公开(公告)号：US06248847B1

公开(公告)日：2001-06-19

申请号：US09208650

申请日：1998-12-10

申请人： Min Ho Jung ,  Jae Chang Jung ,  Cheol Kyu Bok ,  Ki Ho Baik

发明人： Min Ho Jung ,  Jae Chang Jung ,  Cheol Kyu Bok ,  Ki Ho Baik

IPC分类号： C08F2606

CPC分类号： C07D309/12 ,  C07C69/013 ,  C07C69/54 ,  C07C69/757 ,  G03F7/0045

摘要： The present invention relates to a copolymer resin for ultra-shortwave light source such as KrF or ArF, process for preparation thereof, and photoresist comprising the same resin. The copolymer resin according to the present invention is easily prepared by conventional radical polymerization due to the introduction of norbonyl(meth)acrylate unit to a structure of copolymer for photoresist. The resin has high transparency at 193 nm wavelength, provides increased etching resistance and enhanced adhesive strength due to a hydrophilic functional group in the norbonyl group, and shows excellent resolution of 0.15 &mgr;m in practical experiment of patterning.

摘要翻译： 本发明涉及用于超短波光源如KrF或ArF的共聚物树脂，其制备方法和包含相同树脂的光致抗蚀剂。 由于将（甲基）丙烯酸去羰基酯单元引入到光致抗蚀剂共聚物的结构中，本发明的共聚物树脂可以容易地通过常规的自由基聚合制备。 该树脂在193nm波长处具有高透明度，由于在诺乃诺基中具有亲水性官能团，提供了更高的抗蚀刻性和增强的粘合强度，并且在实际的图案化实验中显示出优异的0.15μm分辨率。

公开(公告)号：US06984482B2

公开(公告)日：2006-01-10

申请号：US10174497

申请日：2002-06-17

申请人： Jae Chang Jung ,  Keun Kyu Kong ,  Hyeong Soo Kim ,  Jin Soo Kim ,  Cha Won Koh ,  Sung Eun Hong ,  Geun Su Lee ,  Min Ho Jung ,  Ki Ho Baik

发明人： Jae Chang Jung ,  Keun Kyu Kong ,  Hyeong Soo Kim ,  Jin Soo Kim ,  Cha Won Koh ,  Sung Eun Hong ,  Geun Su Lee ,  Min Ho Jung ,  Ki Ho Baik

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/09 ,  G03F7/00

CPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/0045

摘要： The present invention provides an over-coating composition comprising a basic compound for coating a photoresist composition to provide a vertical photoresist pattern.

摘要翻译： 本发明提供一种包覆组合物，其包含用于涂覆光致抗蚀剂组合物以提供垂直光致抗蚀剂图案的碱性化合物。

公开(公告)号：US06770414B2

公开(公告)日：2004-08-03

申请号：US09878803

申请日：2001-06-11

申请人： Min Ho Jung ,  Sung Eun Hong ,  Jae Chang Jung ,  Geun Su Lee ,  Ki Ho Baik

发明人： Min Ho Jung ,  Sung Eun Hong ,  Jae Chang Jung ,  Geun Su Lee ,  Ki Ho Baik

IPC分类号： G03F700

CPC分类号： G03F7/0395 ,  C07J9/00 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/115 ,  Y10T428/24802

摘要： The present invention provides an additive for a photoresist composition for a resist flow process. A compound of following Formula 1 having low glass transition temperature is added to a photoresist composition containing a polymer which is not suitable for the resist flow process due to its high glass transition temperature, thus improving a flow property of the photoresist composition. As a result, the photoresist composition comprising an additive of Formula 1 can be used for the resist flow process. wherein, A, B, R and R′ are as defined in the specification of the invention.

