公开(公告)号：US20130181723A1

公开(公告)日：2013-07-18

申请号：US13350601

申请日：2012-01-13

申请人： Anton Mauder ,  Franz Hirler

发明人： Anton Mauder ,  Franz Hirler

IPC分类号： G01R35/00

CPC分类号： G01R19/0092 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7815 ,  H01L2924/0002 ,  H03K2217/0027 ,  H01L2924/00

摘要： A circuit arrangement includes a load transistor and a sense transistor. The first load terminal of the load transistor is coupled to the first load terminal of the sense transistor. A measurement circuit comprising a current source configured to provide a calibration current, the measurement circuit configured to measure a first voltage between the first load terminal and the second load terminal of the sense transistor in the on-state of the sense transistor, to determine a resistance of the sense transistor based on the calibration current and the first voltage, to measure a second voltage between the first load terminal and the second load terminal of the load transistor in the on-state of the load transistor, and to determine a load current through the load transistor based on the resistance of the sense transistor and the second voltage.

摘要翻译： 电路装置包括负载晶体管和感测晶体管。 负载晶体管的第一负载端子耦合到感测晶体管的第一负载端子。 一种测量电路，包括被配置为提供校准电流的电流源，所述测量电路被配置为在所述感测晶体管的导通状态下测量所述感测晶体管的所述第一负载端子和所述第二负载端子之间的第一电压，以确定 基于校正电流和第一电压的感测晶体管的电阻，在负载晶体管的导通状态下测量负载晶体管的第一负载端子和第二负载端子之间的第二电压，并且确定负载电流 通过基于感测晶体管的电阻和第二电压的负载晶体管。

公开(公告)号：US08466492B1

公开(公告)日：2013-06-18

申请号：US13362005

申请日：2012-01-31

申请人： Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Franz Hirler

发明人： Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Franz Hirler

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/405 ,  H01L29/408 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor body including a first surface, an inner region and an edge region, a first doped device region of a first doping type in the inner region and the edge region, a second device region forming a device junction in the inner region with the first device region, and a plurality of at least two dielectric regions extending from the first surface into the semiconductor body. Two dielectric regions that are adjacent in a lateral direction of the semiconductor body are separated by a semiconductor mesa region. The semiconductor device further includes a resistive layer connected to the second device region and connected to at least one semiconductor mesa region.

摘要翻译： 半导体器件包括半导体本体，其包括第一表面，内部区域和边缘区域，在内部区域和边缘区域中的第一掺杂型的第一掺杂器件区域，在内部形成器件结的第二器件区域 具有第一器件区域的区域，以及从第一表面延伸到半导体本体中的多个至少两个电介质区域。 在半导体本体的横向相邻的两个电介质区域被半导体台面区域隔开。 半导体器件还包括连接到第二器件区并连接到至少一个半导体台面区的电阻层。

公开(公告)号：US20130056731A1

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：US13227206

申请日：2011-09-07

申请人： Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Hans Peter Felsl ,  Hans-Joachim Schulze

发明人： Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Hans Peter Felsl ,  Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L21/02576 ,  H01L21/302 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor diode. The semiconductor diode includes a drift region and a first semiconductor region of a first conductivity type formed in or on the drift region. The first semiconductor region is electrically coupled to a first terminal via a first surface of a semiconductor body. The semiconductor diode includes a channel region of a second conductivity type electrically coupled to the first terminal, wherein a bottom of the channel region adjoins the first semiconductor region. A first side of the channel region adjoins the first semiconductor region.

摘要翻译： 半导体器件包括半导体二极管。 半导体二极管包括形成在漂移区中或漂移区上的漂移区和第一导电类型的第一半导体区。 第一半导体区域经由半导体本体的第一表面电耦合到第一端子。 半导体二极管包括电耦合到第一端子的第二导电类型的沟道区，其中沟道区的底部与第一半导体区相邻。 沟道区的第一侧邻接第一半导体区。

公开(公告)号：US20130037906A1

公开(公告)日：2013-02-14

申请号：US13205759

申请日：2011-08-09

申请人： Franz Hirler ,  Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze

发明人： Franz Hirler ,  Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L29/0649 ,  H01L21/761 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/868

摘要： A semiconductor device having a semiconductor die is provided. The semiconductor die includes a main horizontal surface, an outer edge, an active area, and a peripheral area. The peripheral area includes a dielectric structure surrounding the active area and extending from the main horizontal surface into the semiconductor die. The dielectric structure includes, in a horizontal cross-section, at least one substantially L-shaped portion that is inclined against the outer edge. Further, a method for forming a semiconductor device is provided.

