公开(公告)号：US06350684B1

公开(公告)日：2002-02-26

申请号：US09594868

申请日：2000-06-15

申请人： Fuchao Wang ,  Ming Fang

发明人： Fuchao Wang ,  Ming Fang

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L21/28061 ,  H01L29/4933

摘要： A silicide having variable internal metal concentration tuned to surface conditions at the interface between the silicide and adjoining layers is employed within an integrated circuit. Higher silicon/metal (silicon-rich) ratios are employed near the interfaces to adjoining layers to reduce lattice mismatch with underlying polysilicon or overlying oxide, thereby reducing stress and the likelihood of delamination. A lower silicon/metal ratio is employed within an internal region of the silicide, reducing resistivity. The variable silicon/metal ratio is achieved by controlling reactant gas concentrations or flow rates during deposition of the silicide. Thinner suicides with less likelihood of delamination or metal oxidation may thus be formed.

摘要翻译： 在集成电路内采用具有调整到硅化物和相邻层之间的界面处的表面状态的可变内部金属浓度的硅化物。 在靠近相邻层的界面附近使用更高的硅/金属（富硅）比例，以减少与下面的多晶硅或上覆氧化物的晶格失配，从而减少应力和分层的可能性。 在硅化物的内部区域内采用较低的硅/金属比，降低了电阻率。 可变硅/金属比例通过在硅化物沉积期间控制反应气体浓度或流速来实现。 因此可能形成较少的分层或金属氧化的可能性的较小的自杀。

公开(公告)号：US06330353B1

公开(公告)日：2001-12-11

申请号：US08993850

申请日：1997-12-18

申请人： Shang-Hong Lai ,  Ming Fang

发明人： Shang-Hong Lai ,  Ming Fang

IPC分类号： G06K900

CPC分类号： G06T7/001 ,  G06K9/6203 ,  G06T7/30 ,  G06T7/74 ,  G06T2207/30148

摘要： A method for localization refinement of inspection patterns comprises the steps of providing a template image comprising pixels in a pattern, each pixel having an intensity, providing an input image having a same pattern of pixels as the template image and calculating an energy function by weighting a sum of modified optical flow constraints at locations of the pixels of both the template image and the input image to determine a shift and rotation between the pattern of the template image and the input image.

摘要翻译： 一种用于检查图案的定位细化的方法包括以下步骤：提供包括图案中的像素的模板图像，每个像素具有强度，提供具有与模板图像相同的像素图案的输入图像，并通过加权 在模板图像和输入图像的像素的位置处的修改的光流约束的总和以确定模板图像的图案与输入图像之间的偏移和旋转。

公开(公告)号：US06326227B1

公开(公告)日：2001-12-04

申请号：US09223707

申请日：1998-12-30

申请人： Danielle A. Thomas ,  Ming Fang

发明人： Danielle A. Thomas ,  Ming Fang

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： G06K9/00053

摘要： A structure and method for dissipating charges comprising an underlying dielectric layer disposed over capacitor plates of sensor circuitry a gap being formed conformally between adjacent plates and a topographic discharge grid over the underlying dielectric layer and wherein the topographic discharge grid fills at least a portion of the gap between the plates over the dielectric layer and diffuses electrostatic charges at the surface of the integrated circuit.

摘要翻译： 一种用于耗散电荷的结构和方法，包括设置在传感器电路的电容器板之上的下面的介电层，在相邻的板之间保形地形成间隙，并且在下面的介电层上方形成地形放电栅格，并且其中，地形放电栅格填充至少一部分 电介质层之间的间隙，并在集成电路的表面扩散静电电荷。

公开(公告)号：USD444912S1

公开(公告)日：2001-07-10

申请号：US29127992

申请日：2000-08-16

申请人： Zheng Xiong Xie ,  Ming Fang

设计人： Zheng Xiong Xie ,  Ming Fang

公开(公告)号：US5995644A

公开(公告)日：1999-11-30

申请号：US885080

申请日：1997-06-30

申请人： Shang-Hong Lai ,  Ming Fang

发明人： Shang-Hong Lai ,  Ming Fang

IPC分类号： G06K9/32 ,  G06T5/40 ,  G06K9/00

CPC分类号： G06K9/3233 ,  G06T5/007 ,  G06T5/40 ,  G06T5/50 ,  G06T2207/10088 ,  G06T2207/20064 ,  G06T2207/20084 ,  G06T2207/20221

