公开(公告)号：US07982253B2

公开(公告)日：2011-07-19

申请号：US12184819

申请日：2008-08-01

申请人： Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Carolin Tolksdorf ,  Winfried Kaindl ,  Armin Willmeroth

发明人： Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Carolin Tolksdorf ,  Winfried Kaindl ,  Armin Willmeroth

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L27/0808 ,  H01L21/26513 ,  H01L27/0811 ,  H01L27/088 ,  H01L29/7836

摘要： A semiconductor device with a dynamic gate drain capacitance. One embodiment provides a semiconductor device. The device includes a semiconductor substrate, a field effect transistor structure including a source region, a first body region, a drain region, a gate electrode structure and a gate insulating layer. The gate insulating layer is arranged between the gate electrode structure and the body region. The gate electrode structure and the drain region partially form a capacitor structure including a gate-drain capacitance configured to dynamically change with varying reverse voltages applied between the source and drain regions. The gate-drain capacitance includes at least one local maximum at a given threshold or a plateau-like course at given reverse voltage.

摘要翻译： 具有动态栅极漏极电容的半导体器件。 一个实施例提供一种半导体器件。 该器件包括半导体衬底，场效应晶体管结构，其包括源区，第一体区，漏区，栅电极结构和栅极绝缘层。 栅极绝缘层设置在栅电极结构和体区之间。 栅极电极结构和漏极区域部分地形成电容器结构，其包括栅极 - 漏极电容，该栅极 - 漏极电容被配置为随着施加在源极和漏极区域之间的变化的反向电压而动态地改变。 栅极 - 漏极电容在给定的阈值下包括至少一个局部最大值，或者在给定的反向电压下包括平台状过程。

公开(公告)号：US07777278B2

公开(公告)日：2010-08-17

申请号：US12020197

申请日：2008-01-25

申请人： Franz Hirler ,  Armin Willmeroth ,  Markus Schmitt ,  Carolin Tolksdorf ,  Gerald Deboy ,  Ralf Henninger ,  Uwe Wahl

发明人： Franz Hirler ,  Armin Willmeroth ,  Markus Schmitt ,  Carolin Tolksdorf ,  Gerald Deboy ,  Ralf Henninger ,  Uwe Wahl

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/407 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0852 ,  H01L29/404 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

摘要： A semiconductor component is described. In one embodiment, the semiconductor component includes a semiconductor body with a first side and a second side. A drift zone is provided, which is arranged in the semiconductor body below the first side and extends in a first lateral direction of the semiconductor body between a first and a second doped terminal zone. At least one field electrode is provided, which is arranged in the drift zone, extends into the drift zone proceeding from the first side and is configured in a manner electrically insulated from the semiconductor body.

摘要翻译： 描述半导体部件。 在一个实施例中，半导体部件包括具有第一侧和第二侧的半导体本体。 提供了漂移区，其布置在第一侧下方的半导体本体中，并且在第一和第二掺杂末端区之间沿半导体本体的第一横向方向延伸。 设置至少一个场电极，其布置在漂移区中，从第一侧延伸到漂移区，并且以与半导体本体电绝缘的方式配置。

公开(公告)号：US20080179672A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US12020197

申请日：2008-01-25

申请人： Franz Hirler ,  Armin Willmeroth ,  Markus Schmitt ,  Carolin Tolksdorf ,  Gerald Deboy ,  Ralf Henninger

发明人： Franz Hirler ,  Armin Willmeroth ,  Markus Schmitt ,  Carolin Tolksdorf ,  Gerald Deboy ,  Ralf Henninger

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/861

CPC分类号： H01L29/407 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0852 ,  H01L29/404 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

摘要： A semiconductor component is described. In one embodiment, the semiconductor component includes a semiconductor body with a first side and a second side. A drift zone is provided, which is arranged in the semiconductor body below the first side and extends in a first lateral direction of the semiconductor body between a first and a second doped terminal zone. At least one field electrode is provided, which is arranged in the drift zone, extends into the drift zone proceeding from the first side and is configured in a manner electrically insulated from the semiconductor body.

