Titanium nitride hard mask and etch residue removal
    14.
    发明授权
    Titanium nitride hard mask and etch residue removal 有权
    氮化钛硬掩模和蚀刻残留物去除

    公开(公告)号:US09222018B1

    公开(公告)日:2015-12-29

    申请号:US14642831

    申请日:2015-03-10

    摘要: Formulations for stripping titanium nitride (TiN or TiNxOy; x=0 to 1.3 and y=0 to 2) hard mask and removing titanium nitride etch residue are low pH (

    摘要翻译: 用于剥离氮化钛(TiN或TiN x O y; x = 0至1.3和y = 0至2)的硬掩模和去除氮化钛蚀刻残留物的制剂是低pH(<4)包含具有在其整个结构中高度分散的负电荷的弱配位阴离子 ,胺盐缓冲液,非氧化痕量金属离子,非环境痕量氧化剂,剩余的是选自水,环丁砜,二甲基硫醚,乳酸,乙二醇及其混合物的溶剂。 制剂不含过氧化氢,并暴露于空气中。 可将氟化物,缓蚀剂,表面活性剂加入制剂中。 系统和方法使用用于汽提氮化钛硬掩模和去除氮化钛蚀刻残留物的配方。