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150 条记录 (耗时 0.037 秒)

    X-ray detectors including diffusion barrier films
    91.
    发明授权
    X-ray detectors including diffusion barrier films 有权
    X射线探测器包括扩散阻挡膜

    公开(公告)号：US08766202B2

    公开(公告)日：2014-07-01

    申请号：US13247512

    申请日：2011-09-28

    申请人： Sun-il Kim ,  Jae-chul Park ,  Chang-jung Kim ,  Sang-wook Kim

    发明人： Sun-il Kim ,  Jae-chul Park ,  Chang-jung Kim ,  Sang-wook Kim

    IPC分类号： G01T1/24 ,  H04N5/32

    CPC分类号： H01L27/14659 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14676

    摘要： An X-ray detector includes a photoconductor, a first diffusion barrier film on a first surface of the photoconductor, at least one pixel electrode on the first diffusion barrier film, a signal transmitting unit to process an electrical signal output from the at least one pixel electrode, and a common electrode on a second surface of the photoconductor opposite to the first surface of the photoconductor.

    摘要翻译： X射线检测器包括光电导体，在感光体的第一表面上的第一扩散阻挡膜，第一扩散阻挡膜上的至少一个像素电极，用于处理从至少一个像素输出的电信号的信号发送单元 电极和与光电导体的第一表面相对的光电导体的第二表面上的公共电极。

    ZnO based semiconductor devices and methods of manufacturing the same
    92.
    发明授权
    ZnO based semiconductor devices and methods of manufacturing the same 有权
    基于ZnO的半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US08735882B2

    公开(公告)日：2014-05-27

    申请号：US12929323

    申请日：2011-01-14

    申请人： Chang-jung Kim ,  I-hun Song ,  Dong-hun Kang ,  Young-soo Park

    发明人： Chang-jung Kim ,  I-hun Song ,  Dong-hun Kang ,  Young-soo Park

    IPC分类号： H01L29/12

    CPC分类号： H01L29/7869

    摘要： A semiconductor device may include a composite represented by Formula 1 below as an active layer. x(Ga2O3).y(In2O3).z(ZnO)  Formula 1 wherein, about 0.75≦x/z≦about 3.15, and about 0.55≦y/z≦ about 1.70. Switching characteristics of displays and driving characteristics of driving transistors may be improved by adjusting the amounts of a gallium (Ga) oxide and an indium (In) oxide mixed with a zinc (Zn) oxide and improving optical sensitivity.

    摘要翻译： 半导体器件可以包括由下面的式1表示的复合物作为有源层。 x（Ga 2 O 3）y（In 2 O 3）z（ZnO）式1其中约0.75＆lt; lE; x / z和nlE;约3.15和约0.55≤n1E; y / z＆ 约1.70。 可以通过调节与锌（Zn）氧化物混合的镓（Ga）氧化物和铟（In））的量来提高驱动晶体管的开关特性并提高光学灵敏度。

    Transistors, electronic devices including a transistor and methods of manufacturing the same
    94.
    发明授权
    Transistors, electronic devices including a transistor and methods of manufacturing the same 有权
    晶体管，包括晶体管的电子器件及其制造方法

    公开(公告)号：US08410479B2

    公开(公告)日：2013-04-02

    申请号：US12805110

    申请日：2010-07-13

    申请人： Sang-wook Kim ,  Chang-jung Kim ,  Jae-chul Park ,  Sun-il Kim

    发明人： Sang-wook Kim ,  Chang-jung Kim ,  Jae-chul Park ,  Sun-il Kim

    IPC分类号： H01L29/786

    CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/78696

    摘要： Transistors, electronic devices including a transistor and methods of manufacturing the same are provided, the transistor includes an oxide semiconductor layer (as a channel layer) having compositions that vary in one direction. The channel layer may be an oxide layer including a first element, a second element, and Zn, which are metal elements. The amount of at least one of the first element, the second element, and Zn may change in a deposition direction of the channel layer. The first element may be any one of hafnium (Hf), yttrium (Y), tantalum (Ta), zirconium (Zr), gallium (Ga), aluminum (Al) or combinations thereof. The second element may be indium (In). The channel layer may have a multi-layered structure including at least two layers with different compositions.