摘要翻译： 提供具有半导体管芯的半导体器件。 半导体管芯包括主水平表面，外边缘，有效区域和周边区域。 周边区域包括围绕有源区域并从主水平表面延伸到半导体管芯中的电介质结构。 电介质结构在水平截面中包括至少一个相对于外边缘倾斜的大致L形的部分。 此外，提供了一种用于形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：US20120286355A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：US13542737

申请日：2012-07-06

申请人： Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Wolfgang Lehnert ,  Rudolf Berger ,  Klemens Pruegl ,  Hans-Joachim Schulze ,  Helmut Strack

发明人： Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Wolfgang Lehnert ,  Rudolf Berger ,  Klemens Pruegl ,  Hans-Joachim Schulze ,  Helmut Strack

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/302 ,  H01L29/02

CPC分类号： H01L21/28194 ,  H01L21/02109 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/0228 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/408 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7394 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/792 ,  H01L29/8611

摘要： A power semiconductor device has a semiconductor body which includes an active area and a peripheral area which both define a horizontal main surface of the semiconductor body. The semiconductor body further includes an n-type semiconductor layer, a pn junction and at least one trench. The n-type semiconductor layer is embedded in the semiconductor body and extends to the main surface in the peripheral area. The pn junction is arranged between the n-type semiconductor layer and the main surface in the active area. The at least one trench extends in the peripheral area from the main surface into the n-type semiconductor layer and includes a dielectric layer with fixed negative charges. In the vertical direction, the dielectric layer is arranged both below and above the pn junction. The dielectric layer with fixed negative charges typically has a negative net charge. Further, a method for forming a semiconductor device is provided.

摘要翻译： 功率半导体器件具有半导体本体，该半导体本体包括有源区域和限定半导体本体的水平主表面的周边区域。 半导体本体还包括n型半导体层，pn结和至少一个沟槽。 n型半导体层嵌入半导体本体中并延伸到周边区域的主表面。 pn结布置在有源区域中的n型半导体层和主表面之间。 至少一个沟槽在外围区域中从主表面延伸到n型半导体层中，并且包括具有固定的负电荷的电介质层。 在垂直方向上，介电层布置在pn结的下方和上方。 具有固定负电荷的电介质层通常具有负的净电荷。 此外，提供了一种用于形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：US08198678B2

公开(公告)日：2012-06-12

申请号：US12633956

申请日：2009-12-09

申请人： Anton Mauder ,  Rudolf Berger ,  Franz Hirler ,  Ralf Siemieniec ,  Hans-Joachim Schulze

发明人： Anton Mauder ,  Rudolf Berger ,  Franz Hirler ,  Ralf Siemieniec ,  Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66719 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/407 ,  H01L29/408 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

摘要： A semiconductor device includes a source, a drain, and a gate configured to selectively enable a current to pass between the source and the drain. The semiconductor device includes a drift zone between the source and the drain and a first field plate adjacent the drift zone. The semiconductor device includes a dielectric layer electrically isolating the first field plate from the drift zone and charges within the dielectric layer close to an interface of the dielectric layer adjacent the drift zone.

摘要翻译： 半导体器件包括源极，漏极和被配置为选择性地使电流在源极和漏极之间通过的栅极。 半导体器件包括源极和漏极之间的漂移区和邻近漂移区的第一场板。 半导体器件包括将第一场板与漂移区电隔离的电介质层，并且电介质层内的电荷接近靠近漂移区的电介质层的界面。

公开(公告)号：US20120091457A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US13332505

申请日：2011-12-21

申请人： Joachim Weyers ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Paul Kuepper

发明人： Joachim Weyers ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Paul Kuepper

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L29/47

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/402 ,  H01L29/405 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7817 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648

摘要： A semiconductor arrangement is disclosed. One embodiment includes a first semiconductor layer including a first and second component zone that form a pn-junction or a Schottky-junction. A second semiconductor layer includes a drift control zone adjacent to the second component zone. A dielectric layer separates the first semiconductor layer from the second semiconductor layer. A rectifying element is coupled between the drift control zone and the second component zone.

