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    Process for making doped zinc oxide
    11.
    发明授权
    Process for making doped zinc oxide 有权
    制造掺杂氧化锌的方法

    公开(公告)号：US07972898B2

    公开(公告)日：2011-07-05

    申请号：US11861455

    申请日：2007-09-26

    申请人： Peter J. Cowdery-Corvan ,  David H. Levy ,  Thomas D. Pawlik ,  Diane C. Freeman ,  Shelby F. Nelson

    发明人： Peter J. Cowdery-Corvan ,  David H. Levy ,  Thomas D. Pawlik ,  Diane C. Freeman ,  Shelby F. Nelson

    IPC分类号： C22B19/00 ,  C03C17/245

    CPC分类号： H01L21/02576 ,  B33Y80/00 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262

    摘要： The present invention relates to a process of making a zinc-oxide-based thin film semiconductor, for use in a transistor, comprising thin film deposition onto a substrate comprising providing a plurality of gaseous materials comprising first, second, and third gaseous materials, wherein the first gaseous material is a zinc-containing volatile material and the second gaseous material is reactive therewith such that when one of the first or second gaseous materials are on the surface of the substrate the other of the first or second gaseous materials will react to deposit a layer of material on the substrate, wherein the third gaseous material is inert and wherein a volatile indium-containing compound is introduced into the first reactive gaseous material or a supplemental gaseous material.

    摘要翻译： 本发明涉及一种制造用于晶体管的氧化锌基薄膜半导体的方法，其包括在衬底上的薄膜沉积，包括提供多种包含第一，第二和第三气态材料的气态材料，其中 第一气体材料是含锌挥发性材料，第二气态材料与其反应，使得当第一或第二气态材料之一位于基材表面上时，第一或第二气态材料中的另一种将反应沉积 衬底上的一层材料，其中所述第三气态材料是惰性的，并且其中将挥发性含铟化合物引入到所述第一反应性气态材料或补充气态材料中。

    PROCESS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION
    12.
    发明申请
    PROCESS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION 有权
    原子层沉积过程

    公开(公告)号：US20080182358A1

    公开(公告)日：2008-07-31

    申请号：US11627525

    申请日：2007-01-26

    申请人： Peter J. Cowdery-Corvan ,  David H. Levy ,  Shelby F. Nelson ,  Diane C. Freeman ,  Thomas D. Pawlik

    发明人： Peter J. Cowdery-Corvan ,  David H. Levy ,  Shelby F. Nelson ,  Diane C. Freeman ,  Thomas D. Pawlik

    IPC分类号： H01L21/20

    CPC分类号： C23C16/407 ,  B33Y80/00 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/545

    摘要： The present invention relates to a process of making a zinc-oxide-based thin film semiconductor, for use in a transistor, comprising thin film deposition onto a substrate comprising providing a plurality of gaseous materials comprising at least first, second, and third gaseous materials, wherein the first gaseous material is a zinc-containing volatile material and the second gaseous material is reactive therewith such that when one of the first or second gaseous materials are on the surface of the substrate the other of the first or second gaseous materials will react to deposit a layer of material on the substrate and wherein the third gaseous material is inert with respect to reacting with the first or second gaseous materials.

    摘要翻译： 本发明涉及一种制造用于晶体管的氧化锌基薄膜半导体的方法，其包括在衬底上的薄膜沉积，包括提供多种气态材料，其包括至少第一，第二和第三气态材料 其中所述第一气态材料是含锌挥发性材料，并且所述第二气态材料与其反应，使得当所述第一或第二气态材料中的一种位于所述基材的表面上时，所述第一或第二气态材料中的另一种将反应 以在衬底上沉积一层材料，并且其中第三气态材料相对于与第一或第二气态材料的反应是惰性的。

    Process for atomic layer deposition
    13.
    发明授权
    Process for atomic layer deposition 有权
    原子层沉积工艺

    公开(公告)号：US08207063B2

    公开(公告)日：2012-06-26

    申请号：US11627525

    申请日：2007-01-26

    申请人： Peter J. Cowdery-Corvan ,  David H. Levy ,  Shelby F. Nelson ,  Diane C. Freeman ,  Thomas D. Pawlik

    发明人： Peter J. Cowdery-Corvan ,  David H. Levy ,  Shelby F. Nelson ,  Diane C. Freeman ,  Thomas D. Pawlik

    IPC分类号： H01L21/20

    CPC分类号： C23C16/407 ,  B33Y80/00 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/545

    摘要： The present invention relates to a process of making a zinc-oxide-based thin film semiconductor, for use in a transistor, comprising thin film deposition onto a substrate comprising providing a plurality of gaseous materials comprising at least first, second, and third gaseous materials, wherein the first gaseous material is a zinc-containing volatile material and the second gaseous material is reactive therewith such that when one of the first or second gaseous materials are on the surface of the substrate the other of the first or second gaseous materials will react to deposit a layer of material on the substrate and wherein the third gaseous material is inert with respect to reacting with the first or second gaseous materials.