摘要： A system for deriving final display parameters for a wide range of MR images consists of a feature generator utilizing both histogram and spatial information computed from an input MR image, a wavelet transform within the feature generator for compressing the size of the feature vector, a competitive layer based neural network for clustering MR images into different subclasses, a bi-modal linear estimation network and a radial bases function network based non-linear estimator for each subclass, as well as a data fusion system using estimates from both estimators to compute the final display parameters.

摘要翻译： 用于导出广泛MR图像的最终显示参数的系统包括利用从输入MR图像计算的直方图和空间信息的特征生成器，用于压缩特征向量的大小的特征生成器内的小波变换，竞争性的 基于层的神经网络，用于将MR图像聚类成不同的子类，双模式线性估计网络和用于每个子类的径向基函数网络非线性估计器，以及使用来自两个估计器的估计来计算最终的数据融合系统 显示参数。

公开(公告)号：US08925835B2

公开(公告)日：2015-01-06

申请号：US12422690

申请日：2009-04-13

申请人： Ming Fang ,  Fuchao Wang

发明人： Ming Fang ,  Fuchao Wang

IPC分类号： B05B1/24 ,  B41J2/16 ,  B41J2/14

CPC分类号： B41J2/1601 ,  B41J2/14056 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1639 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1643 ,  B41J2/1646 ,  B41J2002/1437 ,  B41J2202/16 ,  Y10T137/6416

摘要： A method that includes forming a chamber in a substrate, forming a silicon layer overlying the chamber, etching the silicon layer to remove selected regions and retain a selected portion overlying the chamber, the selected portion being at a location and having dimensions that correspond to a location and to dimensions of a nozzle, and forming a first metal layer adjacent to the selected portion. The method also includes forming a path in the substrate to expose the chamber concurrently with removing the selected portion of the silicon layer to expose the nozzle, the nozzle being in fluid communication with the path, the chamber, and a surrounding environment.

摘要翻译： 一种方法，其包括在衬底中形成腔室，形成覆盖在所述腔室上的硅层，蚀刻所述硅层以去除所选择的区域并且保持覆盖所述腔室的选定部分，所述选定部分位于并且具有对应于 位置和尺寸，以及形成与选定部分相邻的第一金属层。 该方法还包括在衬底中形成路径以同时去除硅层的选定部分以暴露喷嘴，喷嘴与路径，腔室和周围环境流体连通。

公开(公告)号：US08798448B2

公开(公告)日：2014-08-05

申请号：US12968150

申请日：2010-12-14

申请人： Ming Fang ,  Fuchao Wang

发明人： Ming Fang ,  Fuchao Wang

IPC分类号： F24H1/20

CPC分类号： B81C1/00119 ,  B41J2/14056 ,  B41J2/14072 ,  B41J2/14137 ,  B41J2/16 ,  B41J2/1601 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1639 ,  B81B1/006 ,  B81B2201/052 ,  B81B2201/058 ,  B81C2201/013 ,  B81C2203/075 ,  H01L28/20 ,  Y10T29/41 ,  Y10T29/49401 ,  Y10T29/49826

摘要： An integrated semiconductor heating assembly includes a semiconductor substrate, a chamber formed therein, and an exit port in fluid communication with the chamber, allowing fluid to exit the chamber in response to heating the chamber. The integrated heating assembly includes a first heating element adjacent the chamber, which can generate heat above a selected threshold and bias fluid in the chamber toward the exit port. A second heating element is positioned adjacent the exit port to generate heat above a selected threshold, facilitating movement of the fluid through the exit port away from the chamber. Addition of the second heating element reduces the amount of heat emitted per heating element and minimizes thickness of a heat absorption material toward an open end of the exit port. Since such material is expensive, this reduces the manufacturing cost and retail price of the assembly while improving efficiency and longevity thereof.

