公开(公告)号：US20080248430A1

公开(公告)日：2008-10-09

申请号：US11826791

申请日：2007-07-18

申请人： Yih-Ming Liu ,  Yuh Sung ,  Ming-Der Ger ,  Yun-Chih Fan ,  Yu-Hsien Chou ,  Chun-Tin Lin

发明人： Yih-Ming Liu ,  Yuh Sung ,  Ming-Der Ger ,  Yun-Chih Fan ,  Yu-Hsien Chou ,  Chun-Tin Lin

IPC分类号： B05D5/12 ,  C23C14/34 ,  G03F7/20

CPC分类号： H01J9/025 ,  C23C18/54 ,  H01J2201/30469

摘要： A nano-carbon material field emission cathode plate is prepared by an oxidation-reduction reaction, which includes immersing a substrate having a first metal layer thereon in a solution of a second metal salt with a nano-carbon material dispersed therein. A difference between the two standard redox potentials of the first metal and the second metal is so great that ions of the second metal in the solution are reduced to elemental metal while the first metal is oxidized, and thus a layer of the second metal is formed on the first metal layer with the nano-carbon material partially embedded in the second metal layer.

摘要翻译： 通过氧化还原反应制备纳米碳材料场致发射阴极板，其包括将其上具有第一金属层的基板浸渍在第二金属盐与分散在其中的纳米碳材料的溶液中。 第一金属和第二金属的两种标准氧化还原电位之间的差异非常大，使得第一金属被氧化时溶液中的第二金属的离子被还原为元素金属，因此形成第二金属层 在第一金属层上，其中纳米碳材料部分地嵌入第二金属层。

公开(公告)号：US20060237326A1

公开(公告)日：2006-10-26

申请号：US11390206

申请日：2006-03-28

申请人： Ming-Der Ger ,  Chin-Lung Chang ,  Yuh Sung ,  Niann-Tsyr Wen ,  Wei-Kun Chen

发明人： Ming-Der Ger ,  Chin-Lung Chang ,  Yuh Sung ,  Niann-Tsyr Wen ,  Wei-Kun Chen

IPC分类号： C25D11/00

CPC分类号： C25D11/30

摘要： A method for surface treatment is disclosed. The method is achieved by forming a MgO film on a metal surface through anode processing of Mg or Mg alloy in an alkaline solution. The alkaline solution includes a hydroxide, a thickening agent, and a film adjusting agent. As the method is performed, the target object is immersed in the alkaline solution, and the target object is connected to an anode with an average electric current density of 1˜5 A/dm, at a temperature of 0˜30° C., and within a time period of 10˜120 minutes to form a film of 5˜25 μm. The forming rate of the film of the method of the present invention is fast, and the formed film is of little stress.

摘要翻译： 公开了一种表面处理方法。 该方法通过在碱性溶液中通过Mg或Mg合金的阳极处理在金属表面上形成MgO膜来实现。 碱性溶液包括氢氧化物，增稠剂和膜调节剂。 进行该方法时，将目标物浸在碱性溶液中，在0〜30℃的温度下，将目标物与平均电流密度为1〜5A / dm的阳极连接， 并在10〜120分钟的时间内形成5〜25毫米的薄膜。 本发明方法的薄膜的成型速度快，成型薄膜几乎没有应力。

公开(公告)号：US20110311432A1

公开(公告)日：2011-12-22

申请号：US12818940

申请日：2010-06-18

申请人： Nen-Wen Pu ,  Chung An Wang ,  Yuh Sung ,  Ming-Der Ger

发明人： Nen-Wen Pu ,  Chung An Wang ,  Yuh Sung ,  Ming-Der Ger

IPC分类号： C01B31/02

CPC分类号： B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/19 ,  Y02P20/544

摘要： A method for manufacturing graphene is disclosed, which comprises the following steps: putting graphite material and an organic solvent, a surfactant, or a combination thereof in a reaction tank and introducing a supercritical fluid in the reaction tank to allow the organic solvent, the surfactant, or the combination thereof to dissolve in the supercritical fluid and to permeate into the graphite material; and removing the supercritical fluid by depressurization to form graphene. The method of the present invention has simple steps and reduced consumption of manufacturing time, and also can promote the quality of the resultant graphene in large-scale manufacturing.