摘要翻译： 本发明提供了用于抗蚀剂流动方法的光致抗蚀剂组合物的添加剂。 将具有低玻璃化转变温度的下述式1化合物加入含有聚合物的光致抗蚀剂组合物中，该聚合物由于其玻璃化转变温度高而不适于抗蚀剂流动过程，从而改善光致抗蚀剂组合物的流动性能。 结果，包含式1的添加剂的光致抗蚀剂组合物可用于抗蚀剂流动过程。其中A，B，R和R'如本发明的说明书中所定义。

公开(公告)号：US06569599B2

公开(公告)日：2003-05-27

申请号：US09852371

申请日：2001-05-10

申请人： Geun Su Lee ,  Jae Chang Jung ,  Min Ho Jung ,  Ki Ho Baik

发明人： Geun Su Lee ,  Jae Chang Jung ,  Min Ho Jung ,  Ki Ho Baik

IPC分类号： G03F7004

CPC分类号： G03F7/0758 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/095 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111

摘要： The present invention provides photoresist polymers, processes for producing the same, photoresist compositions comprising such polymers, and processes for producing a photoresist pattern using such photoresist compositions. In particular, photoresist polymers of the present invention comprise a moiety of the Formula: where R1, R2, R3 and R4 are those defined herein. Photoresist polymers of the present invention have a relatively high etching resistance, and therefore are useful in thin resist processes and bilayer photoresist processes. Moreover, photoresist polymers of the present invention have a high contrast ratio between the exposed region and the non-exposed region.

摘要翻译： 本发明提供光致抗蚀剂聚合物，其制备方法，包含这种聚合物的光致抗蚀剂组合物，以及使用这种光致抗蚀剂组合物制备光刻胶图案的方法。 特别地，本发明的光致抗蚀剂聚合物包含下式的部分：其中R 1，R 2，R 3和R 4是本文定义的那些。 本发明的光致抗蚀剂聚合物具有相对高的抗蚀刻性，因此可用于薄抗蚀剂工艺和双层光刻胶工艺。 此外，本发明的光致抗蚀剂聚合物在曝光区域和非曝光区域之间具有高对比度。

公开(公告)号：US06391518B1

公开(公告)日：2002-05-21

申请号：US09360402

申请日：1999-07-23

申请人： Min Ho Jung ,  Jae Chang Jung ,  Geun Su Lee ,  Ki Ho Baik

发明人： Min Ho Jung ,  Jae Chang Jung ,  Geun Su Lee ,  Ki Ho Baik

IPC分类号： G03F7004

CPC分类号： C08F232/08 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0395

摘要： The present invention provides a photoresist monomer represented by the following formula 2; a photoresist copolymer represented by the following formula 100; and a photoresist composition containing the same. wherein, R1 and R2 are independently —COOH or —R—COOH; and R is a substituted or unsubstituted (C1-C10) alkyl. wherein, R1 and R2 are independently —COOH or —R—COOH ; R is a substituted or unsubstituted (C1-C10) alkyl; R3 is —COOR* or —R′COOR*; R* is an acid labile group; R′ is a substituted or unsubstituted (C1-C10) alkyl; R4 is H or R3; R5 is a substituted or unsubstituted (C1-C10) alkyl; and a:b:c is the polymerization ratio of the comonomer.

摘要翻译： 本发明提供由下式2表示的光致抗蚀剂单体; 由下式100表示​​的光致抗蚀剂共聚物; 和含有它们的光致抗蚀剂组合物，其中R 1和R 2独立地是-COOH或-R-COOH; 并且R是取代或未取代的（C1-C10）烷基。其中R1和R2独立地是-COOH或-R-COOH; R是取代或未取代的（C 1 -C 10）烷基; R3是-COOR *或-R'COOR *; R *是酸不稳定组; R'是取代或未取代的（C 1 -C 10）烷基; R4是H或R3; R5是取代或未取代的（C1-C10）烷基; 和a：b：c是共聚单体的聚合比。

公开(公告)号：US06586619B2

公开(公告)日：2003-07-01

申请号：US10079753

申请日：2002-02-19

申请人： Geun Su Lee ,  Cha Won Koh ,  Jae Chang Jung ,  Min Ho Jung ,  Ki Ho Baik

发明人： Geun Su Lee ,  Cha Won Koh ,  Jae Chang Jung ,  Min Ho Jung ,  Ki Ho Baik

IPC分类号： C07C6974

CPC分类号： C07D493/08 ,  C07C69/753 ,  C08F32/08 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/039

摘要： The present invention relates to novel monomers which can be used to form polymers which are useful in a photolithography employing a light source in the far ultraviolet region of the light spectrum, copolymers thereof, and photoresist compositions prepared therefrom. Photoresist monomers of the present invention are represented by the following Chemical Formula 1: wherein, R is substituted or non-substituted linear or branched (C1-C10) alkyl, substituted or non-substituted (C1-C10) ether, substituted or non-substituted (C1-C10) ester, or substituted or non-substituted (C1-C10) ketone; X and Y are independently CH2, CH2CH2, oxygen or sulfur; and i is 0 or an integer of 1 to 2.