摘要翻译： 描述半导体部件。 在一个实施例中，半导体部件包括具有第一侧和第二侧的半导体本体。 提供了漂移区，其布置在第一侧下方的半导体本体中，并且在第一和第二掺杂末端区之间沿半导体本体的第一横向方向延伸。 设置至少一个场电极，其布置在漂移区中，从第一侧延伸到漂移区，并且以与半导体本体电绝缘的方式配置。

公开(公告)号：US20060006386A1

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：US10926581

申请日：2004-08-25

申请人： Franz Hirler ,  Armin Willmeroth ,  Markus Schmitt ,  Carolin Tolksdorf ,  Uwe Wahl ,  Gerald Deboy ,  Ralf Henninger

发明人： Franz Hirler ,  Armin Willmeroth ,  Markus Schmitt ,  Carolin Tolksdorf ,  Uwe Wahl ,  Gerald Deboy ,  Ralf Henninger

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L29/407 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0852 ,  H01L29/404 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

摘要： A semiconductor component is described. In one embodiment, the semiconductor component includes a semiconductor body with a first side and a second side. A drift zone is provided, which is arranged in the semiconductor body below the first side and extends in a first lateral direction of the semiconductor body between a first and a second doped terminal zone. At least one field electrode is provided, which is arranged in the drift zone, extends into the drift zone proceeding from the first side and is configured in a manner electrically insulated from the semiconductor body.

摘要翻译： 描述半导体部件。 在一个实施例中，半导体部件包括具有第一侧和第二侧的半导体本体。 提供了漂移区，其布置在第一侧下方的半导体本体中，并且在第一和第二掺杂末端区之间沿半导体本体的第一横向方向延伸。 设置至少一个场电极，其布置在漂移区中，从第一侧延伸到漂移区，并且以与半导体本体电绝缘的方式配置。

公开(公告)号：US20100078775A1

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：US12241985

申请日：2008-09-30

申请人： Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Armin Willmeroth ,  Michael Rueb ,  Holger Kapels

发明人： Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Armin Willmeroth ,  Michael Rueb ,  Holger Kapels

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/36 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7811

摘要： A semiconductor device has a cell field with drift zones of a first type of conductivity and charge carrier compensation zones of a second type of conductivity complementary to the first type. An edge region which surrounds the cell field has a higher blocking strength than the cell field, the edge region having a near-surface area which is undoped to more weakly doped than the drift zones, and beneath the near-surface area at least one buried, vertically extending complementarily doped zone is positioned.

摘要翻译： 半导体器件具有具有与第一类型互补的第二导电类型的漂移区和具有第二类型导电性的电荷载体补偿区的电池区。 围绕细胞场的边缘区域具有比细胞场更高的阻挡强度，边缘区域具有未漂移至比漂移区更弱掺杂的近表面区域，并且在近表面区域下方至少有一个埋置 垂直延伸的互补掺杂区定位。

公开(公告)号：US08716792B2

公开(公告)日：2014-05-06

申请号：US12241985

申请日：2008-09-30

申请人： Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Armin Willmeroth ,  Michael Rueb ,  Holger Kapels

发明人： Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Armin Willmeroth ,  Michael Rueb ,  Holger Kapels

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/36 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7811

摘要： A semiconductor device has a cell field with drift zones of a first type of conductivity and charge carrier compensation zones of a second type of conductivity complementary to the first type. An edge region which surrounds the cell field has a higher blocking strength than the cell field, the edge region having a near-surface area which is undoped to more weakly doped than the drift zones, and beneath the near-surface area at least one buried, vertically extending complementarily doped zone is positioned.

摘要翻译： 半导体器件具有具有与第一类型互补的第二导电类型的漂移区和具有第二类型导电性的电荷载体补偿区的电池区。 围绕细胞场的边缘区域具有比细胞场更高的阻挡强度，边缘区域具有未漂移至比漂移区更弱掺杂的近表面区域，并且在近表面区域下方至少有一个埋置 垂直延伸的互补掺杂区定位。

公开(公告)号：US20110241104A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：US13161130

申请日：2011-06-15

申请人： Armin Willmeroth ,  Winfried Kaindl ,  Carolin Tolksdorf ,  Michael Rueb

发明人： Armin Willmeroth ,  Winfried Kaindl ,  Carolin Tolksdorf ,  Michael Rueb

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7396

摘要： An integrated circuit device includes a semiconductor body fitted with a first electrode and a second electrode on opposite surfaces. A control electrode on an insulating layer controls channel regions of body zones for a current flow between the two electrodes. A drift section adjoining the channel regions comprises drift zones and charge compensation zones. A part of the charge compensation zones includes conductively connected charge compensation zones electrically connected to the first electrode. Another part includes nearly-floating charge compensation zones, so that an increased control electrode surface has a monolithically integrated additional capacitance CZGD in a cell region of the semiconductor device.