    摘要翻译： 提供晶体管，包括晶体管的电子器件及其制造方法，晶体管包括具有在一个方向上变化的组成的氧化物半导体层（作为沟道层）。 沟道层可以是包括作为金属元素的第一元素，第二元素和Zn的氧化物层。 第一元件，第二元件和Zn中的至少一个的量可以在沟道层的沉积方向上改变。 第一元素可以是铪（Hf），钇（Y），钽（Ta），锆（Zr），镓（Ga），铝（Al）或其组合中的任一种。 第二元素可以是铟（In）。 沟道层可以具有包括具有不同组成的至少两层的多层结构。

    Oxide semiconductor target
    96.
    发明授权
    Oxide semiconductor target 有权
    氧化物半导体靶

    公开(公告)号：US08268194B2

    公开(公告)日：2012-09-18

    申请号：US12071097

    申请日：2008-02-15

    申请人： Chang-jung Kim ,  Je-hun Lee

    发明人： Chang-jung Kim ,  Je-hun Lee

    IPC分类号： H01B1/00

    CPC分类号： C23C14/0036 ,  C23C14/086 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

    摘要： A method of forming an oxide semiconductor layer includes: mounting an oxide semiconductor target in a chamber; loading a substrate into the chamber; vacuuming the chamber; applying a direct current power to the oxide semiconductor target while injecting oxygen and a sputtering gas into the chamber; and forming an oxide semiconductor layer on a surface of the substrate by applying plasma of the sputtering gas onto the oxide semiconductor target. Here, the oxide semiconductor target has a resistance of 1 kΩ or less.

    摘要翻译： 形成氧化物半导体层的方法包括：将氧化物半导体靶安装在腔室中; 将基板装载到所述室中; 抽真空室; 在氧气和溅射气体注入室内的同时对氧化物半导体靶施加直流电力; 以及通过将所述溅射气体的等离子体施加到所述氧化物半导体靶上而在所述衬底的表面上形成氧化物半导体层。 这里，氧化物半导体靶的电阻为1k＆OHgr; 或更少。

    X-Ray Detectors Including Diffusion Barrier Films
    97.
    发明申请
    X-Ray Detectors Including Diffusion Barrier Films 有权
    包括扩散阻挡膜的X射线探测器

    公开(公告)号：US20120211663A1

    公开(公告)日：2012-08-23

    申请号：US13247512

    申请日：2011-09-28

    申请人： Sun-il Kim ,  Jae-chul Park ,  Chang-jung Kim ,  Sang-wook Kim

    发明人： Sun-il Kim ,  Jae-chul Park ,  Chang-jung Kim ,  Sang-wook Kim

    IPC分类号： G01T1/24 ,  G01T1/16

    CPC分类号： H01L27/14659 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14676

    摘要： An X-ray detector includes a photoconductor, a first diffusion barrier film on a first surface of the photoconductor, at least one pixel electrode on the first diffusion barrier film, a signal transmitting unit to process an electrical signal output from the at least one pixel electrode, and a common electrode on a second surface of the photoconductor opposite to the first surface of the photoconductor.

    摘要翻译： X射线检测器包括光电导体，在感光体的第一表面上的第一扩散阻挡膜，第一扩散阻挡膜上的至少一个像素电极，用于处理从至少一个像素输出的电信号的信号发送单元 电极和与光电导体的第一表面相对的光电导体的第二表面上的公共电极。

    Inverter and logic device comprising the same
    98.
    发明授权
    Inverter and logic device comprising the same 有权
    逆变器和包括其的逻辑器件

    公开(公告)号：US08089301B2

    公开(公告)日：2012-01-03

    申请号：US12805402

    申请日：2010-07-29

    申请人： Sun-il Kim ,  Chang-jung Kim ,  Sang-wook Kim

    发明人： Sun-il Kim ,  Chang-jung Kim ,  Sang-wook Kim

    IPC分类号： H01L25/00 ,  H03K19/00

    CPC分类号： H03K19/09443 ,  H03K19/09407

    摘要： The inverter includes a driving transistor and a loading transistor having channel regions with different thicknesses. The channel region of the driving transistor may be thinner than the channel region of the load transistor. A channel layer of the driving transistor may have a recessed region between a source and a drain which contact both ends of the channel layer. The driving transistor may be an enhancement mode transistor and the load transistor may be a depletion mode transistor.

