公开(公告)号：US20110298156A1

公开(公告)日：2011-12-08

申请号：US13076810

申请日：2011-03-31

申请人： Andrew Hooper ,  David Barsic ,  Kelly J. Bruland ,  Daragh S. Finn ,  Lynn Sheehan ,  Xiaoyuan Peng ,  Yasu Osako ,  Jim Dumestre ,  William J. Jordens

发明人： Andrew Hooper ,  David Barsic ,  Kelly J. Bruland ,  Daragh S. Finn ,  Lynn Sheehan ,  Xiaoyuan Peng ,  Yasu Osako ,  Jim Dumestre ,  William J. Jordens

IPC分类号： B29C35/08

CPC分类号： H01S3/102 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/064 ,  B23K26/389 ,  B23K26/40 ,  B23K26/705 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01S3/0057 ,  H01S3/1305 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

摘要： Tailored laser pulse shapes are used for processing workpieces. Laser dicing of semiconductor device wafers on die-attach film (DAF), for example, may use different tailored laser pulse shapes for scribing device layers down to a semiconductor substrate, dicing the semiconductor substrate, cutting the underlying DAF, and/or post processing of the upper die edges to increase die break strength. Different mono-shape laser pulse trains may be used for respective recipe steps or passes of a laser beam over a scribe line. In another embodiment, scribing a semiconductor device wafer includes only a single pass of a laser beam along a scribe line using a mixed-shape laser pulse train that includes at least two laser pulses that are different than one another. In addition, or in other embodiments, one or more tailored pulse shapes may be selected and provided to the workpiece on-the-fly. The selection may be based on sensor feedback.

摘要翻译： 定制的激光脉冲形状用于加工工件。 例如，半导体器件晶片在芯片附着膜（DAF）上的激光切割可以使用不同的定制的激光脉冲形状，用于将器件层划分到半导体衬底，切割半导体衬底，切割下面的DAF和/或后处理 的上模边缘以增加冲模强度。 不同的单形激光脉冲序列可以用于激光束在划线上的相应配方步骤或通过。 在另一个实施例中，划线半导体器件晶片仅使用包括彼此不同的至少两个激光脉冲的混合形激光脉冲串沿着划线的激光束的单次通过。 另外，或者在其他实施例中，可以选择一个或多个定制的脉冲形状并将其提供给工件。 选择可以基于传感器反馈。

公开(公告)号：US20090245302A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：US12060076

申请日：2008-03-31

申请人： Brian W. Baird ,  Clint R. Vandergiessen ,  Steve Swaringen ,  Robert Hainsey ,  Yunlong Sun ,  Kelly J. Bruland ,  Andrew Hooper

发明人： Brian W. Baird ,  Clint R. Vandergiessen ,  Steve Swaringen ,  Robert Hainsey ,  Yunlong Sun ,  Kelly J. Bruland ,  Andrew Hooper

IPC分类号： H01S3/10

CPC分类号： H01S3/1305 ,  B23K26/0622 ,  H01S3/0057 ,  H01S3/102

摘要： Processing workpieces such as semiconductor wafers or other materials with a laser includes selecting a target to process that corresponds to a target class associated with a predefined temporal pulse profile. The temporal pulse profile includes a first portion that defines a first time duration, and a second portion that defines a second time duration. A method includes generating a laser pulse based on laser system input parameters configured to shape the laser pulse according to the temporal pulse profile, detecting the generated laser pulse, comparing the generated laser pulse to the temporal pulse profile, and adjusting the laser system input parameters based on the comparison.

摘要翻译： 使用激光加工诸如半导体晶片或其他材料的工件包括选择对应于与预定义的时间脉冲轮廓相关联的目标类别的目标。 时间脉冲分布包括限定第一持续时间的第一部分和限定第二持续时间的第二部分。 一种方法包括：基于激光系统输入参数产生激光脉冲，所述激光系统输入参数被配置为根据时间脉冲分布来形成激光脉冲，检测所产生的激光脉冲，将所产生的激光脉冲与时间脉冲分布进行比较，以及调整激光系统输入参数 基于比较。

公开(公告)号：USD434745S

公开(公告)日：2000-12-05

申请号：US106812

申请日：1999-06-21

申请人： Douglas Lau ,  Carl Engelbrecht ,  Doug Jones ,  Dean Amir Depay ,  Andrew Hooper ,  Temujin Kuechie ,  David Moriconi

设计人： Douglas Lau ,  Carl Engelbrecht ,  Doug Jones ,  Dean Amir Depay ,  Andrew Hooper ,  Temujin Kuechie ,  David Moriconi