公开(公告)号：US07544547B2

公开(公告)日：2009-06-09

申请号：US11625043

申请日：2007-01-19

申请人： Frank Fournel ,  Jean Dijon ,  Pierre Mur

发明人： Frank Fournel ,  Jean Dijon ,  Pierre Mur

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： B81C1/00206 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B33/027 ,  Y10S977/72 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/763 ,  Y10S977/936

摘要： The invention relates to a method for producing a support comprising nanoparticles (22) for the growth of nanostructures (23), said nanoparticles being organised periodically, the method being characterised in that it comprises the following steps: providing a support comprising, in the vicinity of one of its surfaces, a periodic array of crystal defects and/or stress fields (18), depositing, on said surface, a continuous layer (20) of a first material capable of catalysing the nanostructure growth reaction, fractionating the first material layer (20) by a heat treatment so as to form the first material nanoparticles (22).

摘要翻译： 本发明涉及一种用于生产包含用于生长纳米结构（23）的纳米颗粒（22）的载体的方法，所述纳米颗粒周期性地组织，所​​述方法的特征在于其包括以下步骤：提供包含在附近的载体 的一个表面，晶体缺陷和/或应力场的周期性阵列（18），在所述表面上沉积能够催化纳米结构生长反应的第一材料的连续层（20），将第一材料层 （20），以形成第一材料纳米颗粒（22）。

公开(公告)号：US08343855B2

公开(公告)日：2013-01-01

申请号：US12094211

申请日：2006-11-24

申请人： Pierre Mur ,  Cécile Oillic

发明人： Pierre Mur ,  Cécile Oillic

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36 ,  C12M1/00 ,  G11C8/00 ,  C40B50/18

CPC分类号： C12Q1/001 ,  B82Y10/00 ,  G01N33/54366 ,  G11C13/0009 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0019 ,  G11C2213/53

摘要： The invention concerns a nanostructured device (100) comprising a substrate (101), an intermediate layer (102), a zone (103) consisting of multiple three-dimensional structured sites (104) made of semiconductor material, having chemical species (106) fixed to the surface of said three-dimensional nanostructured sites (104). The inventive device is useful for making a biochip and an electronic memory. The invention also concerns a method for forming an electronic memory.

摘要翻译： 本发明涉及一种纳米结构设备（100），包括基底（101），中间层（102），由半导体材料制成的多个三维结构化位点（104）组成的区域（103），具有化学物质（106） 固定在所述三维纳米结构部位（104）的表面上。 本发明的装置可用于制造生物芯片和电子存储器。 本发明还涉及一种用于形成电子存储器的方法。

公开(公告)号：US07713850B2

公开(公告)日：2010-05-11

申请号：US11183993

申请日：2005-07-19

申请人： Maud Vinet ,  Jean-Charles Barbe ,  Pierre Mur ,  François De Crecy

发明人： Maud Vinet ,  Jean-Charles Barbe ,  Pierre Mur ,  François De Crecy

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： C30B29/60 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/7613 ,  Y10S438/962

摘要： Method for forming a structure provided with at least one zone of one or several semiconductor nanocrystals (13). It consists in: exposing with a beam of electrons (11) at least one zone (12) of a semiconductor film (1) lying on an electrically insulating support (2), the exposed zone (12) contributing to defining at least one dewetting zone (10) of the film (1), annealing the film (1) at high temperature in such a way that the dewetting zone (10) retracts giving the zone of one or several nanocrystals (13).

摘要翻译： 用于形成具有一个或多个半导体纳米晶体（13）的至少一个区域的结构的方法。 它包括：用电子束（11）暴露位于电绝缘支撑件（2）上的半导体膜（1）的至少一个区域（12），所述暴露区域（12）有助于限定至少一个去湿 （1）的区域（10），在高温下使膜（1）退火，使得去湿区（10）缩回，给出一个或多个纳米晶体（13）的区域。

公开(公告)号：US20130052772A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：US13572121

申请日：2012-08-10

申请人： Kavita Surana ,  Mathieu Baudrit ,  Pierre Mur ,  Philippe Thony

发明人： Kavita Surana ,  Mathieu Baudrit ,  Pierre Mur ,  Philippe Thony

IPC分类号： B05D5/06 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L33/46 ,  B82Y20/00 ,  G02B1/02 ,  G02B1/116 ,  G02B1/118 ,  H01L33/10 ,  Y02E10/52

摘要： A method of manufacturing an optical reflector including an alternating stack of at least one first layer of complex refraction index n1 and at least one second layer of complex refraction index n2, in which the first layer includes semiconductor nanocrystals, including the following steps: calculation of the total number of layers of the stack, of the thicknesses of each of the layers and of the values of complex refraction indices n1 and n2 on the basis of the characteristics of a desired spectral reflectivity window of the optical reflector, including the use of an optical transfer matrices calculation method; calculation of deposition and annealing parameters of the layers on the basis of the total number of layers and of the values of previously calculated complex refraction indices n1 and n2; deposition and annealing of the layers in accordance with the previously calculated parameters.

