公开(公告)号：US5447570A

公开(公告)日：1995-09-05

申请号：US902995

申请日：1992-06-23

申请人： Johannes J. Schmitz ,  Frederick J. Scholz ,  Norman L. Turner ,  Raymond L. Chow ,  Frank O. Uher ,  Sien G. Kang ,  Steven C. Selbrede

发明人： Johannes J. Schmitz ,  Frederick J. Scholz ,  Norman L. Turner ,  Raymond L. Chow ,  Frank O. Uher ,  Sien G. Kang ,  Steven C. Selbrede

IPC分类号： C23C16/04 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01L21/687 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/45521 ,  C23C16/04 ,  C23C16/042 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/68735

摘要： Apparatus including a support and purge gas supply prevents edge and backside coating on a wafer in manufacture of integrated circuits. Various enclosure elements and methods are disclosed for containing and directing purge gas, and a CVD system is provided incorporating the elements of the invention.

摘要翻译： 包括支撑和吹扫气体供应的装置防止在集成电路的制造中晶片上的边缘和背面涂层。 公开了用于容纳和引导吹扫气体的各种外壳元件和方法，并且提供了结合本发明的元件的CVD系统。

公开(公告)号：US5272112A

公开(公告)日：1993-12-21

申请号：US973841

申请日：1992-11-09

申请人： Johannes J. Schmitz ,  Sien G. Kang ,  Edward J. Rode

发明人： Johannes J. Schmitz ,  Sien G. Kang ,  Edward J. Rode

IPC分类号： C23C16/14 ,  H01L21/44

CPC分类号： C23C16/14

摘要： A chemical vapor deposition process performed at a temperature below 440 degrees C. for blanket tungsten deposition as a step in manufacturing integrated circuits deposits an integrated film suitable for voidless fill of vias as small as 0.5 microns in width and with aspect ratios of more than 2, while providing resistivity well below 100 micro-ohms per square, film stress generally in the mid 7E+09 dynes per square centimeter and below, and reflectivity of more than 40%, measured relative to silicon at 436 nanometer wavelength for 1 micron film thickness, while avoiding the use of nitrogen in the process.

摘要翻译： 在低于440℃的温度下进行的化学气相沉积工艺用于覆盖钨沉积作为制造集成电路的步骤，沉积适合于无孔填充通孔的集成膜，其宽度为0.5微米，宽高比大于2 ，同时提供了低于100微欧每平方厘米的电阻率，膜应力通常在7E + 09达因每平方厘米和更低的中间，反射率大于40％，相对于硅在436纳米波长测量1微米薄膜厚度 同时避免在该过程中使用氮气。

公开(公告)号：US6130159A

公开(公告)日：2000-10-10

申请号：US365988

申请日：1999-08-03

申请人： Sien G. Kang ,  John Y. Adachi ,  David Badt ,  Edward L. Sill ,  Hector Velasco

发明人： Sien G. Kang ,  John Y. Adachi ,  David Badt ,  Edward L. Sill ,  Hector Velasco

IPC分类号： C23C16/42 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28518 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455 ,  H01L21/28556

摘要： Processing of substrates in a CVD reactor system wherein tungsten silicide is deposited is accomplished with preflow and postflow of reducing gases before and after deposition steps to ensure that tungsten-rich film is not deposited at the interface of the tungsten silicide film to the substrates or on the tungsten silicide film at the end of deposition processing. For systems having a remote gas injection and flow control system connected by a gas supply manifold to a CVD reactor chamber, an isolation valve is provided in the gas supply manifold, and the valve is held closed during at least a portion of time between deposition sequences.

摘要翻译： 在CVD反应器系统中处理衬底，其中沉积硅化钨是通过在沉积步骤之前和之后的还原气体的预流和后流来实现的，以确保富钨膜不会沉积在硅化钨膜与衬底的界面上或在 硅化钨膜在沉积处理结束时。 对于具有通过气体供应歧管连接到CVD反应器室的远程气体注入和流量控制系统的系统，在气体供应歧管中设置隔离阀，并且在沉积序列之间的至少一段时间内阀被保持关闭 。

公开(公告)号：US5387289A

公开(公告)日：1995-02-07

申请号：US950088

申请日：1992-09-22

申请人： Johannes J. Schmitz ,  Raymond L. Chow ,  Sien G. Kang ,  Edward J. Rode ,  Frank O. Uher

发明人： Johannes J. Schmitz ,  Raymond L. Chow ,  Sien G. Kang ,  Edward J. Rode ,  Frank O. Uher

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01L21/00 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67069

摘要： A system for depositing a film on a substrate in a CVD process has a second-source injection sub-system for injecting a control gas. The deposition rate of the material deposited in the CVD process is a function of the concentration of the control gas at the point that material is deposited. The second source injection sub-system provides a concentration gradient of the control gas relative to the substrate surface coated, and alters the thickness uniformity of the film. By controlling the gradient one may control the thickness uniformity profile. In another embodiment, the invention applies to dry etching with reactive gas, and the etching rate is controlled by second source provision of a control gas.

摘要翻译： 用于在CVD工艺中在衬底上沉积膜的系统具有用于喷射控制气体的第二源注入子系统。 在CVD工艺中沉积的材料的沉积速率是控制气体在沉积材料时的浓度的函数。 第二源注入子系统提供控制气体相对于涂覆的基底表面的浓度梯度，并改变膜的厚度均匀性。 通过控制梯度，可以控制厚度均匀性。 在另一个实施例中，本发明适用于具有反应气体的干蚀刻，并且通过控制气体的第二源提供来控制蚀刻速率。

公开(公告)号：US5963836A

公开(公告)日：1999-10-05

申请号：US759868

申请日：1996-12-03

申请人： Sien G. Kang ,  John Y. Adachi ,  David Badt ,  Edward L. Sill ,  Hector Velasco

发明人： Sien G. Kang ,  John Y. Adachi ,  David Badt ,  Edward L. Sill ,  Hector Velasco

IPC分类号： C23C16/42 ,  C23C16/455 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28518 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455

摘要： Processing of substrates in a CVD reactor system wherein tungsten silicide is deposited is accomplished with preflow and postflow of reducing gases before and after deposition steps to ensure that tungsten-rich film is not deposited at the interface of the tungsten silicide film to the substrates or on the tungsten silicide film at the end of deposition processing. For systems having a remote gas injection and flow control system connected by a gas supply manifold to a CVD reactor chamber, an isolation valve is provided in the gas supply manifold, and the valve is held closed during at least a portion of time between deposition sequences.

摘要翻译： 在CVD反应器系统中处理衬底，其中沉积硅化钨是通过在沉积步骤之前和之后的还原气体的预流和后流来实现的，以确保富钨膜不会沉积在硅化钨膜与衬底的界面上或在 硅化钨膜在沉积处理结束时。 对于具有通过气体供应歧管连接到CVD反应器室的远程气体注入和流量控制系统的系统，在气体供应歧管中设置隔离阀，并且在沉积序列之间的至少一段时间内阀被保持关闭 。