公开(公告)号：US07078147B2

公开(公告)日：2006-07-18

申请号：US10396556

申请日：2003-03-26

申请人： Yuji Harada ,  Jun Hatakeyama ,  Masaru Sasago ,  Masayuki Endo ,  Shinji Kishimura

发明人： Yuji Harada ,  Jun Hatakeyama ,  Masaru Sasago ,  Masayuki Endo ,  Shinji Kishimura

IPC分类号： G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/30 ,  C08F10/00 ,  C08F12/30

CPC分类号： C08F232/08 ,  C08F220/18 ,  C08F222/06 ,  C08F228/02 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/115

摘要： A resist composition comprising a base polymer having sulfone or sulfonate units introduced therein is sensitive to high-energy radiation below 300 nm, is endowed with excellent adherence to substrates while maintaining transparency, and is suited for lithographic microprocessing.

公开(公告)号：US07005228B2

公开(公告)日：2006-02-28

申请号：US10178638

申请日：2002-06-25

申请人： Jun Hatakeyama ,  Yuji Harada ,  Yoshio Kawai ,  Masaru Sasago ,  Masayuki Endo ,  Shinji Kishimura ,  Michitaka Ootani ,  Satoru Miyazawa ,  Kentaro Tsutsumi ,  Kazuhiko Maeda

发明人： Jun Hatakeyama ,  Yuji Harada ,  Yoshio Kawai ,  Masaru Sasago ,  Masayuki Endo ,  Shinji Kishimura ,  Michitaka Ootani ,  Satoru Miyazawa ,  Kentaro Tsutsumi ,  Kazuhiko Maeda

IPC分类号： G03F7/038 ,  G03F7/40

CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0395 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/111

摘要： A ternary copolymer comprising units of α-trifluoromethylacrylic carboxylate having acid labile groups substituted thereon, units of α-trifluoromethylacrylic carboxylate having adhesive groups substituted thereon, and units of styrene having hexafluoroalcohol pendants is highly transparent to VUV radiation and resistant to plasma etching. A resist composition using the polymer as a base resin is sensitive to high-energy radiation below 200 nm, has excellent sensitivity, and is suited for lithographic microprocessing.

摘要翻译： 包含其上取代有酸不稳定基团的α-三氟甲基丙烯酸羧酸酯单元的三元共聚物，其上取代有粘合剂基团的α-三氟甲基丙烯酸羧酸酯单元和具有六氟醇垂饰的苯乙烯单元对VUV辐射是高度透明的并且耐等离子体蚀刻。 使用聚合物作为基础树脂的抗蚀剂组合物对于低于200nm的高能辐射敏感，具有优异的灵敏度，并且适用于光刻微处理。

公开(公告)号：US06933095B2

公开(公告)日：2005-08-23

申请号：US10178475

申请日：2002-06-25

申请人： Yuji Harada ,  Jun Hatakeyama ,  Yoshio Kawai ,  Masaru Sasago ,  Masayuki Endo ,  Shinji Kishimura ,  Michitaka Ootani ,  Satoru Miyazawa ,  Kentaro Tsutsumi ,  Kazuhiko Maeda

发明人： Yuji Harada ,  Jun Hatakeyama ,  Yoshio Kawai ,  Masaru Sasago ,  Masayuki Endo ,  Shinji Kishimura ,  Michitaka Ootani ,  Satoru Miyazawa ,  Kentaro Tsutsumi ,  Kazuhiko Maeda

IPC分类号： G03F7/032 ,  C08F212/14 ,  C08F220/04 ,  C08F220/22 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/38 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/0046 ,  C08F212/14 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/146 ,  Y10S430/167

摘要： A copolymer of an acrylate monomer containing fluorine at α-position with a fluorinated hydroxystyrene derivative is highly transparent to VUV radiation and resistant to plasma etching. A resist composition using the polymer as a base resin is sensitive to high-energy radiation below 200 nm, has excellent sensitivity, resolution, transparency, substrate adhesion and plasma etching resistance, and is suited for lithographic microprocessing.

