公开(公告)号：US09276157B2

公开(公告)日：2016-03-01

申请号：US13601110

申请日：2012-08-31

申请人： Donald Franklin Foust ,  Hongbo Cao ,  Laura Anne Clark ,  Robert Andrew Garber ,  Scott Daniel Feldman-Peabody ,  Wyatt Keith Metzger ,  Yinghui Shan ,  Roman Shuba

发明人： Donald Franklin Foust ,  Hongbo Cao ,  Laura Anne Clark ,  Robert Andrew Garber ,  Scott Daniel Feldman-Peabody ,  Wyatt Keith Metzger ,  Yinghui Shan ,  Roman Shuba

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L31/073 ,  H01L21/02 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0392

CPC分类号： H01L31/1828 ,  H01L21/02052 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/073 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/543

摘要： Methods for treating a semiconductor layer including a semiconductor material are presented. A method includes contacting at least a portion of the semiconductor material with a passivating agent. The method further includes forming a first region in the semiconductor layer by introducing a dopant into the semiconductor material; and forming a chalcogen-rich region. The method further includes forming a second region in the semiconductor layer, the second region including a dopant, wherein an average atomic concentration of the dopant in the second region is greater than an average atomic concentration of the dopant in the first region. Photovoltaic devices are also presented.

摘要翻译： 介绍了包括半导体材料在内的半导体层的处理方法。 一种方法包括使半导体材料的至少一部分与钝化剂接触。 该方法还包括通过将掺杂剂引入到半导体材料中来形成半导体层中的第一区域; 并形成富含硫族元素的区域。 该方法还包括在半导体层中形成第二区域，第二区域包括掺杂剂，其中第二区域中的掺杂剂的平均原子浓度大于第一区域中掺杂剂的平均原子浓度。 还介绍了光伏器件。

公开(公告)号：US20140065763A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：US13601110

申请日：2012-08-31

申请人： Donald Franklin Foust ,  Hongbo Cao ,  Laura Anne Clark ,  Robert Andrew Garber ,  Scott Daniel Feldman-Peabody ,  Wyatt Keith Metzger ,  Yinghui Shan ,  Roman Shuba

发明人： Donald Franklin Foust ,  Hongbo Cao ,  Laura Anne Clark ,  Robert Andrew Garber ,  Scott Daniel Feldman-Peabody ,  Wyatt Keith Metzger ,  Yinghui Shan ,  Roman Shuba

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1828 ,  H01L21/02052 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/073 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/543

摘要： Methods for treating a semiconductor layer including a semiconductor material are presented. A method includes contacting at least a portion of the semiconductor material with a passivating agent. The method further includes forming a first region in the semiconductor layer by introducing a dopant into the semiconductor material; and forming a chalcogen-rich region. The method further includes forming a second region in the semiconductor layer, the second region including a dopant, wherein an average atomic concentration of the dopant in the second region is greater than an average atomic concentration of the dopant in the first region. Photovoltaic devices are also presented.

摘要翻译： 介绍了包括半导体材料在内的半导体层的处理方法。 一种方法包括使半导体材料的至少一部分与钝化剂接触。 该方法还包括通过将掺杂剂引入到半导体材料中来形成半导体层中的第一区域; 并形成富含硫族元素的区域。 该方法还包括在半导体层中形成第二区域，第二区域包括掺杂剂，其中第二区域中的掺杂剂的平均原子浓度大于第一区域中掺杂剂的平均原子浓度。 还介绍了光伏器件。

公开(公告)号：US20110259423A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：US12765225

申请日：2010-04-22

申请人： Bastiaan Arie Korevaar ,  Juan Carlos Rojo ,  Roman Shuba

发明人： Bastiaan Arie Korevaar ,  Juan Carlos Rojo ,  Roman Shuba

IPC分类号： H01L31/0296 ,  H01L31/0216

CPC分类号： H01L31/022441 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/073 ,  H01L33/0083 ,  Y02E10/543

摘要： A method for forming a back contact for a photovoltaic cell that includes at least one semiconductor layer is provided. The method includes applying a continuous film of a chemically active material on a surface of the semiconductor layer and activating the chemically active material such that the activated material etches the surface of the semiconductor layer. The method further includes removing the continuous film of the activated material from the photovoltaic cell and depositing a metal contact layer on the etched surface of the semiconductor layer.

