公开(公告)号：US07609543B2

公开(公告)日：2009-10-27

申请号：US11904434

申请日：2007-09-27

申请人： Hsu Kai Yang ,  Lejan Pu ,  Perng-Fei Yuh ,  Po-Kang Wang

发明人： Hsu Kai Yang ,  Lejan Pu ,  Perng-Fei Yuh ,  Po-Kang Wang

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C29/06 ,  G11C29/08 ,  G11C29/12005

摘要： Voltage and current stress for magnetic random access memory (MRAM) cells can weed out potential early failure cells. Method and circuit implementation of such a stress test for a MRAM comprise coupling a stress test circuit to the read bus of the MRAM and stressing the Magnetic Tunnel Junctions (MTJS) by tying them to ground by activating isolation transistors associated with them. Read word lines control which MTJs are stressed Both the method and implementation can be used for any memory cells based on resistance differences, such as Phase RAM or Spin Valve MRAM.

摘要翻译： 磁性随机存取存储器（MRAM）电池的电压和电流应力可以消除潜在的早期故障电池。 用于MRAM的这种应力测试的方法和电路实现包括将应力测试电路耦合到MRAM的读总线，并通过激活与它们相关联的隔离晶体管将它们绑定到地来强调磁隧道接合点（MTJS）。 读取字线控制哪些MTJ受到压力这两种方法和实现都可以用于基于电阻差异的任何存储单元，如相位RAM或自旋阀MRAM。

公开(公告)号：US20090256552A1

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：US12082257

申请日：2008-04-10

申请人： Yimin Guo ,  Grace Gorman

发明人： Yimin Guo ,  Grace Gorman

IPC分类号： G01B7/30

CPC分类号： G01B7/30 ,  G01D5/147 ,  G01P3/488

摘要： The invention discloses a rotation sensor suitable for gear wheels. MR (magneto-resistive) sensors are placed inside a zero field region generated by at least two permanent magnets. Said sensors are divided into two groups that are immersed in different locally generated magnetic environments. A differential signal taken between the two groups then senses the movement of the wheel's teeth. A single wafer method for manufacturing the device is also briefly described.

摘要翻译： 本发明公开了一种适用于齿轮的旋转传感器。 MR（磁阻）传感器被放置在由至少两个永磁体产生的零场区域内。 所述传感器被分成浸没在不同的局部产生的磁环境中的两组。 在两组之间拍摄的差分信号然后感测到车轮的齿的运动。 还简要描述了用于制造该器件的单晶片方法。

公开(公告)号：US07592803B1

公开(公告)日：2009-09-22

申请号：US12214865

申请日：2008-06-23

申请人： Yimin Guo ,  Grace Gorman

发明人： Yimin Guo ,  Grace Gorman

IPC分类号： G01B7/30 ,  G01R33/05 ,  G01R33/09

CPC分类号： G01R33/093 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/096

摘要： An AMR gear tooth rotation sensor and a method for utilizing it are disclosed. These facilitate easy manufacture of the device without sacrificing either high sensitivity or high signal output. This is achieved by forming individual sensing elements out of AMR stripes and then connecting four such sensing elements as a Wheatstone bridge. The latter is attached to a permanent magnet that provides a bias field whose value rises and falls as wheel teeth and valleys (respectively) move past the rotation sensor.

摘要翻译： 公开了一种AMR齿轮齿旋转传感器及其利用方法。 这些便于制造设备而不牺牲高灵敏度或高信号输出。 这可以通过将AMR条纹中的各个感测元件形成，然后连接四个这样的传感元件如惠斯通电桥来实现。 后者附着在永磁体上，该永磁体提供偏置场，其值随着轮齿和谷（分别）移动经过旋转传感器而上升和下降。

公开(公告)号：US20090115405A1

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：US11982188

申请日：2007-11-01

申请人： Yimin Guo ,  Grace Gorman

发明人： Yimin Guo ,  Grace Gorman

IPC分类号： G01B7/30 ,  B05D5/12

CPC分类号： G01D5/145

摘要： An integrated angular magnetic sensor apparatus for determining a magnetic field angle within two axes of a plane is formed on a substrate onto which two anisotropic magneto-resistive sensing elements and at least one magneto-resistive sensing element are fabricated. The two anisotropic magneto-resistive sensing elements are oriented such that the output voltages of a first and second of the anisotropic magneto-resistive sensing elements are a function of a first and second trigonometric function (a sine function) of the magnetic field angle to a reference axis. The at least one magneto-resistive sensing element on the substrate and having a fixed reference magnetization oriented with respect to the reference axis such that an output voltage of the at least one magneto-resistive sensing element provides a quadrant indicator for the magnetic field angle with respect to the reference axis. The quadrant indicator is a trigonometric function such as a sine or cosine function.