摘要翻译： 集成电路器件包括在相对表面上装配有第一电极和第二电极的半导体本体。 绝缘层上的控制电极控制两个电极之间电流的体区的通道区域。 与沟道区相邻的漂移区包括漂移区和电荷补偿区。 电荷补偿区域的一部分包括与第一电极电连接的导电连接的电荷补偿区。 另一部分包括几乎浮动的电荷补偿区，使得增加的控制电极表面在半导体器件的单元区域中具有单片集成的附加电容CZGD。

公开(公告)号：US08294206B2

公开(公告)日：2012-10-23

申请号：US13161130

申请日：2011-06-15

申请人： Armin Willmeroth ,  Winfried Kaindl ,  Carolin Tolksdorf ,  Michael Rueb

发明人： Armin Willmeroth ,  Winfried Kaindl ,  Carolin Tolksdorf ,  Michael Rueb

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7396

摘要： An integrated circuit device includes a semiconductor body fitted with a first electrode and a second electrode on opposite surfaces. A control electrode on an insulating layer controls channel regions of body zones for a current flow between the two electrodes. A drift section adjoining the channel regions comprises drift zones and charge compensation zones. A part of the charge compensation zones includes conductively connected charge compensation zones electrically connected to the first electrode. Another part includes nearly-floating charge compensation zones, so that an increased control electrode surface has a monolithically integrated additional capacitance CZGD in a cell region of the semiconductor device.

摘要翻译： 集成电路器件包括在相对表面上装配有第一电极和第二电极的半导体本体。 绝缘层上的控制电极控制两个电极之间电流的体区的通道区域。 与沟道区相邻的漂移区包括漂移区和电荷补偿区。 电荷补偿区域的一部分包括与第一电极电连接的导电连接的电荷补偿区。 另一部分包括几乎浮动的电荷补偿区，使得增加的控制电极表面在半导体器件的单元区域中具有单片集成的附加电容CZGD。

公开(公告)号：US20090159927A1

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：US11963057

申请日：2007-12-21

申请人： Armin Willmeroth ,  Winfried Kaindl ,  Carolin Tolksdorf ,  Michael Rueb

发明人： Armin Willmeroth ,  Winfried Kaindl ,  Carolin Tolksdorf ,  Michael Rueb

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7396

摘要： An integrated circuit device includes a semiconductor body fitted with a first electrode and a second electrode on opposite surfaces. A control electrode on an insulating layer controls channel regions of body zones for a current flow between the two electrodes. A drift section adjoining the channel regions comprises drift zones and charge compensation zones. A part of the charge compensation zones includes conductively connected charge compensation zones electrically connected to the first electrode. Another part includes nearly-floating charge compensation zones, so that an increased control electrode surface has a monolithically integrated additional capacitance CZGD in a cell region of the semiconductor device.

摘要翻译： 集成电路器件包括在相对表面上装配有第一电极和第二电极的半导体本体。 绝缘层上的控制电极控制两个电极之间电流的体区的通道区域。 与沟道区相邻的漂移区包括漂移区和电荷补偿区。 电荷补偿区域的一部分包括与第一电极电连接的导电连接的电荷补偿区。 另一部分包括几乎浮动的电荷补偿区，使得增加的控制电极表面在半导体器件的单元区域中具有单片集成的附加电容CZGD。

公开(公告)号：US20080203470A1

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：US11712340

申请日：2007-02-28

申请人： Armin Willmeroth ,  Michael Rueb ,  Holger Kapels ,  Carolin Tolksdorf ,  Giulliano Rocco Aloise

发明人： Armin Willmeroth ,  Michael Rueb ,  Holger Kapels ,  Carolin Tolksdorf ,  Giulliano Rocco Aloise

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7835 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/36 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66659

摘要： A transistor is provided which includes a lateral compensation component. The lateral compensation component includes a plurality of n (or n−) layer/p (or p−) layer pairs, wherein adjacent ones of said pairs are separated by one of an insulator region and/or an intrinsic silicon region.

摘要翻译： 提供了包括横向补偿部件的晶体管。 横向补偿分量包括多个n（或n）层/ p（或p-）层对，其中所述对中的相邻对由绝缘体区域和/或本征硅区域之一分隔开。