摘要翻译： 公开了一种制造石墨烯的方法，包括以下步骤：将石墨材料和有机溶剂，表面活性剂或其组合物放入反应槽中，并在反应槽中引入超临界流体，使有机溶剂，表面活性剂 或其组合以溶解在超临界流体中并渗透到石墨材料中; 并通过减压除去超临界流体以形成石墨烯。 本发明的方法具有简单的步骤，降低了制造时间的消耗，并且可以在大规模制造中提高所得石墨烯的质量。

公开(公告)号：US20110315934A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US12923545

申请日：2010-09-28

申请人： Chen-Chi M. Ma ,  Min-Chien Hsiao ,  Shu-Hang Liao ,  Ming-Yu Yen ,  Ming-Der Ger ,  Chung-An Wang ,  Nen-Wen Pu ,  Yuh Sung ,  Chih-Chun Teng ,  Shie-Heng Lee ,  Min-Hsuan Hsiao

发明人： Chen-Chi M. Ma ,  Min-Chien Hsiao ,  Shu-Hang Liao ,  Ming-Yu Yen ,  Ming-Der Ger ,  Chung-An Wang ,  Nen-Wen Pu ,  Yuh Sung ,  Chih-Chun Teng ,  Shie-Heng Lee ,  Min-Hsuan Hsiao

IPC分类号： H01B1/24

CPC分类号： H01B1/24 ,  H01M4/96 ,  H01M8/0213 ,  H01M8/188 ,  H01M8/20 ,  Y02E60/528

摘要： A graphite-vinyl ester resin composite conducting plate is prepared in the present invention. The conducting plate can be used as a bipolar plate for a fuel cell, counter electrode for dye-sensitized solar cell and electrode of vanadium redox battery. The conducting plate is prepared as follows: a) compounding vinyl ester resin and graphite powder to form a bulk molding compound (BMC) material, the graphite powder content ranging from 70 wt % to 95 wt % based on the total weight of the graphite powder and vinyl ester, wherein 0.01-15 wt % functionalized graphene, based on the weight of the vinyl ester resin, are added during the compounding; b) molding the BMC material from step a) to form a conducting plate having a desired shaped at 80-250° C. and 500-4000 psi.

摘要翻译： 在本发明中制备石墨 - 乙烯基酯树脂复合导电板。 导电板可用作燃料电池的双极板，染料敏化太阳能电池的对电极和钒氧化还原电池的电极。 导电板的制备如下：a）将乙烯基酯树脂和石墨粉末混合以形成体积模塑料（BMC）材料，石墨粉末的含量基于石墨粉末的总重量为70wt％至95wt％ 和乙烯基酯，其中在配混期间加入基于乙烯基酯树脂的重量的0.01-15重量％的官能化石墨烯; b）从步骤a）模制BMC材料，以形成在80-250℃和500-4000psi下具有所需成形的导电板。

公开(公告)号：US20110212319A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：US13094493

申请日：2011-04-26

申请人： LI-CHUN WANG ,  Han-Wen Kuo ,  Yuh Sung ,  Shiaw-Ruey Lin ,  Ming-Der Ger ,  Yih-Ming Liu ,  Wei-Ta Chang

发明人： LI-CHUN WANG ,  Han-Wen Kuo ,  Yuh Sung ,  Shiaw-Ruey Lin ,  Ming-Der Ger ,  Yih-Ming Liu ,  Wei-Ta Chang

IPC分类号： B32B3/26 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

CPC分类号： D01F9/127 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/15 ,  D01F9/1275 ,  D01F11/123 ,  D01F11/16 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/24997 ,  Y10T428/249981 ,  Y10T428/24999

摘要： The invention discloses a carbon nanotube device, comprising a substrate, a catalyst layer formed on the substrate, a porous capping layer formed on the catalyst layer, and a carbon nanotube formed on the porous capping layer. A wafer for growing a carbon nanotube comprises a substrate, a catalyst layer formed on the substrate, and a porous capping layer formed on the catalyst layer, with carbon nanotube growning on the porous capping layer.