摘要翻译： 在其上制造两个各向异性磁阻感测元件和至少一个磁阻感测元件的基板上形成用于确定平面的两个轴内的磁场角的集成角度磁传感器装置。 两个各向异性磁阻感测元件被定向成使得第一和第二个各向异性磁阻感测元件的输出电压是与第一和第二个各向异性磁阻感测元件的磁场角的第一和第二三角函数（正弦函数）的函数 参考轴。 所述至少一个磁阻感测元件在所述衬底上并且具有相对于所述参考轴线定向的固定参考磁化，使得所述至少一个磁阻感测元件的输出电压提供用于磁场角的象限指示符， 相对于参考轴。 象限指示器是一个三角函数，如正弦或余弦函数。

公开(公告)号：US20090086531A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：US11904434

申请日：2007-09-27

申请人： Hsu Kai Yang ,  Lejan Pu ,  Perng-Fei Yuh ,  Po-Kang Wang

发明人： Hsu Kai Yang ,  Lejan Pu ,  Perng-Fei Yuh ,  Po-Kang Wang

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C29/00

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C29/06 ,  G11C29/08 ,  G11C29/12005

摘要： Voltage and current stress for magnetic random access memory (MRAM) cells can weed out potential early failure cells. Method and circuit implementation of such a stress test for a MRAM comprise coupling a stress test circuit to the read bus of the MRAM and stressing the Magnetic Tunnel Junctions (MTJS) by tying them to ground by activating isolation transistors associated with them. Read word lines control which MTJs are stressed Both the method and implementation can be used for any memory cells based on resistance differences, such as Phase RAM or Spin Valve MRAM.

公开(公告)号：US20090078927A1

公开(公告)日：2009-03-26

申请号：US11901999

申请日：2007-09-20

申请人： Rongfu Xiao ,  Chyu-Jiuh Torng ,  Tom Zhong ,  Witold Kula ,  Adam Zhong

发明人： Rongfu Xiao ,  Chyu-Jiuh Torng ,  Tom Zhong ,  Witold Kula ,  Adam Zhong

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L43/12 ,  Y10T428/24736

摘要： A composite hard mask is disclosed that enables sub-100 nm sized MTJ cells to be formed for advanced devices such as spin torque MRAMs. The hard mask has a lower non-magnetic metallic layer such as Ru to magnetically isolate an overlying middle metallic spacer such as MnPt from an underlying free layer. The middle metallic spacer provides a height margin during subsequent processing to avoid shorting between a bit line and the MTJ cell in the final device. An upper conductive layer may be made of Ta and is thin enough to allow a MTJ pattern in a thin overlying photoresist layer to be transferred through the Ta during a fluorocarbon etch without consuming all of the photoresist. The MTJ pattern is transferred through the remaining hard mask layers and underlying MTJ stack of layers with a second etch step using a C, H, and O etch gas composition.

摘要翻译： 公开了一种复合硬掩模，其能够为高级装置（例如自旋扭矩MRAM）形成次100nm大小的MTJ电池。 硬掩模具有较低的非磁性金属层，例如Ru，以将下层的中间金属间隔物（例如MnPt）与下层的自由层磁隔离。 中间金属间隔件在后续处理期间提供高度余量以避免位线和最终装置中的MTJ单元之间的短路。 上导电层可以由Ta制成，并且足够薄以使氟薄膜蚀刻中的薄覆盖光致抗蚀剂层中的MTJ图案能够通过Ta Ta传输而不消耗所有的光致抗蚀剂。 使用C，H和O蚀刻气体组合物，通过第二蚀刻步骤将MTJ图案转移通过剩余的硬掩模层和下面的MTJ堆叠层。

公开(公告)号：US20080205131A1

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：US12151217

申请日：2008-05-05

申请人： Yimin Guo

发明人： Yimin Guo

IPC分类号： G11C11/15 ,  H01L21/00

CPC分类号： G11C11/16 ,  B82Y25/00 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3295

摘要： A toggle MTJ is disclosed that has a SAF free layer with two or more magnetic sub-layers having equal magnetic moments but different anisotropies which is achieved by selecting Ni˜0.8Fe˜0.2 for one sub-layer and CoFeB or the like with a uni-axial anisotropy of 10 to 30 Oe for the higher anisotropy sub-layer. When a field is applied at

