公开(公告)号：US20050024790A1

公开(公告)日：2005-02-03

申请号：US10630817

申请日：2003-07-29

申请人： Mustafa Pinarbasi

发明人： Mustafa Pinarbasi

IPC分类号： G11B5/127 ,  G11B5/33

CPC分类号： G11B5/127

摘要： A magnetic read head has a current perpendicular to the planes (CPP) sensor with a top cap layer that is ruthenium (Ru) or rhodium (Rh) or a top cap layer structure which includes a first layer of tantulum (Ta) only, a second layer of ruthenium (Ru), rhodium (Rh) or gold (Au) with the first layer being located between a spacer layer and the second layer.

摘要翻译： 磁读头具有垂直于平面（CPP）传感器的电流，其顶盖层为钌（Ru）或铑（Rh）或顶盖层结构，其仅包括第一层（Ta），第 第二层钌（Ru），铑（Rh）或金（Au），其中第一层位于间隔层和第二层之间。

公开(公告)号：US06785101B2

公开(公告)日：2004-08-31

申请号：US09905522

申请日：2001-07-12

申请人： Patrick Rush Webb ,  Mustafa Pinarbasi ,  Richard Hsiao ,  Hardayal Singh Gill

发明人： Patrick Rush Webb ,  Mustafa Pinarbasi ,  Richard Hsiao ,  Hardayal Singh Gill

IPC分类号： G11B533

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/398

摘要： The first and second side surfaces of either a bottom spin valve sensor or a top spin valve sensor are notched so as to enable a reduction in the magnetoresistive coefficient of side portions of the sensor beyond the track width region thereby minimizing side reading by the sensor. The first and second notches of the spin valve sensor are then filled with layers in various embodiments of the invention to complete the spin valve sensor.

摘要翻译： 底部自旋阀传感器或顶部自旋阀传感器的第一和第二侧表面被切口，以便能够将传感器的侧部的磁阻系数降低到轨道宽度区域之外，从而最小化传感器的侧面读数。 然后，在本发明的各种实施例中，自旋阀传感器的第一和第二缺口填充层以完成自旋阀传感器。

公开(公告)号：US06700757B2

公开(公告)日：2004-03-02

申请号：US09753968

申请日：2001-01-02

申请人： Mustafa Pinarbasi

发明人： Mustafa Pinarbasi

IPC分类号： G11B539

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B2005/3996 ,  Y10T29/49021 ,  Y10T29/49032 ,  Y10T29/49036 ,  Y10T29/49043 ,  Y10T29/49044

摘要： A spin valve sensor is provided with a negative ferromagnetic coupling field −HFC for properly biasing a free layer and a spin filter layer is employed between the free layer and a capping layer for increasing the magnetoresistive coefficient dr/R of the spin valve sensor. A top portion of the free layer is oxidized for improving the negative ferromagnetic coupling field −HFC when the spin filter layer is employed for increasing the magnetoresistive coefficient dr/R.

摘要翻译： 自旋阀传感器设置有用于适当地偏置自由层的负铁磁耦合场-HFC，并且在自由层和覆盖层之间采用自旋过滤层，以增加自旋阀传感器的磁阻系数dr / R。 当采用自旋滤波器层来增加磁阻系数dr / R时，自由层的顶部被氧化以改善负的铁磁耦合场-HFC。

公开(公告)号：US06662432B2

公开(公告)日：2003-12-16

申请号：US09753823

申请日：2001-01-02

申请人： Hamid Balamane ,  Dwight Cornwell, Jr. ,  Hardayal Singh Gill ,  Serhat Metin ,  Mustafa Pinarbasi

发明人： Hamid Balamane ,  Dwight Cornwell, Jr. ,  Hardayal Singh Gill ,  Serhat Metin ,  Mustafa Pinarbasi

IPC分类号： G11B5127

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3967 ,  Y10T29/49032 ,  Y10T29/49043 ,  Y10T29/49044 ,  Y10T29/49067

摘要： A free layer for a spin valve sensor includes a cobalt iron (CoFe) film which has an easy axis oriented perpendicular to an air bearing surface (ABS) of a read head and a nickel iron (NiFe) film which has an easy axis oriented parallel to the ABS and parallel to the major planes of the thin film layers. In a further embodiment the free layer is annealed at a high temperature in the presence of a field which is oriented perpendicular to the ABS.