    摘要翻译： 逆变器包括驱动晶体管和具有不同厚度的沟道区的负载晶体管。 驱动晶体管的沟道区可以比负载晶体管的沟道区更薄。 驱动晶体管的沟道层可以在与沟道层的两端接触的源极和漏极之间具有凹陷区域。 驱动晶体管可以是增强型晶体管，负载晶体管可以是耗尽型晶体管。

    Optical touch panel and method of fabricating the same
    99.
    发明申请
    Optical touch panel and method of fabricating the same 有权
    光触摸面板及其制造方法

    公开(公告)号：US20110272689A1

    公开(公告)日：2011-11-10

    申请号：US12929301

    申请日：2011-01-13

    申请人： Jae-chul Park ,  I-hun Song ,  Chang-jung Kim

    发明人： Jae-chul Park ,  I-hun Song ,  Chang-jung Kim

    IPC分类号： H01L31/0248

    CPC分类号： G02F1/13338 ,  G02F1/1368 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/042 ,  H01L27/1225

    摘要： An optical touch panel may be used remotely to control a large-sized display device. According to a method of fabricating the optical touch panel, an optical sensor transistor for sensing light and a switch transistor for drawing data can be formed together on the same substrate by using a relatively simple process. The optical touch panel may include an optical sensor transistor and a switch transistor. The optical sensor transistor may be configured to sense light and the switch transistor may be configured to draw data from the optical sensor transistor. The optical sensor transistor may include a light sensitive oxide semiconductor material as a channel layer. The switch transistor may include a non-light sensitive oxide semiconductor material as a channel layer.

    摘要翻译： 可以远程地使用光学触摸面板来控制大型显示装置。 根据制造光学触摸面板的方法，可以通过使用相对简单的工艺在相同的衬底上一起形成用于感测光的光学传感器晶体管和用于绘制数据的开关晶体管。 光学触摸面板可以包括光学传感器晶体管和开关晶体管。 光学传感器晶体管可以被配置为感测光，并且开关晶体管可以被配置为从光学传感器晶体管绘制数据。 光传感器晶体管可以包括作为沟道层的光敏氧化物半导体材料。 开关晶体管可以包括作为沟道层的非光敏氧化物半导体材料。

    X-ray pixels including double photoconductors and x-ray detectors including the x-ray pixels
    100.
    发明申请
    X-ray pixels including double photoconductors and x-ray detectors including the x-ray pixels 有权
    包括双光电导体和包括x射线像素的x射线检测器的X射线像素

    公开(公告)号：US20110241143A1

    公开(公告)日：2011-10-06

    申请号：US12923553

    申请日：2010-09-28

    申请人： Sang-wook Kim ,  Jae-chul Park ,  Sun-il Kim ,  Chang-jung Kim

    发明人： Sang-wook Kim ,  Jae-chul Park ,  Sun-il Kim ,  Chang-jung Kim

    IPC分类号： H01L31/02 ,  G01T1/24

    CPC分类号： G01T1/242 ,  H01L31/085

    摘要： Example embodiments are directed to X-ray detectors including double photoconductors. According to example embodiments, the X-ray detector includes a first photoconductor on which X-rays are incident, and a second photoconductor on which X-rays transmitted through the first photoconductor are incident. The first photoconductor and the second photoconductor include a tandem structure. The first photoconductor is formed of silicon and absorbs X-rays in a low energy band, and the second photoconductor is formed of a material that absorbs X-rays in an energy band higher than the low energy band of the X-rays absorbed by silicon.

    摘要翻译： 示例性实施例涉及包括双光电导体的X射线检测器。 根据示例性实施例，X射线检测器包括在其上入射X射线的第一感光体和通过第一光电导体透射X射线的第二感光体。 第一光电导体和第二光电导体包括串联结构。 第一光电导体由硅形成并在低能带中吸收X射线，第二光电导体由吸收X射线的能量带的材料形成，该能带高于由硅吸收的X射线的低能带 。