公开(公告)号：US20060175691A1

公开(公告)日：2006-08-10

申请号：US11351933

申请日：2006-02-09

申请人： Jochen Dangelmaier ,  Donald Fowlkes ,  Volker Guengerich ,  Henrik Hoyer

发明人： Jochen Dangelmaier ,  Donald Fowlkes ,  Volker Guengerich ,  Henrik Hoyer

IPC分类号： H01L23/495

CPC分类号： H01L23/49861 ,  H01L23/047 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device (7) has gold coatings (1 to 5) which are applied to metallic or ceramic components (6) of the semiconductor device (7). The gold coatings (1 to 4) have a multifunctional multilayer metal coating (8) with a minimal gold layer (9). The gold layer has a thickness dG where dG≦0.5 μm. Moreover, at least one metallic interlayer (10) is arranged between the gold layer (9) and the metallic or ceramic components (6).

摘要翻译： 半导体器件（7）具有施加到半导体器件（7）的金属或陶瓷部件（6）的金涂层（1至5）。 金涂层（1至4）具有多金属多层金属涂层（8），最小金层（9）。 金层具有厚度d G G，其中d G <=0.5μm。 而且，在金层（9）和金属或陶瓷部件（6）之间至少设有一个金属中间层（10）。

公开(公告)号：US09269594B2

公开(公告)日：2016-02-23

申请号：US13343733

申请日：2012-01-05

申请人： Anwar Mohammed ,  Julius Chew ,  Donald Fowlkes

发明人： Anwar Mohammed ,  Julius Chew ,  Donald Fowlkes

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/14 ,  H01L23/373 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L21/50 ,  H01L23/142 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/28 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： According to an embodiment of a high power package, the package includes a heat sink containing enough copper to have a thermal conductivity of at least 350 W/mK, an electrically insulating attached to the heat sink with an epoxy and a semiconductor chip attached to the heat sink on the same side as the lead frame with an electrically conductive material having a melting point of 280° C. or greater.

摘要翻译： 根据高功率封装的实施例，封装包括散热器，其包含足够的铜以具有至少350W / mK的导热系数，电连接到散热器上的环氧树脂和半导体芯片 使用熔点为280℃以上的导电材料在与引线框架相同的一侧上散热。

公开(公告)号：US08110445B2

公开(公告)日：2012-02-07

申请号：US12436652

申请日：2009-05-06

申请人： Anwar A. Mohammed ,  Soon Ing Chew ,  Donald Fowlkes

发明人： Anwar A. Mohammed ,  Soon Ing Chew ,  Donald Fowlkes

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/50 ,  H01L23/142 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/28 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： According to an embodiment of a high power package, the package includes a copper heat sink, a ceramic lead frame and a semiconductor chip. The copper heat sink has a thermal conductivity of at least 350 W/mK. The ceramic lead frame is attached to the copper heat sink with an epoxy. The semiconductor chip is attached to the copper heat sink on the same side as the lead frame with an electrically conductive material having a melting point of about 280° C. or greater.

摘要翻译： 根据高功率封装的实施例，封装包括铜散热器，陶瓷引线框架和半导体芯片。 铜散热器的热导率至少为350W / mK。 陶瓷引线框架通过环氧树脂连接到铜散热器。 半导体芯片与具有熔点约280℃或更高的导电材料的引线框架在同一侧的铜散热器上附接。

公开(公告)号：US07961470B2

公开(公告)日：2011-06-14

申请号：US11458548

申请日：2006-07-19

申请人： Henrik Hoyer ,  Donald Fowlkes ,  Bradley Griswold

发明人： Henrik Hoyer ,  Donald Fowlkes ,  Bradley Griswold

IPC分类号： H05K7/20

CPC分类号： H01L23/3675 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49156 ,  H01L2924/00

摘要： An RF power amplifier including a single piece heat sink and an RF power transistor die mounted directly onto the heat sink.

摘要翻译： RF功率放大器包括单片式散热器和直接安装在散热片上的RF功率晶体管管芯。

公开(公告)号：US20110089529A1

公开(公告)日：2011-04-21

申请号：US12580304

申请日：2009-10-16

申请人： Donald Fowlkes ,  Soon Ing Chew

发明人： Donald Fowlkes ,  Soon Ing Chew

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L27/10 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L23/66 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/60 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/16 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/32188 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

摘要： An RF semiconductor package includes a substrate having generally planar top and bottom surfaces. The substrate includes a metallic base region and one or more metallic signal terminal regions extending from the top surface to the bottom surface, and an insulative material separating the metallic regions from one another. The bottom surface of an RF semiconductor die is surface-mounted to the base region at the top substrate surface. The RF semiconductor die has a terminal pad disposed at a top surface of the RF semiconductor die. The terminal pad is electrically connected to one of the signal terminal regions at the top substrate surface. A lid is attached to the top substrate surface so that the RF semiconductor die is enclosed by the lid to form an open-cavity around the RF semiconductor die. The base and signal terminal regions are configured for surface-mounting at the bottom substrate surface.

摘要翻译： RF半导体封装包括具有大致平坦的顶表面和底表面的基板。 基板包括金属基区域和从顶表面延伸到底表面的一个或多个金属信号端子区域和将金属区域彼此分开的绝缘材料。 RF半导体管芯的底表面被表面安装到顶部衬底表面的基底区域。 RF半导体管芯具有设置在RF半导体管芯的顶表面处的端子焊盘。 端子焊盘电连接到顶部衬底表面处的信号端子区域之一。 将盖子附接到顶部衬底表面，使得RF半导体管芯由盖子封闭以在RF半导体管芯周围形成开放空腔。 基极和信号端子区域被配置为在底部基板表面处表面安装。

公开(公告)号：US07911041B2

公开(公告)日：2011-03-22

申请号：US11351933

申请日：2006-02-09

申请人： Jochen Dangelmaier ,  Donald Fowlkes ,  Volker Guengerich ,  Henrik Hoyer

发明人： Jochen Dangelmaier ,  Donald Fowlkes ,  Volker Guengerich ,  Henrik Hoyer

IPC分类号： H01L23/495

CPC分类号： H01L23/49861 ,  H01L23/047 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device (7) has gold coatings (1 to 5) which are applied to metallic or ceramic components (6) of the semiconductor device (7). The gold coatings (1 to 4) have a multifunctional multilayer metal coating (8) with a minimal gold layer (9). The gold layer has a thickness dG where dG≦0.5 μm. Moreover, at least one metallic interlayer (10) is arranged between the gold layer (9) and the metallic or ceramic components (6).

摘要翻译： 半导体器件（7）具有施加到半导体器件（7）的金属或陶瓷部件（6）的金涂层（1至5）。 金涂层（1至4）具有多金属多层金属涂层（8），最小金层（9）。 金层的厚度dG，其中dG＆nlE;0.5μm。 而且，在金层（9）和金属或陶瓷部件（6）之间至少设有一个金属中间层（10）。