公开(公告)号：US20060006386A1

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：US10926581

申请日：2004-08-25

申请人： Franz Hirler ,  Armin Willmeroth ,  Markus Schmitt ,  Carolin Tolksdorf ,  Uwe Wahl ,  Gerald Deboy ,  Ralf Henninger

发明人： Franz Hirler ,  Armin Willmeroth ,  Markus Schmitt ,  Carolin Tolksdorf ,  Uwe Wahl ,  Gerald Deboy ,  Ralf Henninger

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L29/407 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0852 ,  H01L29/404 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

摘要： A semiconductor component is described. In one embodiment, the semiconductor component includes a semiconductor body with a first side and a second side. A drift zone is provided, which is arranged in the semiconductor body below the first side and extends in a first lateral direction of the semiconductor body between a first and a second doped terminal zone. At least one field electrode is provided, which is arranged in the drift zone, extends into the drift zone proceeding from the first side and is configured in a manner electrically insulated from the semiconductor body.

摘要翻译： 描述半导体部件。 在一个实施例中，半导体部件包括具有第一侧和第二侧的半导体本体。 提供了漂移区，其布置在第一侧下方的半导体本体中，并且在第一和第二掺杂末端区之间沿半导体本体的第一横向方向延伸。 设置至少一个场电极，其布置在漂移区中，从第一侧延伸到漂移区，并且以与半导体本体电绝缘的方式配置。

公开(公告)号：US07777278B2

公开(公告)日：2010-08-17

申请号：US12020197

申请日：2008-01-25

申请人： Franz Hirler ,  Armin Willmeroth ,  Markus Schmitt ,  Carolin Tolksdorf ,  Gerald Deboy ,  Ralf Henninger ,  Uwe Wahl

发明人： Franz Hirler ,  Armin Willmeroth ,  Markus Schmitt ,  Carolin Tolksdorf ,  Gerald Deboy ,  Ralf Henninger ,  Uwe Wahl

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/407 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0852 ,  H01L29/404 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

摘要： A semiconductor component is described. In one embodiment, the semiconductor component includes a semiconductor body with a first side and a second side. A drift zone is provided, which is arranged in the semiconductor body below the first side and extends in a first lateral direction of the semiconductor body between a first and a second doped terminal zone. At least one field electrode is provided, which is arranged in the drift zone, extends into the drift zone proceeding from the first side and is configured in a manner electrically insulated from the semiconductor body.

摘要翻译： 描述半导体部件。 在一个实施例中，半导体部件包括具有第一侧和第二侧的半导体本体。 提供了漂移区，其布置在第一侧下方的半导体本体中，并且在第一和第二掺杂末端区之间沿半导体本体的第一横向方向延伸。 设置至少一个场电极，其布置在漂移区中，从第一侧延伸到漂移区，并且以与半导体本体电绝缘的方式配置。

公开(公告)号：US20080179672A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US12020197

申请日：2008-01-25

申请人： Franz Hirler ,  Armin Willmeroth ,  Markus Schmitt ,  Carolin Tolksdorf ,  Gerald Deboy ,  Ralf Henninger

发明人： Franz Hirler ,  Armin Willmeroth ,  Markus Schmitt ,  Carolin Tolksdorf ,  Gerald Deboy ,  Ralf Henninger

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/861

CPC分类号： H01L29/407 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0852 ,  H01L29/404 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

摘要： A semiconductor component is described. In one embodiment, the semiconductor component includes a semiconductor body with a first side and a second side. A drift zone is provided, which is arranged in the semiconductor body below the first side and extends in a first lateral direction of the semiconductor body between a first and a second doped terminal zone. At least one field electrode is provided, which is arranged in the drift zone, extends into the drift zone proceeding from the first side and is configured in a manner electrically insulated from the semiconductor body.

摘要翻译： 描述半导体部件。 在一个实施例中，半导体部件包括具有第一侧和第二侧的半导体本体。 提供了漂移区，其布置在第一侧下方的半导体本体中，并且在第一和第二掺杂末端区之间沿半导体本体的第一横向方向延伸。 设置至少一个场电极，其布置在漂移区中，从第一侧延伸到漂移区，并且以与半导体本体电绝缘的方式配置。

公开(公告)号：US07005351B2

公开(公告)日：2006-02-28

申请号：US10392024

申请日：2003-03-19

申请人： Ralf Henninger ,  Franz Hirler ,  Joachim Krumrey ,  Walter Rieger ,  Martin Pölzl ,  Heimo Hofer

发明人： Ralf Henninger ,  Franz Hirler ,  Joachim Krumrey ,  Walter Rieger ,  Martin Pölzl ,  Heimo Hofer

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7811 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7813

摘要： A method for fabricating a transistor configuration including at least one trench transistor cell has a gate electrode and a field electrode disposed in a trench below the gate electrode. The trenches are formed in a semiconductor substrate. A drift zone, a channel zone, and a source zone are in each case provided in the semiconductor substrate. According to the invention, the source zone and/or the channel zone are formed at the earliest after the introduction of the trenches into the semiconductor substrate by implantation and diffusion.

