公开(公告)号：US08178417B2

公开(公告)日：2012-05-15

申请号：US12107751

申请日：2008-04-22

申请人： Shailendra Mishra ,  James Yong Meng Lee ,  Zhao Lun ,  Wen Zhi Gao ,  Chung Woh Lai ,  Huang Liu ,  Johnny Widodo ,  Liang Choo Hsia

发明人： Shailendra Mishra ,  James Yong Meng Lee ,  Zhao Lun ,  Wen Zhi Gao ,  Chung Woh Lai ,  Huang Liu ,  Johnny Widodo ,  Liang Choo Hsia

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/76229

摘要： A method of forming shallow trench isolation (STI) structures using a multi-step etch process is disclosed. The first etch step is performed by selectively etching the substrate at a substantially higher etching rate than the mask layer to form preliminary openings having steep taper angles. The second etch step is performed by non-selectively etching the substrate to deepen the preliminary openings to form STI gaps with substantially flat bottoms.

摘要翻译： 公开了一种使用多步蚀刻工艺形成浅沟槽隔离（STI）结构的方法。 通过以比掩模层更高的蚀刻速率选择性地蚀刻衬底来进行第一蚀刻步骤，以形成具有陡峭锥角的预备开口。 第二蚀刻步骤是通过非选择性蚀刻衬底来加深初步开口以形成具有基本平坦底部的STI间隙。

公开(公告)号：US08143651B2

公开(公告)日：2012-03-27

申请号：US12848999

申请日：2010-08-02

申请人： Johnny Widodo ,  Liang Choo Hsia ,  James Yong Meng Lee ,  Wen Zhi Gao ,  Zhao Lun ,  Huang Liu ,  Chung Woh Lai ,  Shailendra Mishra ,  Yew Tuck Chow ,  Fang Chen ,  Shiang Yang Ong

发明人： Johnny Widodo ,  Liang Choo Hsia ,  James Yong Meng Lee ,  Wen Zhi Gao ,  Zhao Lun ,  Huang Liu ,  Chung Woh Lai ,  Shailendra Mishra ,  Yew Tuck Chow ,  Fang Chen ,  Shiang Yang Ong

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L29/41783 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823443 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7833

摘要： A processing layer, such as silicon, is formed on a metal silicide contact followed by a metal layer. The silicon and metal layers are annealed to increase the thickness of the metal silicide contact. By selectively increasing the thickness of silicide contacts, Rs of transistors in iso and nested regions can be matched.

摘要翻译： 在金属硅化物接触之后形成金属层，例如硅的处理层。 对硅和金属层进行退火以增加金属硅化物接触的厚度。 通过选择性地增加硅化物接触的厚度，可以匹配异和嵌套区域中的晶体管的Rs。

公开(公告)号：US20100009527A1

公开(公告)日：2010-01-14

申请号：US12172724

申请日：2008-07-14

申请人： Yong Meng Lee ,  Chung Woh Lai ,  Huang Liu ,  Wenzhi Gao ,  Zhao Lun ,  Johnny Widodo ,  Shailendra Mishra ,  Liang-Choo Hsia

发明人： Yong Meng Lee ,  Chung Woh Lai ,  Huang Liu ,  Wenzhi Gao ,  Zhao Lun ,  Johnny Widodo ,  Shailendra Mishra ,  Liang-Choo Hsia

IPC分类号： H01L21/266

CPC分类号： H01L21/2652 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/823892

摘要： A method for manufacturing an integrated circuit system that includes: providing a substrate; forming a mask layer over the substrate; implanting a first well through an opening in the mask layer into the substrate; and implanting a second well through the mask layer and the opening via a single implant into the substrate.

摘要翻译： 一种集成电路系统的制造方法，包括：提供基板; 在衬底上形成掩模层; 将第一阱通过掩模层中的开口植入衬底中; 以及将第二阱通过所述掩模层和所述开口经由单个植入物注入到所述衬底中。

公开(公告)号：US20090146262A1

公开(公告)日：2009-06-11

申请号：US11952947

申请日：2007-12-07

申请人： Huang Liu ,  Alex K.H. See ,  James Lee ,  Johnny Widodo ,  Chung Woh Lai ,  Wenzhi Gao ,  Zhao Lun ,  Shailendra Mishra ,  Liang-Choo Hsia

发明人： Huang Liu ,  Alex K.H. See ,  James Lee ,  Johnny Widodo ,  Chung Woh Lai ,  Wenzhi Gao ,  Zhao Lun ,  Shailendra Mishra ,  Liang-Choo Hsia

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L21/02639 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823807

摘要： An integrated circuit system that includes: providing a substrate; depositing a dielectric on the substrate; depositing an isolation dielectric on the dielectric; forming a trench through the isolation dielectric and the dielectric to expose the substrate; depositing a dielectric liner over the integrated circuit system; processing the dielectric liner to form a trench spacer; and depositing an epitaxial growth within the trench that includes a crystalline orientation that is substantially identical to the substrate.

