公开(公告)号：US20060024935A1

公开(公告)日：2006-02-02

申请号：US10903319

申请日：2004-07-30

申请人： Duofeng Yue ,  Peijun Chen ,  Sue Crank ,  Thomas Bonifield ,  Jiong-Ping Lu ,  Jie-Jie Xu

发明人： Duofeng Yue ,  Peijun Chen ,  Sue Crank ,  Thomas Bonifield ,  Jiong-Ping Lu ,  Jie-Jie Xu

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/6659

摘要： The present invention provides a method of manufacturing a metal silicide electrode (100) for a semiconductor device (110). The method comprises implanting small atoms into an nMOS semiconductor substrate (130) to a depth (132) no greater than about 30 nanometers into the nMOS semiconductor substrate. The method further comprises depositing a transition metal layer (400) over the nMOS semiconductor substrate. The transition metal layer and the nMOS semiconductor substrate are reacted to form the metal silicide electrode. Other aspects of the present invention include a method of manufacturing an integrated circuit (700).

摘要翻译： 本发明提供一种制造用于半导体器件（110）的金属硅化物电极（100）的方法。 该方法包括将小原子注入nMOS半导体衬底（130）至nMOS半导体衬底中不大于约30纳米的深度（132）。 该方法还包括在nMOS半导体衬底上沉积过渡金属层（400）。 使过渡金属层和nMOS半导体衬底反应以形成金属硅化物电极。 本发明的其它方面包括制造集成电路（700）的方法。

公开(公告)号：US20060024963A1

公开(公告)日：2006-02-02

申请号：US10903716

申请日：2004-07-30

申请人： Doufeng Yue ,  Noel Russell ,  Peijun Chen ,  Douglas Mercer

发明人： Doufeng Yue ,  Noel Russell ,  Peijun Chen ,  Douglas Mercer

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823443 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823835 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： The present invention provides a method of manufacturing a metal silicide electrode (100) for a semiconductor device (110). The method comprises depositing by physical vapor deposition, germanium atoms (120) and transition metal atoms (130) to form a metal-germanium alloy layer (140) on a semiconductor substrate (150). The metal-germanium alloy layer and the semiconductor substrate are reacted to form a metal silicide electrode. Other aspects of the present invention include a method of manufacturing an integrated circuit (400).

摘要翻译： 本发明提供一种制造用于半导体器件（110）的金属硅化物电极（100）的方法。 该方法包括通过物理气相沉积，锗原子（120）和过渡金属原子（130）沉积以在半导体衬底（150）上形成金属 - 锗合金层（140）。 使金属锗合金层和半导体基板反应形成金属硅化物电极。 本发明的其它方面包括制造集成电路（400）的方法。

公开(公告)号：US20050208762A1

公开(公告)日：2005-09-22

申请号：US10903805

申请日：2004-07-30

申请人： Peijun Chen ,  Duofeng Yue ,  Douglas Mercer ,  Noel Russell

发明人： Peijun Chen ,  Duofeng Yue ,  Douglas Mercer ,  Noel Russell

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L21/44 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823443 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823835 ,  H01L29/665 ,  H01L29/78

摘要： The present invention provides a method of manufacturing a metal silicide electrode (100) for a semiconductor device (110). The method comprises depositing by physical vapor deposition, halogen atoms (120) and transition metal atoms (130) to form a halogen-containing metal layer (140) on a semiconductor substrate (150). The halogen-containing metal layer and the semiconductor substrate are reacted to form a metal silicide electrode. Other aspects of the present invention include a method of manufacturing an integrated circuit (400) comprising the metal silicide electrode.

摘要翻译： 本发明提供一种制造用于半导体器件（110）的金属硅化物电极（100）的方法。 该方法包括通过物理气相沉积沉积卤素原子（120）和过渡金属原子（130）以在半导体衬底（150）上形成含卤素的金属层（140）。 使含卤素金属层和半导体基板反应形成金属硅化物电极。 本发明的其它方面包括制造包括金属硅化物电极的集成电路（400）的方法。

公开(公告)号：US6140243A

公开(公告)日：2000-10-31

申请号：US988570

申请日：1997-12-11

申请人： Robert M. Wallace ,  Peijun Chen ,  S. Charles Baber ,  Steven A. Henck

发明人： Robert M. Wallace ,  Peijun Chen ,  S. Charles Baber ,  Steven A. Henck

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/02068 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321 ,  H01L21/32136

摘要： An integrated circuit fabrication process in which residual fluorine contamination on metal surfaces after ashing is removed by exposure to an NH.sub.3 /O.sub.2 plasma.

摘要翻译： 集成电路制造工艺，其中通过暴露于NH 3 / O 2等离子体去除灰化后金属表面上的残留氟污染。