摘要翻译： 制造包括至少一个沟槽晶体管单元的晶体管配置的方法具有设置在栅电极下方的沟槽中的栅电极和场电极。 沟槽形成在半导体衬底中。 在半导体衬底中设置漂移区，沟道区和源极区。 根据本发明，在通过注入和扩散将沟槽引入半导体衬底之后，最初形成源极区和/或沟道区。

公开(公告)号：US07091573B2

公开(公告)日：2006-08-15

申请号：US10666228

申请日：2003-09-18

申请人： Franz Hirler ,  Jenoe Tihanyi ,  Ralf Henninger ,  Joachim Krumrey ,  Martin Poelzl ,  Walter Rieger

发明人： Franz Hirler ,  Jenoe Tihanyi ,  Ralf Henninger ,  Joachim Krumrey ,  Martin Poelzl ,  Walter Rieger

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42376

摘要： The power transistor has a trench cell in a semiconductor body. A lower edge of the gate electrode has a profile which is not horizontal, i.e., not planar with respect to the field electrode.

摘要翻译： 功率晶体管在半导体本体中具有沟槽单元。 栅电极的下边缘具有不是水平的轮廓，即相对于场电极不是平面的。

公开(公告)号：US20050194629A1

公开(公告)日：2005-09-08

申请号：US11067500

申请日：2005-02-25

申请人： Ralf Henninger ,  Franz Hirler

发明人： Ralf Henninger ,  Franz Hirler

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L29/7811 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7813

摘要： A trench transistor has a cell array, in which at least one cell array trench (2) is provided, and an edge structure framing the cell array. An edge trench (15) spaced apart from the cell array trenches (2) is provided in the edge structure.

摘要翻译： 沟槽晶体管具有其中提供至少一个单元阵列沟槽（2）的单元阵列和构成单元阵列的边缘结构。 在边缘结构中设置与单元阵列沟槽（2）间隔开的边缘沟槽（15）。

公开(公告)号：US06806533B2

公开(公告)日：2004-10-19

申请号：US10402872

申请日：2003-03-28

申请人： Ralf Henninger ,  Franz Hirler ,  Joachim Krumrey ,  Markus Zundel ,  Walter Rieger ,  Martin Pölzl

发明人： Ralf Henninger ,  Franz Hirler ,  Joachim Krumrey ,  Markus Zundel ,  Walter Rieger ,  Martin Pölzl

IPC分类号： H01L2972

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7811

摘要： A semiconductor component has a cell array formed in a semiconductor body with a number of identical transistor cells and at least one edge cell formed at an edge of the cell array. Each of the transistor cells has a control electrode, which is formed in a trench, and the edge cell has a field plate, which is formed in a trench, with a distance between the trench of the edge cell and the trench of the immediately adjacent transistor cell being less than the distance between a trench of a transistor cell and the trench of an immediately adjacent transistor cell in the cell array.

摘要翻译： 半导体元件具有形成在具有多个相同晶体管单元的半导体本体中的单元阵列和形成在单元阵列的边缘处的至少一个边沿单元。 每个晶体管单元具有形成在沟槽中的控制电极，并且边缘单元具有形成在沟槽中的场板，边缘电池的沟槽与紧邻的沟槽之间的距离 晶体管单元小于晶体管单元的沟槽与单元阵列中紧邻的晶体管单元的沟槽之间的距离。

公开(公告)号：US07060562B2

公开(公告)日：2006-06-13

申请号：US11051248

申请日：2005-02-04

申请人： Ralf Henninger ,  Franz Hirler ,  Uli Hiller ,  Jan Ropohl

发明人： Ralf Henninger ,  Franz Hirler ,  Uli Hiller ,  Jan Ropohl

IPC分类号： H01L21/22 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236

摘要： A method for fabricating gate electrodes (7) in a field plate trench transistor (1) having a cell array with a plurality of trenches (3) and a plurality of mesa regions (8) arranged between the trenches comprises the following steps: application of a gate electrode layer (7) to the cell array in such a way that the gate electrode layer (7) has depressions within or above the trenches (3), application of a mask layer (10) to the cell array, etching-back of the mask layer (10) in such a way that mask layer residues (10) remain only within the depressions of the gate electrode layer (7), and etching-back of the gate electrode layer (7) using the mask layer residues (10) as an etching mask in such a way that gate electrode layer residues (7) remain only within/above the trenches (3).