摘要翻译： 本发明公开了一种碳纳米管装置，包括基板，形成在基板上的催化剂层，形成在催化剂层上的多孔覆盖层和形成在多孔覆盖层上的碳纳米管。 用于生长碳纳米管的晶片包括基板，形成在基板上的催化剂层和形成在催化剂层上的多孔封盖层，其中碳纳米管生长在多孔覆盖层上。

公开(公告)号：US20100124655A1

公开(公告)日：2010-05-20

申请号：US12273418

申请日：2008-11-18

申请人： LI-CHUN WANG ,  Han-Wen Kuo ,  Yuh Sung ,  Shiaw-Ruey Lin ,  Ming-Der Ger ,  Yih-Ming Liu ,  Wei-Ta Chang

发明人： LI-CHUN WANG ,  Han-Wen Kuo ,  Yuh Sung ,  Shiaw-Ruey Lin ,  Ming-Der Ger ,  Yih-Ming Liu ,  Wei-Ta Chang

IPC分类号： B32B3/26 ,  D01F9/12 ,  C23C16/26

CPC分类号： D01F9/127 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/15 ,  D01F9/1275 ,  D01F11/123 ,  D01F11/16 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/24997 ,  Y10T428/249981 ,  Y10T428/24999

摘要： The invention discloses a method for fabricating a carbon nanotube, and the method comprises the following steps: providing a substrate; forming a catalyst layer on the substrate; forming a porous capping layer on the catalyst layer to finish a wafer; forming the carbon nanotube on the wafer. By the porous capping layer, the well-aligned carbon nanotube can grow on the wafer through thermal CVD.

摘要翻译： 本发明公开了一种制造碳纳米管的方法，该方法包括以下步骤：提供基板; 在基板上形成催化剂层; 在所述催化剂层上形成多孔覆盖层以完成晶片; 在晶片上形成碳纳米管。 通过多孔覆盖层，良好对准的碳纳米管可以通过热CVD在晶片上生长。

公开(公告)号：US08414799B2

公开(公告)日：2013-04-09

申请号：US12818940

申请日：2010-06-18

申请人： Nen-Wen Pu ,  Chung An Wang ,  Yuh Sung ,  Ming-Der Ger

发明人： Nen-Wen Pu ,  Chung An Wang ,  Yuh Sung ,  Ming-Der Ger

IPC分类号： C04B14/00

CPC分类号： B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/19 ,  Y02P20/544

摘要： A method for manufacturing graphene is disclosed, which comprises the following steps: putting graphite material and an organic solvent, a surfactant, or a combination thereof in a reaction tank and introducing a supercritical fluid in the reaction tank to allow the organic solvent, the surfactant, or the combination thereof to dissolve in the supercritical fluid and to permeate into the graphite material; and removing the supercritical fluid by depressurization to form graphene. The method of the present invention has simple steps and reduced consumption of manufacturing time, and also can promote the quality of the resultant graphene in large-scale manufacturing.

摘要翻译： 公开了一种制造石墨烯的方法，包括以下步骤：将石墨材料和有机溶剂，表面活性剂或其组合物放入反应槽中，并在反应槽中引入超临界流体，使有机溶剂，表面活性剂 或其组合以溶解在超临界流体中并渗透到石墨材料中; 并通过减压除去超临界流体以形成石墨烯。 本发明的方法具有简单的步骤，降低了制造时间的消耗，并且可以在大规模制造中提高所得石墨烯的质量。

