ,  Takashi Kakeno ,  Hideo Takami

发明人： Masakatsu Ikisawa ,  Masataka Yahagi ,  Kozo Osada ,  Takashi Kakeno ,  Hideo Takami

IPC分类号： C23C14/08 ,  H01L21/34

CPC分类号： C04B35/453 ,  C01G15/006 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62675 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/724 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01B1/08

摘要： An oxide sintered compact made of indium (In), gallium (Ga), zinc (Zn) and oxygen (O) and represented by a formula of InxGayZnzOa [wherein x/(x+y) is 0.2 to 0.8, z/(x+y+z) is 0.1 to 0.5, and a=(3/2)x+(3/2)y+z], wherein the concentration of volatile impurities contained in the oxide sintered compact is 20 ppm or less. Provided is technology for application to the production of an IGZO target capable of achieving high densification and low bulk resistance of the sputtering target, preventing swelling and cracks of the target during the production process, minimizing the generation of nodules, inhibiting abnormal discharge, and enabling DC sputtering.

摘要翻译： 由铟（In），镓（Ga），锌（Zn）和氧（O）制成并由式InxGayZnzOa表示的氧化物烧结体[其中x /（x + y）为0.2〜0.8，z /（x + y + z）为0.1〜0.5，a =（3/2）x +（3/2）y + z]，其中，所述氧化物烧结体中含有的挥发性杂质的浓度为20ppm以下。 提供了用于生产能够实现溅射靶的高致密化和低体积电阻的IGZO靶的技术，在生产过程中防止靶的膨胀和裂纹，使结节的产生最小化，抑制异常放电，并使能 DC溅射。

公开(公告)号：US20120199796A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：US13499712

申请日：2010-10-13

申请人： Masakatsu Ikisawa ,  Hideo Takami

发明人： Masakatsu Ikisawa ,  Hideo Takami

IPC分类号： H01B1/02

CPC分类号： H01B1/08 ,  C03C17/245 ,  C04B35/01 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62635 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/9653 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  C23C30/00

摘要： A sintered indium oxide comprising niobium as an additive, wherein the ratio of the number of niobium atoms relative to the total number of atoms of all metal elements contained in the sintered compact is within a range of 1 to 4%, the relative density is 98% or higher, and the bulk resistance is 0.9 mΩ·cm or less. Provided are a sintered compact of indium oxide system and a transparent conductive film of indium oxide system, which have characteristics of high transmittance in the short wavelength and long wavelength ranges since the carrier concentration is not too high even though the resistivity thereof is low.

摘要翻译： 一种包含铌作为添加剂的烧结氧化铟，其中铌原子数相对于烧结体中所含的全部金属元素的总原子数的比例在1〜4％的范围内，相对密度为98 ％以上，体积电阻为0.9mΩ，OHgr·cm以下。 提供了氧化铟系的烧结体和氧化铟系的透明导电膜，其具有在短波长和长波长范围内具有高透射率的特性，因为即使电阻率低，载流子浓度也不太高。

公开(公告)号：US08252206B2

公开(公告)日：2012-08-28

申请号：US12666306

申请日：2008-06-13

申请人： Masakatsu Ikisawa ,  Masataka Yahagi ,  Kozo Osada ,  Takashi Kakeno

发明人： Masakatsu Ikisawa ,  Masataka Yahagi ,  Kozo Osada ,  Takashi Kakeno

IPC分类号： H01B1/08

CPC分类号： C23C14/086 ,  C04B35/457 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/63416 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/5806

摘要： Provided is an amorphous film comprised substantially of indium, tin, magnesium and oxygen, and containing tin at a ratio of 5 to 15% based on an atomicity ratio of Sn/(In+Sn+Mg) and magnesium at a ratio of 0.1 to 2.0% based on an atomicity ratio of Mg/(In+Sn+Mg) with remnant being indium and oxygen, and having a film resistivity of 0.4 mΩcm or less as a result of crystallizing the film by annealing the film at a temperature of 260° C. or lower. An amorphous ITO thin film for use as a display electrode and the like in flat panel displays is obtained by way of sputter deposition without heating the substrate and without the need of adding water during the deposition. This amorphous ITO film has the property of being crystallized by annealing at 260° C. or lower, which is not such a high temperature, and having low resistivity after crystallization. Also provided are a method of producing the film and a sintered compact for producing the film.

摘要翻译： 本发明提供一种非晶膜，其基本上由铟，锡，镁和氧组成，并且以Sn /（In + Sn + Mg）和镁的原子比为5〜15％，比例为0.1〜 基于与残留物为铟和氧的Mg /（In + Sn + Mg）的原子数比为2.0％，并且由于通过在温度下退火该膜而使膜结晶而导致膜电阻率为0.4mΩ/ 为260℃以下。 在平板显示器中用作显示电极等的非晶ITO薄膜通过溅射沉积而不加热基板而不需要在沉积期间加入水来获得。 该非晶ITO膜具有通过在260℃以下的退火而结晶化的特性，该温度不是这样高的温度，结晶后的电阻率低。 还提供了制造该膜的方法和用于制造该膜的烧结体。

公开(公告)号：US20120319057A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：US13592520

申请日：2012-08-23

申请人： Masakatsu Ikisawa ,  Masataka Yahagi ,  Kozo Osada ,  Takashi Kakeno

发明人： Masakatsu Ikisawa ,  Masataka Yahagi ,  Kozo Osada ,  Takashi Kakeno

IPC分类号： H01B1/08

CPC分类号： C23C14/086 ,  C04B35/01 ,  C04B35/457 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/63416 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/5806

摘要： An amorphous film comprising indium, tin, calcium and oxygen, wherein tin is contained at a ratio of 5 to 15% based on an atomicity ratio of Sn/(In+Sn+Ca) and calcium is contained at a ratio of 0.1 to 2.0% based on an atomicity ratio of Ca/(In+Sn+Ca), and remnant is indium and oxygen, is provided. The film can be crystallized by annealing at 260° C. or lower in which resistivity of the film will be 0.4 mΩcm or less. In this manner, an ITO thin film for use as a display electrode or the like in a flat panel display can be made into an amorphous ITO film by way of sputter deposition without heating the substrate or adding water during deposition. This ITO film can be crystallized by annealing at a low temperature and will have low resistivity. Methods of producing such films and sintered compacts are provided.

摘要翻译： 包含铟，锡，钙和氧的非晶膜，其中锡以Sn /（In + Sn + Ca）原子数比为5〜15％，钙含量为0.1〜2.0的比例 基于Ca /（In + Sn + Ca）的原子数比，并且残留物是铟和氧。 膜可以在260℃以下的退火下进行结晶化，其中膜的电阻率为0.4mΩ/ cm以下。 以这种方式，在平板显示器中用作显示电极等的ITO薄膜可以通过溅射沉积而不加热基板或在沉积期间加水来制成非晶ITO膜。 该ITO膜可以通过在低温退火而结晶，并且具有低电阻率。 提供制造这种膜和烧结体的方法。