公开(公告)号：US20080003752A1

公开(公告)日：2008-01-03

申请号：US11479903

申请日：2006-06-30

申请人： Matthew V. Metz ,  Mark L. Doczy ,  Suman Datta

发明人： Matthew V. Metz ,  Mark L. Doczy ,  Suman Datta

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/20 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66522

摘要： A method for fabricating a transistor having a Group III-V semiconductor substrate with an oxygen-free dielectric disposed between the substrate and a gate is described.

摘要翻译： 描述了一种用于制造具有设置在基板和栅极之间的无氧电介质的具有III-V族半导体基板的晶体管的方法。

公开(公告)号：US20090166769A1

公开(公告)日：2009-07-02

申请号：US11968099

申请日：2007-12-31

申请人： Matthew V. Metz ,  Mark L. Doczy ,  Gilbert Dewey ,  Jack Kavalieros

发明人： Matthew V. Metz ,  Mark L. Doczy ,  Gilbert Dewey ,  Jack Kavalieros

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28088 ,  H01L21/324 ,  H01L29/105 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785

摘要： Methods of forming a microelectronic structure are described. Those methods may include forming a gate dielectric layer on a substrate, forming a metal gate layer on the gate dielectric layer, and then forming a polysilicon layer on the metal gate layer in situ, wherein the metal gate layer is not exposed to air.

摘要翻译： 描述形成微电子结构的方法。 那些方法可以包括在衬底上形成栅极电介质层，在栅极电介质层上形成金属栅极层，然后在原位在金属栅极层上形成多晶硅层，其中金属栅极层不暴露于空气中。

公开(公告)号：US08021940B2

公开(公告)日：2011-09-20

申请号：US11968099

申请日：2007-12-31

申请人： Matthew V. Metz ,  Mark L. Doczy ,  Gilbert Dewey ,  Jack Kavalieros

发明人： Matthew V. Metz ,  Mark L. Doczy ,  Gilbert Dewey ,  Jack Kavalieros

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/28088 ,  H01L21/324 ,  H01L29/105 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785

摘要： Methods of forming a microelectronic structure are described. Those methods may include forming a gate dielectric layer on a substrate, forming a metal gate layer on the gate dielectric layer, and then forming a polysilicon layer on the metal gate layer in situ, wherein the metal gate layer is not exposed to air.

摘要翻译： 描述形成微电子结构的方法。 那些方法可以包括在衬底上形成栅极电介质层，在栅极电介质层上形成金属栅极层，然后在原位在金属栅极层上形成多晶硅层，其中金属栅极层不暴露于空气中。

公开(公告)号：US20080116485A1

公开(公告)日：2008-05-22

申请号：US11560494

申请日：2006-11-16

申请人： Mantu K. Hudait ,  Suman Datta ,  Jack T. Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

发明人： Mantu K. Hudait ,  Suman Datta ,  Jack T. Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L27/092

CPC分类号： H01L27/0605 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/092

摘要： A group III-V material CMOS device may have NMOS and PMOS portions that are substantially the same through several of their layers. This may make the CMOS device easy to make and prevent coefficient of thermal expansion mismatches between the NMOS and PMOS portions.

摘要翻译： III-V族材料CMOS器件可以具有通过它们的几个层基本上相同的NMOS和PMOS部分。 这可能使CMOS器件易于制造并且防止NMOS和PMOS部分之间的热膨胀失配系数。

公开(公告)号：US20080017891A1

公开(公告)日：2008-01-24

申请号：US11480667

申请日：2006-06-30

申请人： Suman Datta ,  Jack T. Kavalieros ,  Robert S. Chau ,  Mark L. Doczy

发明人： Suman Datta ,  Jack T. Kavalieros ,  Robert S. Chau ,  Mark L. Doczy

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/745

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L21/28525 ,  H01L29/7833

摘要： A system or apparatus including an N-type transistor structure including a gate electrode formed on a substrate and source and drain regions formed in the substrate; a contact to the source region; and a pinning layer disposed between the source region and the first contact and defining an interface between the pinning layer and the source region, wherein the pinning layer has donor-type surface states in a conduction band. A method including forming a transistor structure including a gate electrode on a substrate and source and drain regions formed in the substrate; depositing a pinning layer having donor-type surface states on the source and drain regions such that an interface is defined between the pinning layer and the respective one of the source and drain regions; and forming a first contact to the source region and a second contact to the drain region.

摘要翻译： 一种包括N型晶体管结构的系统或装置，包括形成在衬底上的栅电极和形成在衬底中的源区和漏区; 与源区的联系; 以及钉扎层，其设置在所述源区域和所述第一触点之间并且限定所述钉扎层和所述源区域之间的界面，其中所述钉扎层在导带中具有施主型表面状态。 一种包括在衬底上形成包括栅电极的晶体管结构和形成在衬底中的源极和漏极区的方法; 在源极和漏极区域上沉积具有施主型表面状态的钉扎层，使得在钉扎层与源极和漏极区域中的相应一个之间界定界面; 以及向所述源极区域形成第一接触和向所述漏极区域形成第二接触。

公开(公告)号：US07429747B2

公开(公告)日：2008-09-30

申请号：US11560494

申请日：2006-11-16

申请人： Mantu K. Hudait ,  Suman Datta ,  Jack T. Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

发明人： Mantu K. Hudait ,  Suman Datta ,  Jack T. Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L27/0605 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/092

摘要： A group III-V material CMOS device may have NMOS and PMOS portions that are substantially the same through several of their layers. This may make the CMOS device easy to make and prevent coefficient of thermal expansion mismatches between the NMOS and PMOS portions.

