公开(公告)号：US07005388B1

公开(公告)日：2006-02-28

申请号：US10728319

申请日：2003-12-04

申请人： Peter J. Hopper ,  Vladislav Vashchenko ,  Peter Johnson ,  Robert Drury

发明人： Peter J. Hopper ,  Vladislav Vashchenko ,  Peter Johnson ,  Robert Drury

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

摘要： A semiconductor die is formed in a process that forms a hole through the wafer prior to the formation of the contacts and the metal-1 layer of an interconnect structure. The through-the-wafer hole is formed by using a wafer with a crystallographic orientation and a wet etch, such as with ethanol (KOH) or tetramethylammonium hydroxide (TMAH).

摘要翻译： 在形成触点和互连结构的金属-1层之前，在形成穿过晶片的孔的工艺中形成半导体管芯。 通过使用具有<110>结晶取向和湿蚀刻的晶片，例如用乙醇（KOH）或四甲基氢氧化铵（TMAH））形成贯通晶片孔。

公开(公告)号：US07132342B1

公开(公告)日：2006-11-07

申请号：US11003094

申请日：2004-12-03

申请人： Alexei Sadovnikov ,  Peter Johnson

发明人： Alexei Sadovnikov ,  Peter Johnson

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/4991 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/78

摘要： In a method of reducing the fringing capacitance of a MOSFET, the nitride spacers on the sides of the MOSFET gate are etched away to form trenches, which are plugged to define air spacers.

摘要翻译： 在减小MOSFET的边缘电容的方法中，MOSFET栅极侧面上的氮化物间隔物被蚀刻掉以形成沟槽，其被堵塞以限定空气间隔物。

公开(公告)号：US07897472B2

公开(公告)日：2011-03-01

申请号：US12624259

申请日：2009-11-23

申请人： Peter J. Hopper ,  Peter Johnson ,  Kyuwoon Hwang ,  Andrei Papou

发明人： Peter J. Hopper ,  Peter Johnson ,  Kyuwoon Hwang ,  Andrei Papou

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L23/645 ,  H01L23/5227 ,  H01L28/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/19015 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/00

摘要： Methods for forming multiple inductors on a semiconductor wafer are described. A plating layer and a photoresist layer are applied over a semiconductor wafer. Recess regions are etched in the photoresist layer using photolithographic techniques, which exposes portions of the underlying plating layer. Metal is electroplated into the recess regions in the photoresist layer to form multiple magnetic core inductor members. A dielectric insulating layer is applied over the magnetic core inductor members. Additional plating and photoresist layers are applied over the dielectric insulating layer. Recess regions are formed in the newly applied photoresist layer. Electroplating is used to form inductor windings in the recess regions. Optionally, a magnetic paste can be applied over the inductor coils.

摘要翻译： 描述了在半导体晶片上形成多个电感器的方法。 将镀层和光致抗蚀剂层施加在半导体晶片上。 使用光刻技术在光致抗蚀剂层中蚀刻凹陷区域，其暴露下面的镀层的部分。 将金属电镀到光致抗蚀剂层的凹陷区域中以形成多个磁芯电感器构件。 介质绝缘层施加在磁芯电感器部件上。 在电介质绝缘层上施加附加的电镀和光致抗蚀剂层。 在新施加的光致抗蚀剂层中形成凹陷区域。 电镀用于在凹陷区域形成电感线圈。 可选地，可以在电感线圈上施加磁性糊。

公开(公告)号：US07250842B1

公开(公告)日：2007-07-31

申请号：US11200384

申请日：2005-08-09

申请人： Peter Johnson ,  Peter J. Hopper ,  Kyuwoon Hwang ,  Robert Drury

发明人： Peter Johnson ,  Peter J. Hopper ,  Kyuwoon Hwang ,  Robert Drury

IPC分类号： H01F5/00

CPC分类号： H01F41/046 ,  H01F10/14 ,  H01F10/265 ,  H01F17/0033 ,  H01F41/309 ,  H01F2017/0066

摘要： A very, very low resistance micro-electromechanical system (MEMS) inductor, which provides resistance in the single-digit milliohm range, is formed by utilizing a single thick wide loop of metal formed around a magnetic core structure. The magnetic core structure, in turn, can utilize a laminated Ni—Fe structure that has an easy axis and a hard axis.

摘要翻译： 通过利用在磁芯结构周围形成的单个厚的宽的环形环来形成提供单位毫欧范围电阻的非常非常低的电阻微机电系统（MEMS）电感器。 磁芯结构又可以利用具有易轴和硬轴的叠层Ni-Fe结构。

公开(公告)号：US20120161294A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：US12978492

申请日：2010-12-24

申请人： Peter J. Hopper ,  Peter Johnson ,  Peter Smeys ,  William French

发明人： Peter J. Hopper ,  Peter Johnson ,  Peter Smeys ,  William French

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/544 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L22/14 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/5252 ,  H01L27/0802 ,  H01L28/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Multiple wafers that each has multiple high-precision circuits and corresponding trim control circuits are batch trimmed in a process where each wafer is formed to include openings that expose trimmable circuit elements that are internal to the circuitry of the high-precision circuits. The high-precision circuits and trim control circuits are electrically activated during the trimming phase by metal traces that run along the saw streets. The method attaches a wafer contact structure to each wafer to electrically activate the metal traces. The method places the wafers with the wafer contact structures into a solution where the exposed trimmable circuit elements are electroplated or anodized when the actual output voltage of a high-precision circuit does not match the predicted output voltage of the high-precision circuit.