摘要翻译： 用于自旋阀传感器的自由层包括钴铁（CoFe）膜，其具有垂直于读取头的空气轴承表面（ABS）和镍铁（NiFe）膜垂直取向的易磁化轴，其易于轴取向平行 并且平行于薄膜层的主平面。 在另一个实施方案中，自由层在垂直于ABS的场的存在下在高温下退火。

公开(公告)号：US06430013B1

公开(公告)日：2002-08-06

申请号：US09456043

申请日：1999-12-06

申请人： Mustafa Pinarbasi

发明人： Mustafa Pinarbasi

IPC分类号： G11B539

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B2005/3996

摘要： An apparatus is described having a portion of a magnetoresistive structure wherein the portion of the magnetoresistive structure includes an oxide seed layer formed upon a substrate; and, a free layer formed upon the oxide seed layer. The free layer comprises a magnetic barrier layer formed over the oxide seed layer. The free layer comprises a magnetic layer formed over the magnetic barrier layer. The magnetic barrier layer has a thickness that prevents reaction between the magnetic layer and the oxide seed layer.

摘要翻译： 描述了具有磁阻结构的一部分的装置，其中磁阻结构的部分包括形成在基板上的氧化物籽晶层; 以及形成在氧化物种子层上的自由层。 自由层包括形成在氧化物种子层上的磁阻层。 自由层包括形成在磁性阻挡层上的磁性层。 磁阻层具有防止磁性层与氧化物籽晶层反应的厚度。

公开(公告)号：US06381106B1

公开(公告)日：2002-04-30

申请号：US09547440

申请日：2000-04-12

申请人： Mustafa Pinarbasi

发明人： Mustafa Pinarbasi

IPC分类号： G11B539

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3967

摘要： A free layer structure is provided with a first layer of cobalt iron boron (CoFeB) for improving soft magnetic properties of the free layer structure in a top spin valve sensor by decreased uniaxial anisotropy HK, easy axis coercivity HC and hard axis coercivity HCK of the free layer structure. The free layer structure also includes a second layer of nickel iron based material and a third layer of cobalt based material disposed adjacent a nonmagnetic conductive spacer layer of a spin valve sensor.

摘要翻译： 自由层结构设置有第一层钴铁硼（CoFeB），用于通过降低单轴各向异性HK来改善顶部自旋阀传感器中的自由层结构的软磁性能，易轴矫顽力HC和硬轴矫顽力HCK 自由层结构。 自由层结构还包括第二层镍铁基材料和邻近自旋阀传感器的非磁性导电间隔层设置的第三层钴基材料。

公开(公告)号：US06317299B1

公开(公告)日：2001-11-13

申请号：US09505515

申请日：2000-02-17

申请人： Mustafa Pinarbasi

发明人： Mustafa Pinarbasi

IPC分类号： G11B539

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3133 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3932 ,  G11B2005/3996

摘要： A seed layer is provided for a pinning layer which increases the pinning field HPIN between a pinning layer and a pinned layer of a spin valve sensor. In an example the seed layer structure included a first seed layer of cobalt iron boron (CoFeB), a second seed layer of nickel manganese oxide (NiMnO) and a third seed layer of aluminum oxide (Al2O3) with the first seed layer interfacing the pinning layer and the second seed layer being located between the first and third seed layers. A pinning field between the pinning and pinned layers was 600 Oe and the magnetoresistive coefficient of the spin valve sensor was 8.8%. The pinned layer can be a single pinned layer or an antiparallel (AP) pinned layer structure. If the pinned layer structure is a single pinned layer the cobalt iron boron (CoFeB) first seed layer provides a second significant function of at least partially counterbalancing the demagnetizing field from the pinned layer.

摘要翻译： 为钉扎层提供种子层，其增加钉扎层和自旋阀传感器的钉扎层之间的钉扎场HPIN。 在一个实例中，种子层结构包括钴铁硼（CoFeB）的第一晶种层，镍锰氧化物（NiMnO）的第二晶种层和氧化铝（Al 2 O 3）的第三籽晶层，第一籽晶层与钉扎 层，第二种子层位于第一和第三种子层之间。 钉扎和钉扎层之间的钉扎场为600Oe，自旋阀传感器的磁阻系数为8.8％。 被钉扎层可以是单个钉扎层或反平行（AP）钉扎层结构。 如果被钉扎层结构是单个钉扎层，则钴铁硼（CoFeB）第一籽晶层提供了至少部分平衡去磁场与被钉扎层的第二显着功能。