摘要翻译： III-V族材料CMOS器件可以具有通过它们的几个层基本上相同的NMOS和PMOS部分。 这可能使CMOS器件易于制造并且防止NMOS和PMOS部分之间的热膨胀失配系数。

公开(公告)号：US07355254B2

公开(公告)日：2008-04-08

申请号：US11480667

申请日：2006-06-30

申请人： Suman Datta ,  Jack T. Kavalieros ,  Robert S. Chau ,  Mark L. Doczy

发明人： Suman Datta ,  Jack T. Kavalieros ,  Robert S. Chau ,  Mark L. Doczy

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L21/28525 ,  H01L29/7833

摘要： A system or apparatus including an N-type transistor structure including a gate electrode formed on a substrate and source and drain regions formed in the substrate; a contact to the source region; and a pinning layer disposed between the source region and the first contact and defining an interface between the pinning layer and the source region, wherein the pinning layer has donor-type surface states in a conduction band. A method including forming a transistor structure including a gate electrode on a substrate and source and drain regions formed in the substrate; depositing a pinning layer having donor-type surface states on the source and drain regions such that an interface is defined between the pinning layer and the respective one of the source and drain regions; and forming a first contact to the source region and a second contact to the drain region.

摘要翻译： 一种包括N型晶体管结构的系统或装置，包括形成在衬底上的栅电极和形成在衬底中的源区和漏区; 与源区的联系; 以及钉扎层，其设置在所述源区域和所述第一触点之间并且限定所述钉扎层和所述源区域之间的界面，其中所述钉扎层在导带中具有施主型表面状态。 一种包括在衬底上形成包括栅电极的晶体管结构和形成在衬底中的源极和漏极区的方法; 在源极和漏极区域上沉积具有施主型表面状态的钉扎层，使得在钉扎层与源极和漏极区域中的相应一个之间界定界面; 以及向所述源极区域形成第一接触和向所述漏极区域形成第二接触。

公开(公告)号：US09054302B2

公开(公告)日：2015-06-09

申请号：US14313690

申请日：2014-06-24

申请人： Brian S. Doyle ,  Charles C. Kuo ,  Kaan Oguz ,  Uday Shah ,  Elijah V. Karpov ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

发明人： Brian S. Doyle ,  Charles C. Kuo ,  Kaan Oguz ,  Uday Shah ,  Elijah V. Karpov ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01F10/32 ,  H01L43/10 ,  H01L27/22

CPC分类号： H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  G11C11/18 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： Perpendicular spin transfer torque memory (STTM) devices with enhanced stability and methods of fabricating perpendicular STTM devices with enhanced stability are described. For example, a material layer stack for a magnetic tunneling junction includes a fixed magnetic layer. A dielectric layer is disposed above the fixed magnetic layer. A free magnetic layer is disposed above the dielectric layer. A conductive oxide material layer is disposed on the free magnetic layer.

摘要翻译： 描述了具有增强的稳定性的垂直自旋转移转矩存储器（STTM）装置和制造具有增强的稳定性的垂直STTM装置的方法。 例如，用于磁隧道结的材料层堆叠包括固定磁性层。 电介质层设置在固定磁性层的上方。 自由磁性层设置在电介质层的上方。 导电氧化物材料层设置在自由磁性层上。

公开(公告)号：US20140308760A1

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：US14313690

申请日：2014-06-24

申请人： Brian S. Doyle ,  Charles C. Kuo ,  Kaan Oguz ,  Uday Shah ,  Elijah V. Karpov ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

发明人： Brian S. Doyle ,  Charles C. Kuo ,  Kaan Oguz ,  Uday Shah ,  Elijah V. Karpov ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L43/12

CPC分类号： H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  G11C11/18 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： Perpendicular spin transfer torque memory (STTM) devices with enhanced stability and methods of fabricating perpendicular STTM devices with enhanced stability are described. For example, a material layer stack for a magnetic tunneling junction includes a fixed magnetic layer. A dielectric layer is disposed above the fixed magnetic layer. A free magnetic layer is disposed above the dielectric layer. A conductive oxide material layer is disposed on the free magnetic layer.

公开(公告)号：US08796797B2

公开(公告)日：2014-08-05

申请号：US13723893

申请日：2012-12-21

申请人： Brian S. Doyle ,  Charles C. Kuo ,  Kaan Oguz ,  Uday Shah ,  Elijah V. Karpov ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

发明人： Brian S. Doyle ,  Charles C. Kuo ,  Kaan Oguz ,  Uday Shah ,  Elijah V. Karpov ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  G11C11/18 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： Perpendicular spin transfer torque memory (STTM) devices with enhanced stability and methods of fabricating perpendicular STTM devices with enhanced stability are described. For example, a material layer stack for a magnetic tunneling junction includes a fixed magnetic layer. A dielectric layer is disposed above the fixed magnetic layer. A free magnetic layer is disposed above the dielectric layer. A conductive oxide material layer is disposed on the free magnetic layer.

摘要翻译： 描述了具有增强的稳定性的垂直自旋转移转矩存储器（STTM）装置和制造具有增强的稳定性的垂直STTM装置的方法。 例如，用于磁隧道结的材料层堆叠包括固定磁性层。 电介质层设置在固定磁性层的上方。 自由磁性层设置在电介质层的上方。 导电氧化物材料层设置在自由磁性层上。