摘要翻译： 在每个晶片被形成为包括暴露高精度电路的电路内部的可调节电路元件的开口的过程中，每个具有多个高精度电路和相应的微调控制电路的多个晶片被批量修整。 高精度电路和微调控制电路在修整阶段通过沿着锯木街道行进的金属轨迹进行电激活。 该方法将晶片接触结构连接到每个晶片以电激活金属迹线。 该方法将具有晶片接触结构的晶片放置在当高精度电路的实际输出电压与高精度电路的预测输出电压不匹配时，暴露的可调节电路元件被电镀或阳极化的解决方案中。

公开(公告)号：US20110260248A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：US12768295

申请日：2010-04-27

申请人： Peter Smeys ,  Peter Johnson ,  Peter J. Hopper ,  William French

发明人： Peter Smeys ,  Peter Johnson ,  Peter J. Hopper ,  William French

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L27/1203 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/84 ,  H01L23/481 ,  H01L23/522 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： A silicon-on-insulator (SOI) wafer is formed to have through-the-wafer contacts, and trench based interconnect structures on the back side of the SOI wafer that electrically connect the through-the-wafer contacts. In addition, selected ones of the through-the-wafer contacts bias the bodies of the MOS transistors.

摘要翻译： 形成绝缘体上硅（SOI）晶片以具有贯穿晶片的触点，以及SOI晶片的背侧上的沟槽基互连结构，其电连接晶片间的触点。 此外，通过晶片间接触的选定的一个偏压MOS晶体管的主体。

公开(公告)号：US07875955B1

公开(公告)日：2011-01-25

申请号：US11713921

申请日：2007-03-05

申请人： Peter J. Hopper ,  Peter Johnson ,  Kyuwoon Hwang ,  Philipp Lindorfer

发明人： Peter J. Hopper ,  Peter Johnson ,  Kyuwoon Hwang ,  Philipp Lindorfer

IPC分类号： H01L27/08

CPC分类号： H01L23/5227 ,  H01F17/0006 ,  H01F17/02 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

摘要： An on-chip inductor structure for a DC-DC power regulator circuit merges the switching transistor metallization with the inductor. Thick top level conductor metal that is used to strap the transistor array and to lower its on-state resistance is also used to extend the power inductor into the transistor array. Thus, the structure includes three basic components: a power inductor that spirals around the transistor array, the transistor array itself, and the transistor array metallization that is used to form a distributed inductance situated over the transistor array.

摘要翻译： 用于DC-DC功率调节器电路的片上电感器结构将开关晶体管金属化与电感器并入。 用于绑定晶体管阵列并降低其导通电阻的厚顶级导体金属也用于将功率电感器扩展到晶体管阵列中。 因此，该结构包括三个基本部件：围绕晶体管阵列螺旋的功率电感器，晶体管阵列本身以及用于形成位于晶体管阵列上方的分布式电感器的晶体管阵列金属化。

公开(公告)号：US07239712B1

公开(公告)日：2007-07-03

申请号：US10874451

申请日：2004-06-23

申请人： Robert Drury ,  Peter J. Hopper ,  Michael Mian ,  Peter Johnson

发明人： Robert Drury ,  Peter J. Hopper ,  Michael Mian ,  Peter Johnson

IPC分类号： H04R9/00

CPC分类号： H04R19/005 ,  H04R19/04

摘要： An inductor-based integrated MEMS microphone and a method of making the microphone is provided. The microphone structure includes a vibrating inductor that is suspended over another stationary inductor such that the magnetic field induced from one inductor induces an electrical potential across the other. The stationary inductor is embedded in a dielectric material that is etched out over the stationary inductor to provide the cavity over which the vibrating inductor is suspended.

摘要翻译： 提供基于电感器的集成MEMS麦克风和制造麦克风的方法。 麦克风结构包括悬挂在另一个固定电感器上的振动电感器，使得从一个电感器感应出的磁场引起跨越另一电感器的电位。 固定电感器被嵌入介电材料中，该绝缘材料在静电感应器上蚀刻出来，以提供振动电感器悬挂在其上的空腔。

公开(公告)号：US06864581B1

公开(公告)日：2005-03-08

申请号：US10219212

申请日：2002-08-15

申请人： Peter J. Hopper ,  Peter Johnson ,  Kyuwoon Hwang ,  Michael Mian ,  Robert Drury

发明人： Peter J. Hopper ,  Peter Johnson ,  Kyuwoon Hwang ,  Michael Mian ,  Robert Drury

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L23/5227 ,  H01L23/5283 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

摘要： The RF impedance of a metal trace at gigahertz frequencies is reduced by forming the metal trace to have a base region and a number of fingers that extend away from the base region. When formed to have a number of loops, the metal trace forms an inductor with an increased Q.

摘要翻译： 以千兆赫兹频率的金属迹线的RF阻抗通过形成金属迹线而减小，以具有从基极区域延伸的基极区域和多个指状物。 当形成为具有多个环时，金属迹线形成具有增加的Q的电感器。

公开(公告)号：US08377792B2

公开(公告)日：2013-02-19

申请号：US12756097

申请日：2010-04-07

申请人： Peter J. Hopper ,  William French ,  Peter Smeys ,  Peter Johnson

发明人： Peter J. Hopper ,  William French ,  Peter Smeys ,  Peter Johnson

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/266

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/0805 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An interdigitated semiconductor capacitor with a large number of plates and a capacitance in the micro-farad range is formed on a wafer with only a single lithography step by depositing each odd layer of metal through a first shadow mask that lies spaced apart from the wafer, and each even layer of metal through a second shadow mask that lies spaced apart from the wafer.

摘要翻译： 具有大量板和微法拉范围内的电容的交叉指向的半导体电容器仅在单个光刻步骤上形成在晶片上，通过沉积与晶片间隔开的第一荫罩，每个奇数层的金属， 以及通过与晶片间隔开的第二荫罩的每个偶数金属层。