公开(公告)号：US06306266B1

公开(公告)日：2001-10-23

申请号：US09574682

申请日：2000-05-17

申请人： Serhat Metin ,  Mustafa Pinarbasi ,  Patrick Rush Webb

发明人： Serhat Metin ,  Mustafa Pinarbasi ,  Patrick Rush Webb

IPC分类号： C23C1434

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996

摘要： A method constructs first and second seed layers of a seed layer structure in-situ for a top spin valve sensor for increasing magnetoresistive coefficient dr/R of the sensor, reducing a ferromagnetic coupling field HFC between pinned and free layers of the sensor and reducing coercivity HC of the free layer. The first layer, which is aluminum oxide (Al2O3), is ion beam sputter deposited on a first shield layer in a sputtering chamber under a specified pressure. The second seed layer, which is nickel oxide based, is deposited on the first seed layer by ion beam sputter deposition without breaking the vacuum of the chamber. The free layer is then directly deposited on the second seed layer followed by formation of the remainder of the layers of the spin valve sensor. In one embodiment of the invention a read gap layer and the first seed layer are located between a first shield layer and the second seed layer while in the second embodiment of the invention the first seed layer is the only layer between the first shield layer and the second seed layer.

摘要翻译： 一种方法为顶部自旋阀传感器原位构建种子层结构的第一种子层和第二种子层，用于增加传感器的磁阻系数dr / R，从而减小传感器的固定层和自由层之间的铁磁耦合场HFC，并降低矫顽力 HC的自由层。 作为氧化铝（Al 2 O 3）的第一层是在特定压力下溅射沉积在溅射室中的第一屏蔽层上的离子束。 基于氧化镍的第二种子层通过离子束溅射沉积而沉积在第一籽晶层上，而不破坏室的真空。 然后将自由层直接沉积在第二种子层上，随后形成自旋阀传感器的其余层。 在本发明的一个实施例中，读间隙层和第一种子层位于第一屏蔽层和第二种子层之间，而在本发明的第二实施例中，第一种子层是第一屏蔽层和第二屏蔽层之间的唯一层 第二种子层。

公开(公告)号：US06282068B1

公开(公告)日：2001-08-28

申请号：US09280498

申请日：1999-03-30

申请人： Mustafa Pinarbasi

发明人： Mustafa Pinarbasi

IPC分类号： G11B539

CPC分类号： B82Y25/00 ,  G11B20/10 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3295

摘要： First and second antiparallel (AP) pinned layers of an AP pinned layer structure are cobalt iron (CoFe) which increases the GMR (magnetoresistive coefficient dr/R) of a spin valve sensor by 10% with improved magnetic stability over a spin valve sensor where the first and second AP pinned layers are cobalt (Co).

摘要翻译： AP钉扎层结构的第一和第二反平行（AP）钉扎层是钴铁（CoFe），其将自旋阀传感器的GMR（磁阻系数dr / R）增加10％，并且在自旋阀传感器上具有改善的磁稳定性， 第一和第二AP钉扎层是钴（Co）。

公开(公告)号：US06249406B1

公开(公告)日：2001-06-19

申请号：US08717518

申请日：1996-09-23

申请人： Hardayal Singh Gill ,  Mustafa Pinarbasi

发明人： Hardayal Singh Gill ,  Mustafa Pinarbasi

IPC分类号： G11B5127

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3932 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996

摘要： A high magnetization, high resistivity, low corrosion and near zero magnetostriction soft adjacent layer (SAL) is provided for a magnetoresistive (MR) sensor of a read head. The MR sensor may either be an anisotropic MR (AMR) sensor or a spin valve sensor. In both sensors the SAL is CoHfNb or CoHfNbFe. The Hf is added to reduce corrosion and the Hf and Nb are balanced to provide near zero magnetostriction. The addition of Fe is an enhancer for reducing negative magnetostriction without diluting the magnetism of the alloy. Since CoHfNb has significantly higher magnetization than NiFeCr the SAL layer of CoHfNb can be thinner than the SAL of NiFeCr which results in a significantly higher resistance SAL. The higher resistance SAL equates to less shunting of the sense current through the SAL and better signal performance of the MR read head.

摘要翻译： 为读头的磁阻（MR）传感器提供高磁化，高电阻率，低腐蚀和近零磁致伸缩软相邻层（SAL）。 MR传感器可以是各向异性MR（AMR）传感器或自旋阀传感器。 在两个传感器中，SAL是CoHfNb或CoHfNbFe。 加入Hf以减少腐蚀，并且Hf和Nb平衡以提供接近零的磁致伸缩。 Fe的添加是用于减少负磁致伸缩而不稀释合金磁性的增强剂。 由于CoHfNb具有比NiFeCr显着更高的磁化强度，所以CoHfNb的SAL层可以比NiFeCr的SAL薄，导致显着更高的电阻SAL。 较高的电阻SAL等于通过SAL的感测电流的较少分流和MR读取头的更好的信号性能。