摘要翻译： 本发明涉及可用于形成聚合物的新型单体，其可用于使用光谱的远紫外区域中的光源的光刻法，其共聚物和由其制备的光致抗蚀剂组合物。 本发明的光致抗蚀剂单体由以下化学式1表示：其中，R为取代或未取代的直链或支链（C1-C10）烷基，取代或未取代的（C1-C10）醚， 取代的（C1-C10）酯或取代或未取代的（C1-C10）酮; X和Y独立地是CH2，CH2CH2，氧或硫; andi为0或1〜2的整数。

公开(公告)号：US06410670B1

公开(公告)日：2002-06-25

申请号：US09383861

申请日：1999-08-26

申请人： Geun Su Lee ,  Cha Won Koh ,  Jae Chang Jung ,  Min Ho Jung ,  Ki Ho Baik

发明人： Geun Su Lee ,  Cha Won Koh ,  Jae Chang Jung ,  Min Ho Jung ,  Ki Ho Baik

IPC分类号： C08J13208

CPC分类号： C07D493/08 ,  C07C69/753 ,  C08F32/08 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/039

摘要： The present invention relates to novel monomers and their polymers, which are useful in a photolithography employing a light source in the far ultraviolet region of the light spectrum, copolymers thereof, and photoresist compositions prepared therefrom. Photoresist monomers of the present invention are represented by the following Chemical Formula 1: wherein, R is substituted or non-substituted linear or branched (C1-C10)alkyl, substituted or non-substituted (C1-C10)ether, substituted or non-substituted (C1-C10)ester, or substituted or non-substituted (C1-C10)ketone; X and Y are independently CH2, CH2CH2, oxygen or sulfur; and i is 0 or an integer of 1 to 2.

摘要翻译： 本发明涉及新颖的单体及其聚合物，它们可用于光光谱在光谱的远紫外区域中的光刻，其共聚物和由其制备的光致抗蚀剂组合物。 本发明的光致抗蚀剂单体由以下化学式1表示：其中，R为取代或未取代的直链或支链（C1-C10）烷基，取代或未取代的（C1-C10）醚， 取代的（C1-C10）酯或取代或未取代的（C1-C10）酮; X和Y独立地是CH 2，CH 2 CH 2，氧或硫; i为0或1〜2的整数。

公开(公告)号：US6150069A

公开(公告)日：2000-11-21

申请号：US311488

申请日：1999-05-13

申请人： Jae Chang Jung ,  Chi Hyeong Roh ,  Min Ho Jung ,  Geun Su Lee ,  Ki Ho Baik

发明人： Jae Chang Jung ,  Chi Hyeong Roh ,  Min Ho Jung ,  Geun Su Lee ,  Ki Ho Baik

IPC分类号： C07D493/08 ,  C08F22/06 ,  C08F32/00 ,  C08L45/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039

CPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/0045

摘要： The present invention relates to oxabicyclo compounds and a method of preparing the same. The compounds of the present invention can be used as monomers for preparing a photoresist resin which is useful in photolithography processes using ultra-violet light sources, and are represented by the following Formula 1: ##STR1## wherein, R.sub.1 and R.sub.2 are the same or different, and represent a hydrogen or a C.sub.1 -C.sub.4 straight or branched chain substituted alkyl group; and m is a number from 1 to 4.In other embodiments, the present invention relates to an ArF or a KrF photoresist resin containing an oxabicyclo monomer, and compositions and photoresist micro pattern forming methods using the same.