摘要翻译： 一种制造包括复数折射率n1的至少一个第一层和复数折射率n2的至少一个第二复合折射率n2的交替堆叠的光学反射体的方法，其中第一层包括半导体纳米晶体，包括以下步骤： 基于光反射器的期望的光谱反射率窗口的特性，叠层的层数，层的厚度和复折射率n1和n2的值的总数，包括使用 光传输矩阵计算方法; 基于总层数和先前计算的复折射率n1和n2的值计算层的沉积和退火参数; 根据先前计算的参数进行层的沉积和退火。

公开(公告)号：US20090243048A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：US12055262

申请日：2008-03-25

申请人： Joel Dufourcq ,  Laurent Vandroux ,  Pierre Mur ,  Sylvie Bodnar

发明人： Joel Dufourcq ,  Laurent Vandroux ,  Pierre Mur ,  Sylvie Bodnar

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/469

CPC分类号： C23C16/402 ,  C23C16/4417 ,  C23C16/56 ,  H01L29/42332

摘要： A method of forming a device includes forming protective shells about metallic nanocrystals supported by a substrate. The metallic nanocrystals having protective shells are encapsulated with a layer formed with process parameters that are not compatible with the integrity of unprotected metallic nanocrystals.

摘要翻译： 形成器件的方法包括：形成围绕由衬底支撑的金属纳米晶体的保护壳。 具有保护壳的金属纳米晶体被封装有与不受保护的金属纳米晶体的完整性不相容的工艺参数形成的层。

公开(公告)号：US20090221447A1

公开(公告)日：2009-09-03

申请号：US12094211

申请日：2006-11-24

申请人： Pierre Mur ,  Cécile Oillic

发明人： Pierre Mur ,  Cécile Oillic

IPC分类号： C40B40/08 ,  C40B50/18 ,  C40B40/10 ,  C40B40/04

CPC分类号： C12Q1/001 ,  B82Y10/00 ,  G01N33/54366 ,  G11C13/0009 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0019 ,  G11C2213/53

摘要： The invention concerns a nanostructured device (100) comprising a substrate (101), an intermediate layer (102), a zone (103) consisting of multiple three-dimensional structured sites (104) made of semiconductor material, having chemical species (106) fixed to the surface of said three-dimensional nanostructured sites (104). The inventive device is useful for making a biochip and an electronic memory. The invention also concerns a method for forming an electronic memory

摘要翻译： 本发明涉及一种纳米结构设备（100），包括基底（101），中间层（102），由半导体材料制成的多个三维结构化位点（104）组成的区域（103），具有化学物质（106） 固定在所述三维纳米结构部位（104）的表面上。 本发明的装置可用于制造生物芯片和电子存储器。 本发明还涉及一种用于形成电子存储器的方法

公开(公告)号：US20080318366A1

公开(公告)日：2008-12-25

申请号：US11625043

申请日：2007-01-19

申请人： Frank Fournel ,  Jean Dijon ,  Pierre Mur

发明人： Frank Fournel ,  Jean Dijon ,  Pierre Mur

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： B81C1/00206 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B33/027 ,  Y10S977/72 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/763 ,  Y10S977/936

摘要： The invention relates to a method for producing a support comprising nanoparticles (22) for the growth of nanostructures (23), said nanoparticles being organised periodically, the method being characterised in that it comprises the following steps: providing a support comprising, in the vicinity of one of its surfaces, a periodic array of crystal defects and/or stress fields (18), depositing, on said surface, a continuous layer (20) of a first material capable of catalysing the nanostructure growth reaction, fractionating the first material layer (20) by a heat treatment so as to form the first material nanoparticles (22). The invention also relates to a method for producing nanostructures from said support.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于生产包含用于生长纳米结构（23）的纳米颗粒（22）的载体的方法，所述纳米颗粒周期性地组织，所​​述方法的特征在于其包括以下步骤：提供包含在附近的载体 的一个表面，晶体缺陷和/或应力场的周期性阵列（18），在所述表面上沉积能够催化纳米结构生长反应的第一材料的连续层（20），将第一材料层 （20），以形成第一材料纳米颗粒（22）。 本发明还涉及从所述载体制备纳米结构的方法。