    摘要翻译： 本发明涉及一种制造用于晶体管的氧化锌基薄膜半导体的方法，其包括在衬底上的薄膜沉积，包括提供多种气态材料，其包括至少第一，第二和第三气态材料 其中所述第一气态材料是含锌挥发性材料，并且所述第二气态材料与其反应，使得当所述第一或第二气态材料中的一种位于所述基材的表面上时，所述第一或第二气态材料中的另一种将反应 以在衬底上沉积一层材料，并且其中第三气态材料相对于与第一或第二气态材料的反应是惰性的。

    PROCESS FOR MAKING DOPED ZINC OXIDE
    14.
    发明申请
    PROCESS FOR MAKING DOPED ZINC OXIDE 有权
    制造掺杂氧化锌的方法

    公开(公告)号：US20090081826A1

    公开(公告)日：2009-03-26

    申请号：US11861455

    申请日：2007-09-26

    申请人： Peter J. Cowdery-Corvan ,  David H. Levy ,  Thomas D. Pawlik ,  Diane C. Freeman ,  Shelby F. Nelson

    发明人： Peter J. Cowdery-Corvan ,  David H. Levy ,  Thomas D. Pawlik ,  Diane C. Freeman ,  Shelby F. Nelson

    IPC分类号： H01L21/36

    CPC分类号： H01L21/02576 ,  B33Y80/00 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262

    摘要： The present invention relates to a process of making a zinc-oxide-based thin film semiconductor, for use in a transistor, comprising thin film deposition onto a substrate comprising providing a plurality of gaseous materials comprising first, second, and third gaseous materials, wherein the first gaseous material is a zinc-containing volatile material and the second gaseous material is reactive therewith such that when one of the first or second gaseous materials are on the surface of the substrate the other of the first or second gaseous materials will react to deposit a layer of material on the substrate, wherein the third gaseous material is inert and wherein a volatile indium-containing compound is introduced into the first reactive gaseous material or a supplemental gaseous material.

    摘要翻译： 本发明涉及一种制造用于晶体管的氧化锌基薄膜半导体的方法，其包括在衬底上的薄膜沉积，包括提供多种包含第一，第二和第三气态材料的气态材料，其中 第一气体材料是含锌挥发性材料，第二气态材料与其反应，使得当第一或第二气态材料之一位于基材表面上时，第一或第二气态材料中的另一种将反应沉积 衬底上的一层材料，其中所述第三气态材料是惰性的，并且其中将挥发性含铟化合物引入到所述第一反应性气态材料或补充气态材料中。

    PROCESS FOR DEPOSITING ORGANIC MATERIALS
    15.
    发明申请
    PROCESS FOR DEPOSITING ORGANIC MATERIALS 有权
    沉积有机材料的工艺

    公开(公告)号：US20090081883A1

    公开(公告)日：2009-03-26

    申请号：US11861618

    申请日：2007-09-26

    申请人： Diane C. Freeman ,  David H. Levy ,  Peter J. Cowdery-Corvan

    发明人： Diane C. Freeman ,  David H. Levy ,  Peter J. Cowdery-Corvan

    IPC分类号： H01L21/469

    CPC分类号： C23C16/30 ,  B05D1/60 ,  B05D2252/02 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/545

    摘要： A process of making an organic thin film on a substrate by atomic layer deposition is disclosed, the process comprising simultaneously directing a series of gas flows along substantially parallel elongated channels, and wherein the series of gas flows comprises, in order, at least a first reactive gaseous material, an inert purge gas, and a second reactive gaseous material, optionally repeated a plurality of times, wherein the first reactive gaseous material is capable of reacting with a substrate surface treated with the second reactive gaseous material wherein the first reactive gaseous material, the second reactive gaseous material or both is a volatile organic compound. The process is carried out substantially at or above atmospheric pressure and at a temperature under 250° C., during deposition of the organic thin film.

    摘要翻译： 公开了通过原子层沉积在衬底上制造有机薄膜的方法，该方法包括同时引导一系列沿着大致平行的细长通道的气流，并且其中一系列气流依次包括至少第一 反应性气态材料，惰性吹扫气体和第二反应性气体材料，任选地重复多次，其中第一反应性气体材料能够与用第二反应性气态材料处理的基底表面反应，其中第一反应性气态材料 ，第二反应性气体物质或两者都是挥发性有机化合物。 在有机薄膜的沉积期间，该过程基本上在大气压以上且在250℃以下的温度下进行。

    Process for depositing organic materials
    16.
    发明授权
    Process for depositing organic materials 有权
    沉积有机材料的方法

    公开(公告)号：US07858144B2

    公开(公告)日：2010-12-28

    申请号：US11861618

    申请日：2007-09-26

    申请人： Diane C. Freeman ,  David H. Levy ,  Peter J. Cowdery-Corvan

    发明人： Diane C. Freeman ,  David H. Levy ,  Peter J. Cowdery-Corvan

    IPC分类号： B05D5/12

    CPC分类号： C23C16/30 ,  B05D1/60 ,  B05D2252/02 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/545

    摘要： A process of making an organic thin film on a substrate by atomic layer deposition is disclosed, the process comprising simultaneously directing a series of gas flows along substantially parallel elongated channels, and wherein the series of gas flows comprises, in order, at least a first reactive gaseous material, an inert purge gas, and a second reactive gaseous material, optionally repeated a plurality of times, wherein the first reactive gaseous material is capable of reacting with a substrate surface treated with the second reactive gaseous material wherein the first reactive gaseous material, the second reactive gaseous material or both is a volatile organic compound. The process is carried out substantially at or above atmospheric pressure and at a temperature under 250° C., during deposition of the organic thin film.