摘要翻译： 一种集成电路系统，包括：提供衬底; 在基板上沉积电介质; 在电介质上沉积隔离电介质; 通过隔离电介质和电介质形成沟槽以露出衬底; 在所述集成电路系统上沉积电介质衬垫; 处理介电衬垫以形成沟槽间隔物; 以及在所述沟槽内沉积外延生长，其包括基本上与所述衬底相同的晶体取向。

公开(公告)号：US07795680B2

公开(公告)日：2010-09-14

申请号：US11952947

申请日：2007-12-07

申请人： Huang Liu ,  Alex K. H. See ,  James Lee ,  Johnny Widodo ,  Chung Woh Lai ,  Wenzhi Gao ,  Zhao Lun ,  Shailendra Mishra ,  Liang-Choo Hsia

发明人： Huang Liu ,  Alex K. H. See ,  James Lee ,  Johnny Widodo ,  Chung Woh Lai ,  Wenzhi Gao ,  Zhao Lun ,  Shailendra Mishra ,  Liang-Choo Hsia

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L21/02639 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823807

摘要： An integrated circuit system that includes: providing a substrate; depositing a dielectric on the substrate; depositing an isolation dielectric on the dielectric; forming a trench through the isolation dielectric and the dielectric to expose the substrate; depositing a dielectric liner over the integrated circuit system; processing the dielectric liner to form a trench spacer; and depositing an epitaxial growth within the trench that includes a crystalline orientation that is substantially identical to the substrate.

摘要翻译： 一种集成电路系统，包括：提供衬底; 在基板上沉积电介质; 在电介质上沉积隔离电介质; 通过隔离电介质和电介质形成沟槽以露出衬底; 在所述集成电路系统上沉积电介质衬垫; 处理介电衬垫以形成沟槽间隔物; 以及在所述沟槽内沉积外延生长，其包括基本上与所述衬底相同的晶体取向。

公开(公告)号：US08138053B2

公开(公告)日：2012-03-20

申请号：US11763561

申请日：2007-06-15

申请人： Henry K. Utomo ,  Shailendra Mishra ,  Lee Wee Teo ,  Jae Gon Lee ,  Shyue Seng Tan

发明人： Henry K. Utomo ,  Shailendra Mishra ,  Lee Wee Teo ,  Jae Gon Lee ,  Shyue Seng Tan

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7843 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

摘要： Embodiments of the invention provide a method of forming a field-effect-transistor (FET). The method includes implanting one or more n-type dopants to create one or more implanted regions with at least a portion of the implanted regions being designated as regions for forming source and drain extensions of the FET; activating the implanted regions; etching with a chlorine based etchant to create openings in the implanted regions, and forming the source and drain extensions by exptaxially growing embedded silicon germanium in the openings. Structure of a semiconductor field-effect-transistor made thereof is also provided.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了形成场效应晶体管（FET）的方法。 该方法包括：注入一个或多个n型掺杂剂以产生一个或多个注入区，其中至少一部分注入区被指定为用于形成FET的源极和漏极扩展的区域; 激活植入区域; 用氯气蚀刻剂蚀刻以在注入区域中形成开口，以及通过在开口中外延生长嵌入式硅锗形成源极和漏极延伸部分。 还提供了由其制成的半导体场效应晶体管的结构。

公开(公告)号：US20080166847A1

公开(公告)日：2008-07-10

申请号：US11763561

申请日：2007-06-15

申请人： Henry K. Utomo ,  Shailendra Mishra ,  Lee Wee Teo ,  Jae Gon Lee ,  Shyue Seng Tan

发明人： Henry K. Utomo ,  Shailendra Mishra ,  Lee Wee Teo ,  Jae Gon Lee ,  Shyue Seng Tan

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7843 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