摘要翻译： 在α-位含氟的丙烯酸酯单体与氟化羟基苯乙烯衍生物的共聚物对VUV辐射是高度透明的并且耐等离子体蚀刻。 使用聚合物作为基础树脂的抗蚀剂组合物对于低于200nm的高能辐射敏感，具有优异的灵敏度，分辨率，透明度，基底粘附性和等离子体耐蚀刻性，并且适用于光刻微处理。

公开(公告)号：US20050079440A1

公开(公告)日：2005-04-14

申请号：US10945397

申请日：2004-09-21

申请人： Jun Hatakeyama ,  Yuji Harada ,  Yoshio Kawai

发明人： Jun Hatakeyama ,  Yuji Harada ,  Yoshio Kawai

IPC分类号： C08F220/18 ,  C08F220/24 ,  C08F220/28 ,  G03C1/76 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039

CPC分类号： G03F7/0397 ,  C08F220/18 ,  C08F220/24 ,  C08F220/28 ,  G03F7/0046 ,  Y10S430/111

摘要： There is disclosed a polymer which at least has the repeating unit represented by the following general formula (1a), and the repeating unit represented by the following general formula (1b) and/or the repeating unit represented by the following general formula (1c), and a positive resist composition comprising the polymer as a base resin. There can be provided a positive resist composition having high sensitivity and high resolution on exposure to a high energy beam, wherein line edge roughness is reduced since swelling at the time of development is suppressed, and the residue after development is little.

摘要翻译： 公开了至少具有下述通式（1a）表示的重复单元和下述通式（1b）表示的重复单元和/或下述通式（1c）表示的重复单元的聚合物， 以及包含该聚合物作为基础树脂的正性抗蚀剂组合物。 可以提供在暴露于高能量束时具有高灵敏度和高分辨率的正性抗蚀剂组合物，其中由于在显影时的膨胀被抑制，线边缘粗糙度降低，并且显影后的残留物很小。

公开(公告)号：US06872514B2

公开(公告)日：2005-03-29

申请号：US10395256

申请日：2003-03-25

申请人： Yuji Harada ,  Jun Hatakeyama ,  Yoshio Kawai ,  Masaru Sasago ,  Masayuki Endo ,  Shinji Kishimura ,  Kazuhiko Maeda ,  Michitaka Ootani ,  Haruhiko Komoriya

发明人： Yuji Harada ,  Jun Hatakeyama ,  Yoshio Kawai ,  Masaru Sasago ,  Masayuki Endo ,  Shinji Kishimura ,  Kazuhiko Maeda ,  Michitaka Ootani ,  Haruhiko Komoriya

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/038 ,  C08F12/30 ,  C08F114/18 ,  G03F7/30

CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0395 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/115

摘要： A resist composition comprising a base polymer having a fluorinated sulfonate or fluorinated sulfone introduced therein is sensitive to high-energy radiation below 300 nm, has excellent transparency, contrast and adherence, and is suited for lithographic microprocessing.

摘要翻译： 包含其中引入氟化磺酸盐或氟化砜的基础聚合物的抗蚀剂组合物对于300nm以下的高能辐射敏感，具有优异的透明度，对比度和粘附性，并且适用于光刻微处理。

公开(公告)号：US06541179B2

公开(公告)日：2003-04-01

申请号：US09811695

申请日：2001-03-20

申请人： Jun Hatakeyama ,  Youichi Ohsawa ,  Tsunehiro Nishi ,  Jun Watanabe

发明人： Jun Hatakeyama ,  Youichi Ohsawa ,  Tsunehiro Nishi ,  Jun Watanabe

IPC分类号： G03F7004

CPC分类号： G03F7/0382 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0395 ,  Y10S430/122

摘要： A resist composition contains a base resin, a photoacid generator, and a solvent. The photoacid generator is a sulfonium salt of formula (1). R1 is a monovalent cyclic or bridgedring C3-20, hydrocarbon group, R2 is hydroxyl, nitro, halogen, or a straight, branched or cyclic monovalent C1-15 hydrocarbon group which may contain O, N, S or halogen atom, K− is a non-nucleophilic counter ion, x is equal to 1 or 2, and y is an integer of 0-3. The resist composition is sensitive to ArF excimer laser light, has good sensitivity and resolution, and forms a thick film which is advantageous in etching.

摘要翻译： 抗蚀剂组合物含有基础树脂，光致酸产生剂和溶剂。 光致酸产生剂是式（1）的锍盐，R1是一价环状或桥连的C3-20，烃基，R2是羟基，硝基，卤素或直链，支链或环状的一价C1-15烃基，其可以 含有O，N，S或卤原子，K-是非亲核反离子，x等于1或2，y是0-3的整数。 抗蚀剂组合物对ArF准分子激光敏感，具有良好的灵敏度和分辨率，并形成有利于蚀刻的厚膜。

公开(公告)号：US06653044B2

公开(公告)日：2003-11-25

申请号：US09760716

申请日：2001-01-17

申请人： Takanobu Takeda ,  Osamu Watanabe ,  Jun Watanabe ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Takeshi Kinsho

发明人： Takanobu Takeda ,  Osamu Watanabe ,  Jun Watanabe ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Takeshi Kinsho

