公开(公告)号：US06365429B1

公开(公告)日：2002-04-02

申请号：US09276856

申请日：1999-03-26

申请人： Michael A. Kneissl ,  David P. Bour ,  Ping Mei ,  Linda T. Romano

发明人： Michael A. Kneissl ,  David P. Bour ,  Ping Mei ,  Linda T. Romano

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01L21/6835 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/2007 ,  H01L27/153 ,  H01L33/0079 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2924/01079 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4025 ,  H01S5/4031

摘要： A method for placing nitride laser diode arrays on a thermally conducting substrate is described. The method uses an excimer laser to detach the nitride laser diode from the sapphire growth substrate after an intermediate substrate has been attached to the side opposite the sapphire substrate. A thermally conducting substrate is subsequently bonded to the side where the sapphire substrate was removed.

摘要翻译： 描述了将氮化物激光二极管阵列放置在导热衬底上的方法。 该方法使用准分子激光器在将中间衬底附着到与蓝宝石衬底相对的一侧附近后从蓝宝石生长衬底分离氮化物激光二极管。 导热衬底随后与去除蓝宝石衬底的一侧接合。

公开(公告)号：US06285698B1

公开(公告)日：2001-09-04

申请号：US09160324

申请日：1998-09-25

申请人： Linda T. Romano ,  Daniel Hofstetter ,  Thomas L. Paoli

发明人： Linda T. Romano ,  Daniel Hofstetter ,  Thomas L. Paoli

IPC分类号： H01S500

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/12 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

摘要： Group III-V nitride semiconductors are used as light emitters for optoelectronic devices. To provide the desired range of bandgaps and band offsets in heterostructure devices, InGaN layers have to be grown. InGaN layers are difficult to grow because poor lattice mismatch between group III-V nitride alloys. Thus, a plurality of gratings or grooves are formed in the group III-V nitride layer in order to relieve strain between the group III-V nitride layer and the active region. The plurality of gratings allows segregation of In in a manner that optimizes the wavelength of light produced.

摘要翻译： III-V族氮化物半导体用作光电器件的发光体。 为了在异质结构器件中提供期望的带隙和带偏移范围，必须生长InGaN层。 InGaN层难以生长，因为III-V族氮化物合金之间的晶格失配不良。 因此，为了减轻III-V族氮化物层和活性区域之间的应变，在III-V族氮化物层中形成多个光栅或沟槽。 多个光栅允许以优化产生的光的波长的方式分离In。

公开(公告)号：US5977612A

公开(公告)日：1999-11-02

申请号：US770403

申请日：1996-12-20

申请人： David P. Bour ,  Fernando A. Ponce ,  G. A. Neville Connell ,  Ross D. Bringans ,  Noble M. Johnson ,  Werner K. Goetz ,  Linda T. Romano

发明人： David P. Bour ,  Fernando A. Ponce ,  G. A. Neville Connell ,  Ross D. Bringans ,  Noble M. Johnson ,  Werner K. Goetz ,  Linda T. Romano

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01L29/201 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L29/201 ,  H01L33/16 ,  H01S5/34333

摘要： The present invention relates to electronic devices formed in crystallites of III-V nitride materials. Specifically, the present invention simplifies the processing technology required for the fabrication of high-performance electronic devices in III-V nitride materials.

摘要翻译： 本发明涉及以III-V族氮化物材料微晶形成的电子器件。 具体地说，本发明简化了在III-V族氮化物材料中制造高性能电子器件所需的加工技术。