摘要： Embodiments of the invention provide a method of forming a field-effect-transistor (FET). The method includes implanting one or more n-type dopants to create one or more implanted regions with at least a portion of the implanted regions being designated as regions for forming source and drain extensions of the FET; activating the implanted regions; etching with a chlorine based etchant to create openings in the implanted regions, and forming the source and drain extensions by exptaxially growing embedded silicon germanium in the openings. Structure of a semiconductor field-effect-transistor made thereof is also provided.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了形成场效应晶体管（FET）的方法。 该方法包括：注入一个或多个n型掺杂剂以产生一个或多个注入区，其中至少一部分注入区被指定为用于形成FET的源极和漏极扩展的区域; 激活植入区域; 用氯气蚀刻剂蚀刻以在注入区域中形成开口，以及通过在开口中外延生长嵌入式硅锗形成源极和漏极延伸部分。 还提供了由其制成的半导体场效应晶体管的结构。

公开(公告)号：US09305057B2

公开(公告)日：2016-04-05

申请号：US12913636

申请日：2010-10-27

申请人： Alexandre de Castro Alves ,  Unmesh Deshmukh ,  Hoyong Park ,  Shailendra Mishra ,  Anand Srinivasan

发明人： Alexandre de Castro Alves ,  Unmesh Deshmukh ,  Hoyong Park ,  Shailendra Mishra ,  Anand Srinivasan

IPC分类号： G06F7/00 ,  G06F17/30

CPC分类号： G06F17/30516 ,  G06F17/30557

摘要： A framework or infrastructure (extensibility framework/infrastructure) for extending the indexing capabilities of an event processing system. The capabilities of an event processing system may be extended to support indexing schemes, including related data types and operations, which are not natively supported by the event processing system. The extensibility is enabled by one or more plug-in extension components called data cartridges.

摘要翻译： 用于扩展事件处理系统的索引功能的框架或基础设施（扩展框架/基础架构）。 可以扩展事件处理系统的能力，以支持索引方案，包括相关的数据类型和操作，这些事件处理系统本身不支持。 扩展性由一个或多个称为数据盒式的插件扩展组件启用。

公开(公告)号：US08527458B2

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：US12534384

申请日：2009-08-03

申请人： Hoyong Park ,  Parul Jain ,  Namit Jain ,  Anand Srinivasan ,  Shailendra Mishra

发明人： Hoyong Park ,  Parul Jain ,  Namit Jain ,  Anand Srinivasan ,  Shailendra Mishra

IPC分类号： G06F7/00 ,  G06F17/00 ,  G06F17/30

CPC分类号： G06F17/30516 ,  G06F17/30306

摘要： Techniques for logging data pertaining to the operation of a data stream processing server. In one set of embodiments, logging configuration information can be received specifying a functional area of a data stream processing server to be logged. Based on the logging configuration information, logging can be dynamically enabled for objects associated with the functional area that are instantiated by the data stream processing server, and logging can be dynamically disabled for objects associated with the functional area that are discarded (or no longer used) by the data stream processing server. In another set of embodiments, a tool can be provided for visualizing the data logged by the data stream processing server.

摘要翻译： 用于记录与数据流处理服务器的操作有关的数据的技术。 在一组实施例中，可以接收指定要记录的数据流处理服务器的功能区域的记录配置信息。 基于记录配置信息，可以对与数据流处理服务器实例化的功能区域相关联的对象动态启用日志记录，并且可以对与丢弃（或不再使用的功能区域）相关联的对象动态禁用日志记录 ）由数据流处理服务器。 在另一组实施例中，可以提供用于可视化由数据流处理服务器记录的数据的工具。

公开(公告)号：US08321450B2

公开(公告)日：2012-11-27

申请号：US12506891

申请日：2009-07-21

申请人： Mohit Thatte ,  Sandeep Bishnoi ,  Namit Jain ,  Anand Srinivasan ,  Shailendra Mishra

发明人： Mohit Thatte ,  Sandeep Bishnoi ,  Namit Jain ,  Anand Srinivasan ,  Shailendra Mishra

IPC分类号： G06F17/30

CPC分类号： G06F17/30516 ,  G06F9/541 ,  H04L29/00

摘要： Techniques for facilitating communication between one or more client applications and an event processing server. In one set of embodiments, a framework is provided that enables a client application to communicate with an event processing server via a standard database connectivity API, such as Java Database Connectivity (JDBC).

摘要翻译： 用于促进一个或多个客户端应用与事件处理服务器之间的通信的技术。 在一组实施例中，提供了一种框架，其使得客户端应用程序能够通过诸如Java数据库连接（JDBC）的标准数据库连接API与事件处理服务器进行通信。