摘要翻译： 集成半导体加热组件包括半导体衬底，形成在其中的腔室以及与腔室流体连通的出口，允许流体响应于加热室而离开腔室。 集成加热组件包括邻近腔室的第一加热元件，该第一加热元件可以产生高于选定阈值的热量，并将腔室中的流体朝向出口偏压。 第二加热元件邻近出口定位以产生高于所选阈值的热量，便于流体通过出口远离腔室的运动。 添加第二加热元件减少了每个加热元件发出的热量，并使吸热材料的厚度最小化到出口的开口端。 由于这样的材料是昂贵的，所以这降低了组件的制造成本和零售价格，同时提高了其效率和使用寿命。

公开(公告)号：US20120202489A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：US13447924

申请日：2012-04-16

申请人： Jiyong WANG ,  Yongjun Yu ,  Yang Zhao ,  Ming Fang

发明人： Jiyong WANG ,  Yongjun Yu ,  Yang Zhao ,  Ming Fang

IPC分类号： H04W36/00

CPC分类号： H04W36/0083 ,  H04W16/16 ,  H04W36/00 ,  H04W36/0061 ,  H04W36/0088 ,  H04W48/14 ,  H04W48/16

摘要： The embodiments of the present invention disclose a method for establishing a cell reselection list is provided. A network and a terminal establish frequency indexes for the cell reselection list, so that when a network side delivers an RAT and frequency priority information, the priority information may be delivered according to frequency indexes in a frequency list, thus implementing cell reselection that is based on the priority for the terminal.

摘要翻译： 本发明的实施例公开了一种建立小区重选列表的方法。 网络和终端建立小区重选列表的频率索引，使得当网络侧提供RAT和频率优先级信息时，可以根据频率列表中的频率索引来传送优先级信息，从而实现基于小区重选的小区重选 对终端的优先。

公开(公告)号：US20120168896A1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：US12981383

申请日：2010-12-29

申请人： Ming Fang

发明人： Ming Fang

IPC分类号： H01L27/24 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L27/24 ,  B41J2/1601 ,  B41J2/1607 ,  B41J2/1626 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1632 ,  B41J2/1635 ,  B41J2/1639 ,  B41J2/1643 ,  B81C1/00246 ,  G01P15/00

摘要： A method of manufacturing double-sided semiconductor die by performing a first plurality of processes to a first side of a wafer and performing a second plurality of processes to a second side of the wafer, thereby forming at least a first semiconductor device on the first side of the wafer and at least a second semiconductor device on the second side of the wafer. The wafer may be cut to form a plurality of die having at least one semiconductor device on each side.

摘要翻译： 一种通过对晶片的第一面执行第一多个工艺并对晶片的第二侧执行第二多个工艺来制造双面半导体管芯的方法，从而在第一侧上形成至少第一半导体器件 以及晶片第二面上的至少第二半导体器件。 可以切割晶片以形成在每一侧具有至少一个半导体器件的多个裸片。

公开(公告)号：US07964474B2

公开(公告)日：2011-06-21

申请号：US12422723

申请日：2009-04-13

申请人： Ming Fang ,  Fuchao Wang

发明人： Ming Fang ,  Fuchao Wang

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： B81C1/00047 ,  B01L3/502707 ,  B01L7/00 ,  B41J2/14129 ,  B41J2/14137 ,  B41J2202/13 ,  B81B2201/058 ,  B81B2207/015 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0098 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0828

摘要： A method includes growing a first oxide region concurrently with a second oxide region in a substrate and forming an inlet path to the first oxide region, the inlet path exposing a first surface of the first oxide region. The method also includes removing the first oxide region to form a chamber, forming a first MOS transistor adjacent the second oxide region, and forming a second MOS transistor separated from the first MOS transistor by the second oxide region.

摘要翻译： 一种方法包括与衬底中的第二氧化物区域同时生长第一氧化物区域并形成到第一氧化物区域的入口路径，入口路径暴露第一氧化物区域的第一表面。 该方法还包括去除第一氧化物区域以形成室，形成与第二氧化物区域相邻的第一MOS晶体管，以及通过第二氧化物区域形成与第一MOS晶体管分离的第二MOS晶体管。