IPC分类号： C07C6974

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/039 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/11

摘要： A chemical amplification type resist composition uses as the base resin a polymer having a molecular weight dispersity of 1.0 to 1.5 which is a polymer comprising recurring units of formula (1) and recurring units of formula (2) or a polymer comprising recurring units of formula (2) wherein R1 is alkyl, alkoxyalkyl, acetyl or carbonylalkoxy, 0

摘要翻译： 化学放大型抗蚀剂组合物使用分子量分布为1.0〜1.5的聚合物作为基础树脂，其为包含式（1）的重复单元和式（2）的重复单元的聚合物或包含式 （2）其中R 1是烷基，烷氧基烷基，乙酰基或羰基烷氧基，0

公开(公告)号：US06623909B2

公开(公告)日：2003-09-23

申请号：US09870745

申请日：2001-06-01

申请人： Jun Hatakeyama ,  Toshiaki Takahashi ,  Toshinobu Ishihara ,  Jun Watanabe ,  Tohru Kubota ,  Yoshio Kawai

发明人： Jun Hatakeyama ,  Toshiaki Takahashi ,  Toshinobu Ishihara ,  Jun Watanabe ,  Tohru Kubota ,  Yoshio Kawai

IPC分类号： G03F7038

CPC分类号： C08G77/24 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0757 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108

摘要： Polymers comprising recurring units of formula (1) are provided wherein R1 is a straight, branched or cyclic divalent C1-20 hydrocarbon group or a bridged cyclic hydrocarbon group, R is hydrogen atom or an acid labile group, 0≦m≦3, 0≦n≦3 and 0≦m+n≦6. Using the polymers, chemical amplification positive resist compositions featuring low absorption of F2 excimer laser light are obtained.

摘要翻译： 提供了包含式（1）的重复单元的聚合物，其中R 1是直链，支链或环状二价C 1-20烃基或桥连环烃基，R是氢原子或酸不稳定基团，0≤m <= 3,0 <= n <= 3，0 <= m + n <= 6。使用聚合物，获得具有F2受激准分子激光的低吸收性的化学放大阳性抗蚀剂组合物。

公开(公告)号：US06455223B1

公开(公告)日：2002-09-24

申请号：US09534351

申请日：2000-03-24

申请人： Jun Hatakeyama ,  Tomohiro Kobayashi ,  Osamu Watanabe ,  Takanobu Takeda ,  Toshinobu Ishihara ,  Jun Watanabe

发明人： Jun Hatakeyama ,  Tomohiro Kobayashi ,  Osamu Watanabe ,  Takanobu Takeda ,  Toshinobu Ishihara ,  Jun Watanabe

IPC分类号： G03F7039

CPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/038 ,  Y10S430/106

摘要： A resist composition comprising a dendritic or hyperbranched polymer of a phenol derivative having a weight average molecular weight of 500-10,000,000 has an excellent resolution, reduced line edge roughness, and dry etching resistance and is useful as a chemical amplification type resist composition which may be either positive or negative working.

摘要翻译： 包含重均分子量为500-10,000,000的苯酚衍生物的树枝状或超支化聚合物的抗蚀剂组合物具有优异的分辨率，线边缘粗糙度和耐干蚀刻性，并且可用作化学放大型抗蚀剂组合物，其可以是 正面或负面工作。

公开(公告)号：US06414101B1

公开(公告)日：2002-07-02

申请号：US09535166

申请日：2000-03-24

申请人： Osamu Watanabe ,  Takanobu Takeda ,  Jun Hatakeyama ,  Tomohiro Kobayashi ,  Toshinobu Ishihara ,  Jun Watanabe

发明人： Osamu Watanabe ,  Takanobu Takeda ,  Jun Hatakeyama ,  Tomohiro Kobayashi ,  Toshinobu Ishihara ,  Jun Watanabe

IPC分类号： C08F21214

CPC分类号： C08F257/02 ,  C08F290/04 ,  C08F297/02

摘要： A dendritic or hyperbranched polymer having a weight average molecular weight of 500-10,000,000 is prepared by polymerizing a hydroxystyrene derivative, adding a branching monomer midway in the polymerization step to introduce branch chains, and repeating the polymerizing and branching steps. The polymer is advantageously used as the base resin of resist material because the size of the polymer can be reduced while maintaining strength.

摘要翻译： 通过聚合羟基苯乙烯衍生物，在聚合步骤中途加入支化单体以引入支链并重复聚合和分支步骤，制备重均分子量为500-10,000,000的树枝状或超支化聚合物。 聚合物有利地用作抗蚀剂材料的基础树脂，因为可以在保持强度的同时降低聚合物的尺寸。