摘要翻译： 一种用于在具有多个沟槽（3）的单元阵列和布置在沟槽之间的多个台面区域（8）的场板式沟槽晶体管（1）中制造栅极（7）的方法包括以下步骤： 栅极电极层（7）以使得栅极电极层（7）在沟槽（3）内或上方具有凹陷的方式，将掩模层（10）施加到电池阵列，蚀刻回到电池阵列 掩模层（10）的掩模层残留物（10）仅保留在栅极电极层（7）的凹部内，并且使用掩模层残留物（7）蚀刻掉栅电极层（7） 10）作为蚀刻掩模，使得栅极电极层残余物（7）仅保留在沟槽（3）内/上方。

公开(公告)号：US20050082591A1

公开(公告)日：2005-04-21

申请号：US10927948

申请日：2004-08-27

申请人： Franz Hirler ,  Ralf Henninger ,  Frank Pfirsch ,  Markus Zundel ,  Jenoe Tihanyi

发明人： Franz Hirler ,  Ralf Henninger ,  Frank Pfirsch ,  Markus Zundel ,  Jenoe Tihanyi

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861

摘要： The invention relates to a method for fabricating a drift zone of a vertical semiconductor component and to a vertical semiconductor component having the following features: a semiconductor body (100) having a first side (101) and a second side (102), a drift zone (30) of a first conduction type which is arranged in the region between the first and the second sides (101, 102) and is formed for the purpose of taking up a reverse voltage, a field electrode arrangement arranged in the drift zone (30) and having at least one electrically conducted field electrode (40; 40A-40E; 90A-90J) arranged in a manner insulated from the semiconductor body (100), an electrical potential of the at least one field electrode (40; 40A-40E; 90A-90J) varying in the vertical direction of the semiconductor body (100) at least when a reverse voltage is applied.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于制造垂直半导体部件和具有以下特征的垂直半导体部件的漂移区的方法：具有第一侧（101）和第二侧（102）的半导体本体（100），漂移 第一导电类型的区域（30）布置在第一和第二侧面（101,102）之间的区域中并且被形成为用于吸收反向电压的目的，设置在漂移区域中的场电极布置（ 30），并且具有以与半导体本体（100）绝缘的方式布置的至少一个导电场电极（40; 40A-40E; 90A-90J），所述至少一个场电极 40; 40A-40E; 90A-90J），至少在施加反向电压时，在半导体本体（100）的垂直方向上变化。

公开(公告)号：US07173306B2

公开(公告)日：2007-02-06

申请号：US10927948

申请日：2004-08-27

申请人： Franz Hirler ,  Ralf Henninger ,  Frank Pfirsch ,  Markus Zundel ,  Jenoe Tihanyi

发明人： Franz Hirler ,  Ralf Henninger ,  Frank Pfirsch ,  Markus Zundel ,  Jenoe Tihanyi

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861

摘要： The invention relates to a method for fabricating a drift zone of a vertical semiconductor component and to a vertical semiconductor component having the following features: a semiconductor body (100) having a first side (101) and a second side (102), a drift zone (30) of a first conduction type which is arranged in the region between the first and the second sides (101, 102) and is formed for the purpose of taking up a reverse voltage, a field electrode arrangement arranged in the drift zone (30) and having at least one electrically conducted field electrode (40; 40A–40E; 90A–90J) arranged in a manner insulated from the semiconductor body (100), an electrical potential of the at least one field electrode (40; 40A–40E; 90A–90J) varying in the vertical direction of the semiconductor body (100) at least when a reverse voltage is applied.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于制造垂直半导体部件和具有以下特征的垂直半导体部件的漂移区的方法：具有第一侧（101）和第二侧（102）的半导体本体（100），漂移 第一导电类型的区域（30）布置在第一和第二侧面（101,102）之间的区域中并且被形成为用于吸收反向电压的目的，设置在漂移区域中的场电极布置（ 30），并且具有以与半导体本体（100）绝缘的方式布置的至少一个导电场电极（40; 40A-40E; 90A-90J），所述至少一个场电极 40; 40A-40E; 90A-90J），至少在施加反向电压时，在半导体本体（100）的垂直方向上变化。