摘要翻译： 本发明涉及氧杂双环化合物及其制备方法。 本发明的化合物可以用作制备光致抗蚀剂树脂的单体，其可用于使用紫外光源的光刻工艺中，并且由下式1表示：其中R1和R2相同或不同，并且 表示氢或C1-C4直链或支链取代的烷基; m是1至4的数。在其它实施方案中，本发明涉及含有氧杂双环单体的ArF或KrF光致抗蚀剂树脂，以及使用其的组合物和光致抗蚀剂微图案形成方法。

公开(公告)号：US07329477B2

公开(公告)日：2008-02-12

申请号：US10993869

申请日：2004-11-19

申请人： Jae Chang Jung ,  Keun Kyu Kong ,  Hyeong Soo Kim ,  Jin Soo Kim ,  Cha Won Koh ,  Sung Eun Hong ,  Geun Su Lee ,  Min Ho Jung ,  Ki Ho Baik

发明人： Jae Chang Jung ,  Keun Kyu Kong ,  Hyeong Soo Kim ,  Jin Soo Kim ,  Cha Won Koh ,  Sung Eun Hong ,  Geun Su Lee ,  Min Ho Jung ,  Ki Ho Baik

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/0045

摘要： The present invention provides a process for using an amine contamination-protecting top-coating composition. Preferably, the amine contamination-protecting top-coating composition of the present invention comprises an amine contamination-protecting compound. Useful amine contamination-protecting compounds include amine derivatives; amino acid derivatives; amide derivatives; urethane derivatives; urea derivatives; salts thereof; and mixtures thereof. The amine contamination-protecting top-coating composition of the present invention reduces or eliminates problems such as T-topping due to a post exposure delay effect and/or difficulties in forming a fine pattern below 100 nm due to acid diffusion associated with conventional lithography processes involving a photoresist polymer containing an alicyclic main chain using a light source, such as KrF (248 nm), ArF (193 nm), F2 (157 nm), E-beam, ion beam and extremely ultraviolet (EUV).

摘要翻译： 本发明提供了使用胺类污染物保护性顶涂层组合物的方法。 优选地，本发明的胺污染保护性顶涂剂组合物包含胺污染保护化合物。 有用的胺污染保护化合物包括胺衍生物; 氨基酸衍生物; 酰胺衍生物; 氨基甲酸酯衍生物; 尿素衍生物; 的盐; 及其混合物。 本发明的胺污染保护性顶涂剂组合物由于后曝光延迟效应而降低或消除诸如T形顶部的问题和/或由于与常规光刻工艺相关的酸扩散而难以形成低于100nm的精细图案 涉及使用诸如KrF（248nm），ArF（193nm），F 2 N（157nm），电子束，离子束等的光源的含有脂环族主链的光致抗蚀剂聚合物 紫外线（EUV）。

公开(公告)号：US06627383B2

公开(公告)日：2003-09-30

申请号：US09973630

申请日：2001-10-09

申请人： Geun Su Lee ,  Jae Chang Jung ,  Min Ho Jung ,  Ki Ho Baik

发明人： Geun Su Lee ,  Jae Chang Jung ,  Min Ho Jung ,  Ki Ho Baik

IPC分类号： G03C1492

CPC分类号： G03F7/0046 ,  C07C69/65 ,  C07C69/653 ,  C08F20/30 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0392 ,  Y02P20/55 ,  Y10S430/108

摘要： Photoresist monomers of following Formula 1, photoresist polymers thereof, and photoresist compositions using the same. The photoresist composition has excellent etching resistance, heat resistance and adhesiveness, and is developable in aqueous tetramethylammonium hydroxide (TMAH) solution. In addition, the photoresist composition has low light absorbance at the wavelength of 193 nm, 157 nm and 13 nm, and thus is suitable for a photolithography process using ultraviolet light sources such as VUV (157 nm) and EUV (13 nm) in fabricating a minute circuit for a high integration semiconductor device. wherein, R1, R2, R3, Y, W, m and n are as defined in the specification.

摘要翻译： 下列通式1的光致抗蚀剂单体，其光致抗蚀剂聚合物和使用其的光致抗蚀剂组合物。 光致抗蚀剂组合物具有优异的耐蚀刻性，耐热性和粘合性，并且可在四甲基氢氧化铵（TMAH）水溶液中显影。 此外，光致抗蚀剂组合物在193nm，157nm和13nm波长处具有低吸光度，因此适用于在制造中使用诸如VUV（157nm）和EUV（13nm）的紫外光源的光刻工艺 用于高集成半导体器件的分钟电路。其中R1，R2，R3，Y，W，m和n如本说明书中所定义。