    摘要翻译： 公开了通过原子层沉积在衬底上制造有机薄膜的方法，该方法包括同时引导一系列沿着大致平行的细长通道的气流，并且其中一系列气流依次包括至少第一 反应性气态材料，惰性吹扫气体和第二反应性气体材料，任选地重复多次，其中第一反应性气体材料能够与用第二反应性气态材料处理的基底表面反应，其中第一反应性气态材料 ，第二反应性气体物质或两者都是挥发性有机化合物。 在有机薄膜的沉积期间，该过程基本上在大气压以上且在250℃以下的温度下进行。

    Thermally processable imaging element
    18.
    发明授权
    Thermally processable imaging element 失效
    热处理成像元件

    公开(公告)号：US5981156A

    公开(公告)日：1999-11-09

    申请号：US915209

    申请日：1997-08-20

    申请人： Sharon M. Melpolder ,  Peter J. Cowdery-Corvan ,  Alfred J. Alton

    发明人： Sharon M. Melpolder ,  Peter J. Cowdery-Corvan ,  Alfred J. Alton

    IPC分类号： G03C1/498 ,  G03C1/76

    CPC分类号： G03C1/49872 ,  G03C1/32 ,  G03C2200/33 ,  G03C2200/50

    摘要： A method of making a thermally processable imaging element which comprises:i) forming a solution of poly(vinyl alcohol) in water;ii) adding matte particles to the resulting aqueous medium;iii) adding a compound of the formula I or formula II to the aqueous medium in an amount sufficient to inhibit agglomeration of the matte particles: ##STR1## wherein: the substituents are as described in the specification; iv) coating an image recording layer onto one side of a support;v) coating the aqueous medium containing the matte particles as an overcoat layer over the image recording layer or as backing layer on the side of the support opposite the image recording layer.

    摘要翻译： 一种制造可热加工成像元件的方法，包括：i）在水中形成聚（乙烯醇）溶液; ii）将哑光颗粒加入到所得水介质中; iii）将式I或式II化合物以足以抑制锍颗粒附聚的量向水性介质中加入：其中：取代基如说明书中所述; iv）将图像记录层涂覆到支撑体的一侧上; v）将包含无光泽颗粒的水性介质作为覆盖层涂覆在图像记录层上，或者作为背衬层在与图像记录层相对的支撑体侧上。

    Photothermographic and thermographic films containing low levels of formate to prevent fog
    20.
    发明授权
    Photothermographic and thermographic films containing low levels of formate to prevent fog 失效
    光热成像和热成像薄膜含有低水平的甲酸盐以防止雾

    公开(公告)号：US6037115A

    公开(公告)日：2000-03-14

    申请号：US890892

    申请日：1997-07-10

    申请人： Alfred J. Alton ,  James P. Besse ,  Peter J. Cowdery-Corvan ,  Leo J. Magee, Jr. ,  Michael W. Martin

    发明人： Alfred J. Alton ,  James P. Besse ,  Peter J. Cowdery-Corvan ,  Leo J. Magee, Jr. ,  Michael W. Martin

    IPC分类号： G03C1/498

    CPC分类号： G03C1/49881 ,  G03C1/49818 ,  G03C1/49845 ,  G03C1/4989

    摘要： A method of obtaining a photothermographic or thermographic film with reduced fog, such as pepper fog, comprises preparing a dispersion of: an oxidation-reduction image-forming combination comprising: a silver salt oxidizing agent and an organic reducing agent with: a synthetic polymer-peptized photosensitive silver halide, and a cyclic imide toner in a non-gelatin polymeric binder and mixing with said dispersion a sensitizing concentration of non-silver iodide salt formed from an ionic formate the improvement wherein said non-silver iodide salt contains less than about 100 micrograms of ionic formate per gram of iodide salt or the film contains less than about 0.5 micrograms of ionic formate per gram of emulsion in the film.

    摘要翻译： 一种获得具有减少灰雾的光热照相或热成像薄膜（例如胡椒雾）的方法包括制备分散体：一种氧化还原成像组合，其包含：银盐氧化剂和有机还原剂，其具有：合成聚合物 - 胶状感光卤化银和环状酰亚胺调色剂在非明胶聚合物粘合剂中并与所述分散体混合，其由离子甲酸盐形成的敏化浓度的非碘化银盐的改进，其中所述非碘化银盐含有小于约100 每克碘盐的微克离子型甲酸盐或薄膜中每克乳液含有小于约0.5微克的离子型甲酸盐。