摘要翻译： 提供一种用于形成包括至少一个半导体层的光伏电池的背接触的方法。 该方法包括在半导体层的表面上施加化学活性材料的连续膜并激活化学活性材料，使得活化的材料蚀刻半导体层的表面。 该方法还包括从光伏电池移除活化材料的连续膜并在半导体层的蚀刻表面上沉积金属接触层。

公开(公告)号：US09231134B2

公开(公告)日：2016-01-05

申请号：US13601162

申请日：2012-08-31

申请人： Donald Franklin Foust ,  Hongbo Cao ,  Laura Anne Clark ,  Robert Andrew Garber ,  Scott Daniel Feldman-Peabody ,  Wyatt Keith Metzger ,  Yinghui Shan ,  Roman Shuba

发明人： Donald Franklin Foust ,  Hongbo Cao ,  Laura Anne Clark ,  Robert Andrew Garber ,  Scott Daniel Feldman-Peabody ,  Wyatt Keith Metzger ,  Yinghui Shan ,  Roman Shuba

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/073

CPC分类号： H01L31/02963 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/073 ,  Y02E10/543

摘要： Photovoltaic devices are presented. A photovoltaic device includes a window layer and a semiconductor layer including a semiconductor material disposed on window layer. The semiconductor layer includes a first region and a second region, the first region disposed proximate to the window layer, and the second region including a chalcogen-rich region, wherein the first region and the second region include a dopant, and an average atomic concentration of the dopant in the second region is greater than an average atomic concentration of the dopant in the first region.

摘要翻译： 介绍了光伏器件。 光电器件包括窗口层和包括设置在窗口层上的半导体材料的半导体层。 所述半导体层包括第一区域和第二区域，所述第一区域设置在所述窗口层附近，所述第二区域包括富硫族元素区域，其中所述第一区域和所述第二区域包括掺杂剂，并且平均原子浓度 在第二区域中的掺杂剂的平均原子浓度大于第一区域中的掺杂剂的平均原子浓度。

公开(公告)号：US07572425B2

公开(公告)日：2009-08-11

申请号：US11855233

申请日：2007-09-14

申请人： Thomas Francis McNulty ,  Bruce Gordon Norman ,  Mark Philip D'Evelyn ,  Roman Shuba

发明人： Thomas Francis McNulty ,  Bruce Gordon Norman ,  Mark Philip D'Evelyn ,  Roman Shuba

IPC分类号： C01B33/02 ,  C01B33/021 ,  C01B33/023 ,  C01B33/025

CPC分类号： C01B33/025 ,  F27D17/004 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A starting material including silica and carbon is heated to form an intermediate material. The intermediate material includes silica and silicon carbide. The intermediate material is reacted to form silicon. At least some of the emissions that are generated by heating the starting material and reacting the intermediate material are collected and used to generate electric power.

摘要翻译： 将包括二氧化硅和碳的起始材料加热以形成中间材料。 中间材料包括二氧化硅和碳化硅。 中间材料反应形成硅。 通过加热起始材料和使中间材料反应产生的至少一些排放被收集并用于产生电力。

公开(公告)号：US20080314446A1

公开(公告)日：2008-12-25

申请号：US11767957

申请日：2007-06-25

申请人： Thomas Francis McNulty ,  John Thomas Leman ,  Larry Neil Lewis ,  Mark Philip D'Evelyn ,  Victor Lienkong Lou ,  Roman Shuba

发明人： Thomas Francis McNulty ,  John Thomas Leman ,  Larry Neil Lewis ,  Mark Philip D'Evelyn ,  Victor Lienkong Lou ,  Roman Shuba

IPC分类号： H01L31/00 ,  C01B33/021

CPC分类号： C01B33/025

摘要： A process for the manufacture of high-purity elemental silicon is described. The process includes the step of preparing a silica gel composition by reacting at least one organosilane compound with an aqueous composition, so as to form granules of the silica gel. A hydrocarbon species is then decomposed by way of a hydrocarbon cracking reaction in the presence of the silica gel composition, so that carbon resulting from the decomposition of the hydrocarbon species is deposited on the granules of the gel composition. Heating of the carbon-containing silica gel composition to an elevated temperature produces the elemental silicon product. Related methods for making photovoltaic cells, using the elemental silicon, are also described.

摘要翻译： 描述了制造高纯度元素硅的方法。 该方法包括通过使至少一种有机硅烷化合物与水性组合物反应制备硅胶组合物的步骤，以形成硅胶颗粒。 然后在硅胶组合物的存在下通过烃裂解反应将烃类分解，使得由烃类分解产生的碳沉积在凝胶组合物的颗粒上。 将含碳硅胶组合物加热至高温产生元素硅产物。 还描述了使用元素硅制造光伏电池的相关方法。