摘要翻译： 公开了一种半导体装置。 一个实施例包括包括形成pn结或肖特基结的第一和第二组分区的第一半导体层。 第二半导体层包括与第二组分区相邻的漂移控制区。 电介质层将第一半导体层与第二半导体层分开。 整流元件耦合在漂移控制区和第二组分区之间。

公开(公告)号：US20110133272A1

公开(公告)日：2011-06-09

申请号：US12633956

申请日：2009-12-09

申请人： Anton Mauder ,  Rudolf Berger ,  Franz Hirler ,  Ralf Siemieniec ,  Hans-Joachim Schulze

发明人： Anton Mauder ,  Rudolf Berger ,  Franz Hirler ,  Ralf Siemieniec ,  Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66719 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/407 ,  H01L29/408 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

摘要： A semiconductor device includes a source, a drain, and a gate configured to selectively enable a current to pass between the source and the drain. The semiconductor device includes a drift zone between the source and the drain and a first field plate adjacent the drift zone. The semiconductor device includes a dielectric layer electrically isolating the first field plate from the drift zone and charges within the dielectric layer close to an interface of the dielectric layer adjacent the drift zone.

摘要翻译： 半导体器件包括源极，漏极和被配置为选择性地使电流在源极和漏极之间通过的栅极。 半导体器件包括源极和漏极之间的漂移区和邻近漂移区的第一场板。 半导体器件包括将第一场板与漂移区电隔离的电介质层，并且电介质层内的电荷接近靠近漂移区的电介质层的界面。

公开(公告)号：US20100078775A1

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：US12241985

申请日：2008-09-30

申请人： Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Armin Willmeroth ,  Michael Rueb ,  Holger Kapels

发明人： Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Armin Willmeroth ,  Michael Rueb ,  Holger Kapels

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/36 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7811

摘要： A semiconductor device has a cell field with drift zones of a first type of conductivity and charge carrier compensation zones of a second type of conductivity complementary to the first type. An edge region which surrounds the cell field has a higher blocking strength than the cell field, the edge region having a near-surface area which is undoped to more weakly doped than the drift zones, and beneath the near-surface area at least one buried, vertically extending complementarily doped zone is positioned.

摘要翻译： 半导体器件具有具有与第一类型互补的第二导电类型的漂移区和具有第二类型导电性的电荷载体补偿区的电池区。 围绕细胞场的边缘区域具有比细胞场更高的阻挡强度，边缘区域具有未漂移至比漂移区更弱掺杂的近表面区域，并且在近表面区域下方至少有一个埋置 垂直延伸的互补掺杂区定位。

公开(公告)号：US20090322417A1

公开(公告)日：2009-12-31

申请号：US12163037

申请日：2008-06-27

申请人： Franz Hirler ,  Thoralf Kautzsch ,  Anton Mauder

发明人： Franz Hirler ,  Thoralf Kautzsch ,  Anton Mauder

IPC分类号： G05F1/10

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7804 ,  H03K2217/0036

摘要： Disclosed is a semiconductor including a component having a drift zone and a drift control zone. A first connection zone is adjacent to the drift zone and is doped more highly than the drift zone. A drift control zone is arranged adjacent to the drift zone and is coupled to the first connection zone. A drift control zone is dielectric arranged between the drift zone and the drift control zone. At least one rectifier element is arranged between the first connection zone and the drift control zone. A charging circuit is connected to the drift control zone.

摘要翻译： 公开了一种包括具有漂移区和漂移控制区的分量的半导体。 第一连接区域与漂移区相邻，并且掺杂比漂移区更高。 漂移控制区被布置成与漂移区相邻并且耦合到第一连接区。 漂移控制区是介于漂移区和漂移控制区之间的电介质。 至少一个整流元件布置在第一连接区域和漂移控制区域之间。 充电电路连接到漂移控制区。