公开(公告)号：US20060240189A1

公开(公告)日：2006-10-26

申请号：US11246063

申请日：2005-10-11

申请人： Ming-Der Ger ,  Yuh Sung ,  Yih-Ming Liu ,  Mei-Jiun Shie ,  Han-Tao Wang

发明人： Ming-Der Ger ,  Yuh Sung ,  Yih-Ming Liu ,  Mei-Jiun Shie ,  Han-Tao Wang

IPC分类号： B05D1/18 ,  C23C16/00

CPC分类号： C25D11/30

摘要： The present invention relates to a low-temperature method for forming carbon nanotubes, which mainly includes preparing a co-catalyst of composite metal particles on a substrate, and growing carbon nanotubes on the substrate by a thermal CVD process at 400° C. The present invention uses a non-isothermal deposition (NITD) and a metal chemical substitution reaction to prepare the co-catalyst particles on the substrate.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于形成碳纳米管的低温方法，其主要包括在基材上制备复合金属颗粒的助催化剂，并在400℃下通过热CVD法在基板上生长碳纳米管。本发明 本发明使用非等温沉积（NITD）和金属化学取代反应来制备底物上的助催化剂颗粒。

公开(公告)号：US20060228488A1

公开(公告)日：2006-10-12

申请号：US11171215

申请日：2005-07-01

申请人： Yuh Sung ,  Ming-Der Ger ,  Yu-Hsien Chou ,  Chi-Liang Cheng

发明人： Yuh Sung ,  Ming-Der Ger ,  Yu-Hsien Chou ,  Chi-Liang Cheng

IPC分类号： B05D1/18 ,  B05D5/12 ,  B05D3/02

CPC分类号： C23C18/168 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1676 ,  C23C18/405 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76877

摘要： A method for depositing a copper layer on a substrate is disclosed. The method is achieved by heating a plating solution located between a heating device and a target substrate. Through the process illustrated above, metal nano-particles come out from the plating solution and deposit on a substrate with high aspect ratio. Surfactant can be selectively added for obtaining ultra-thin continuous film, void-free copper connectors. Furthermore, a copper film would achieve a preferred (111) crystallization orientation.

摘要翻译： 公开了一种在衬底上沉积铜层的方法。 该方法通过加热位于加热装置和靶基板之间的电镀液来实现。 通过上述过程，金属纳米粒子从电镀液中出来，沉积在具有高纵横比的基底上。 可以选择性地添加表面活性剂以获得超薄连续膜，无空隙的铜连接器。 此外，铜膜将获得优选的（111）结晶取向。

公开(公告)号：US06773760B1

公开(公告)日：2004-08-10

申请号：US10423935

申请日：2003-04-28

申请人： Yuh Sung ,  Ming-Der Ger ,  Yu-Hsien Chou ,  Bing-Joe Hwang

发明人： Yuh Sung ,  Ming-Der Ger ,  Yu-Hsien Chou ,  Bing-Joe Hwang

IPC分类号： B05D310

CPC分类号： C23C18/31 ,  C23C18/1676 ,  H05K3/187

摘要： A method for metallizing a surface of substrates is disclosed. Particularly, nonhomogeneous heating deposition occurs by setting the surface and the heater in an electroless plating reactor at different temperatures. Moreover, an adjustable gap is defined between the substrate being metalized and heating source board. The deposit can securely adhere to the surface of the substrate for gap creates and activates metallic nanoparticles, which possess higher activity and bonding strength to the surface. Accordingly, metallization of the surface of the substrate can be easily achieved without using precious metals and carcinogenic materials.

摘要翻译： 公开了一种金属化基片表面的方法。 特别地，通过将​​表面和加热器设置在不同温度下的化学镀电镀反应器中，发生非均匀的加热沉积。 此外，在金属化的基板和加热源板之间限定可调节的间隙。 沉积物可以牢固地粘附到基底的表面上，用于间隙产生并激活金属纳米颗粒，其对表面具有更高的活性和结合强度。 因此，可以容易地实现基板的表面的金属化，而不使用贵金属和致癌材料。