摘要翻译： 公开了一种切换MTJ，其具有具有两个或更多个具有相同磁矩但具有不同各向异性的两个或更多个磁性子层的SAF自由层，其通过选择Ni-0.8No 0.2〜 对于较高的各向异性子层，具有10〜30Oe的单轴各向异性的一个子层和CoFeB等。 当从容易轴以<10°角施加场时，两个子层的磁矢量与容易轴旋转以形成不同的角度。 还描述了一种用于选择性地写入沿着与位线段正交的字线的位的方法，并且避免了“首先读取”的需要。 在没有位线脉冲的情况下，施加具有由无脉冲间隔分开的两个相反脉冲的双极字线脉冲，以写入“0”。 与第二字线脉冲相反的位线脉冲写入“1”。

公开(公告)号：US20080179699A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US11699875

申请日：2007-01-30

申请人： Cheng T. Horng ,  Ru-Ying Tong

发明人： Cheng T. Horng ,  Ru-Ying Tong

IPC分类号： H01L43/00

CPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： A MTJ that minimizes spin-transfer magnetization switching current (Jc) in a Spin-RAM to

摘要翻译： 公开了将旋转RAM中的自旋转移磁化开关电流（Jc）最小化为<1×10 6 A / cm 2的MTJ。 MTJ具有Co 60 Co 2 O 20 B 20 20 / MgO / Co 60 Fe 20 20 / 其中CoFeB AP1钉扎和自由层是无定形的并且通过ROX或NOX工艺形成结晶的MgO隧道势垒。 覆盖层优选为Hf / Ru复合材料，其中下部Hf层用作优异的吸氧材料，以减少自由层/覆盖层界面处的磁性“死层”，从而增加dR / R，并降低He和Jc 。 退火温度降低至约280℃，以产生比350℃退火更平滑的CoFeB / MgO界面和较小的偏移场。 在第二实施例中，AP1层具有CoFeB / CoFe构型，其中下CoFeB层是无定形的，并且上CoFe层是结晶的，以进一步改善dR / R，并且将RA降低到<= 10 OHM / SUP>。

公开(公告)号：US07394247B1

公开(公告)日：2008-07-01

申请号：US11881349

申请日：2007-07-26

申请人： Yimin Guo ,  Grace Gorman ,  Po-Kang Wang

发明人： Yimin Guo ,  Grace Gorman ,  Po-Kang Wang

IPC分类号： G01R33/09 ,  G01B7/30

CPC分类号： G01R33/093 ,  B82Y25/00 ,  G01D5/145 ,  G01R33/098

摘要： The invention discloses a sensor for 360-degree magnetic field angle measurement. It comprises multiple GMR (or MTJ) stripes with identical geometries except for their orientations. These are used as the building blocks for a pair of Wheatstone bridges that signal the direction of magnetization of their environment. The design greatly enhances sensitivity within GMR stripes and does not require an additional Hall sensor in order to cover the full 360 degree measurement range.

摘要翻译： 本发明公开了一种用于360度磁场角测量的传感器。 它包括除了它们的取向之外具有相同几何形状的多个GMR（或MTJ）条纹。 这些被用作一对惠斯通电桥的结构，它们表示了它们的环境的磁化方向。 该设计极大地提高了GMR条纹下的灵敏度，并且不需要额外的霍尔传感器来覆盖整个360度的测量范围。

公开(公告)号：US07362644B2

公开(公告)日：2008-04-22

申请号：US11313019

申请日：2005-12-20

申请人： Hsu Kai Yang ,  Po-Kang Wang ,  Xizeng Shi

发明人： Hsu Kai Yang ,  Po-Kang Wang ,  Xizeng Shi

IPC分类号： G11C11/06

CPC分类号： G11C29/02 ,  G11C7/20 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1693 ,  G11C29/021 ,  G11C29/023 ,  G11C29/028 ,  G11C29/50012

摘要： A configurable MRAM device is achieved. The device comprises a memory array of magnetic memory cells. A first part of the array comprises the memory cells that can be accessed for reading and writing during normal operation. A second part of the array comprises the memory cells that can be read only during a power up initialization. The second part of the array is used to store configuration data for altering the physical operation of the memory array. Programmable current sources and timing delays use the stored configuration data to optimize device performance. A redundant section of memory cells is activated by the configuration data.

摘要翻译： 实现了可配置的MRAM设备。 该装置包括磁存储单元的存储器阵列。 该阵列的第一部分包括可在正常操作期间被读取和写入的存储器单元。 阵列的第二部分包括只能在上电初始化期间读取的存储器单元。 数组的第二部分用于存储用于更改存储器阵列的物理操作的配置数据。 可编程电流源和定时延迟使用存储的配置数据来优化设备性能。 存储器单元的冗余部分由配置数据激活。