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    Process for atomic layer deposition
    1.
    发明授权
    Process for atomic layer deposition 有权
    原子层沉积工艺

    公开(公告)号：US08207063B2

    公开(公告)日：2012-06-26

    申请号：US11627525

    申请日：2007-01-26

    申请人： Peter J. Cowdery-Corvan ,  David H. Levy ,  Shelby F. Nelson ,  Diane C. Freeman ,  Thomas D. Pawlik

    发明人： Peter J. Cowdery-Corvan ,  David H. Levy ,  Shelby F. Nelson ,  Diane C. Freeman ,  Thomas D. Pawlik

    IPC分类号： H01L21/20

    CPC分类号： C23C16/407 ,  B33Y80/00 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/545

    摘要： The present invention relates to a process of making a zinc-oxide-based thin film semiconductor, for use in a transistor, comprising thin film deposition onto a substrate comprising providing a plurality of gaseous materials comprising at least first, second, and third gaseous materials, wherein the first gaseous material is a zinc-containing volatile material and the second gaseous material is reactive therewith such that when one of the first or second gaseous materials are on the surface of the substrate the other of the first or second gaseous materials will react to deposit a layer of material on the substrate and wherein the third gaseous material is inert with respect to reacting with the first or second gaseous materials.

    摘要翻译： 本发明涉及一种制造用于晶体管的氧化锌基薄膜半导体的方法，其包括在衬底上的薄膜沉积，包括提供多种气态材料，其包括至少第一，第二和第三气态材料 其中所述第一气态材料是含锌挥发性材料，并且所述第二气态材料与其反应，使得当所述第一或第二气态材料中的一种位于所述基材的表面上时，所述第一或第二气态材料中的另一种将反应 以在衬底上沉积一层材料，并且其中第三气态材料相对于与第一或第二气态材料的反应是惰性的。

    PROCESS FOR MAKING DOPED ZINC OXIDE
    2.
    发明申请
    PROCESS FOR MAKING DOPED ZINC OXIDE 有权
    制造掺杂氧化锌的方法

    公开(公告)号：US20090081826A1

    公开(公告)日：2009-03-26

    申请号：US11861455

    申请日：2007-09-26

    申请人： Peter J. Cowdery-Corvan ,  David H. Levy ,  Thomas D. Pawlik ,  Diane C. Freeman ,  Shelby F. Nelson

    发明人： Peter J. Cowdery-Corvan ,  David H. Levy ,  Thomas D. Pawlik ,  Diane C. Freeman ,  Shelby F. Nelson

    IPC分类号： H01L21/36

    CPC分类号： H01L21/02576 ,  B33Y80/00 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262

    摘要： The present invention relates to a process of making a zinc-oxide-based thin film semiconductor, for use in a transistor, comprising thin film deposition onto a substrate comprising providing a plurality of gaseous materials comprising first, second, and third gaseous materials, wherein the first gaseous material is a zinc-containing volatile material and the second gaseous material is reactive therewith such that when one of the first or second gaseous materials are on the surface of the substrate the other of the first or second gaseous materials will react to deposit a layer of material on the substrate, wherein the third gaseous material is inert and wherein a volatile indium-containing compound is introduced into the first reactive gaseous material or a supplemental gaseous material.

    摘要翻译： 本发明涉及一种制造用于晶体管的氧化锌基薄膜半导体的方法，其包括在衬底上的薄膜沉积，包括提供多种包含第一，第二和第三气态材料的气态材料，其中 第一气体材料是含锌挥发性材料，第二气态材料与其反应，使得当第一或第二气态材料之一位于基材表面上时，第一或第二气态材料中的另一种将反应沉积 衬底上的一层材料，其中所述第三气态材料是惰性的，并且其中将挥发性含铟化合物引入到所述第一反应性气态材料或补充气态材料中。

    Process for making doped zinc oxide
    3.
    发明授权
    Process for making doped zinc oxide 有权
    制造掺杂氧化锌的方法

    公开(公告)号：US07972898B2

    公开(公告)日：2011-07-05

    申请号：US11861455

    申请日：2007-09-26

    申请人： Peter J. Cowdery-Corvan ,  David H. Levy ,  Thomas D. Pawlik ,  Diane C. Freeman ,  Shelby F. Nelson

    发明人： Peter J. Cowdery-Corvan ,  David H. Levy ,  Thomas D. Pawlik ,  Diane C. Freeman ,  Shelby F. Nelson

    IPC分类号： C22B19/00 ,  C03C17/245

    CPC分类号： H01L21/02576 ,  B33Y80/00 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262

    摘要： The present invention relates to a process of making a zinc-oxide-based thin film semiconductor, for use in a transistor, comprising thin film deposition onto a substrate comprising providing a plurality of gaseous materials comprising first, second, and third gaseous materials, wherein the first gaseous material is a zinc-containing volatile material and the second gaseous material is reactive therewith such that when one of the first or second gaseous materials are on the surface of the substrate the other of the first or second gaseous materials will react to deposit a layer of material on the substrate, wherein the third gaseous material is inert and wherein a volatile indium-containing compound is introduced into the first reactive gaseous material or a supplemental gaseous material.

    摘要翻译： 本发明涉及一种制造用于晶体管的氧化锌基薄膜半导体的方法，其包括在衬底上的薄膜沉积，包括提供多种包含第一，第二和第三气态材料的气态材料，其中 第一气体材料是含锌挥发性材料，第二气态材料与其反应，使得当第一或第二气态材料之一位于基材表面上时，第一或第二气态材料中的另一种将反应沉积 衬底上的一层材料，其中所述第三气态材料是惰性的，并且其中将挥发性含铟化合物引入到所述第一反应性气态材料或补充气态材料中。

    PROCESS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION
    4.
    发明申请
    PROCESS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION 有权
    原子层沉积过程

    公开(公告)号：US20080182358A1

    公开(公告)日：2008-07-31

    申请号：US11627525

    申请日：2007-01-26

    申请人： Peter J. Cowdery-Corvan ,  David H. Levy ,  Shelby F. Nelson ,  Diane C. Freeman ,  Thomas D. Pawlik

    发明人： Peter J. Cowdery-Corvan ,  David H. Levy ,  Shelby F. Nelson ,  Diane C. Freeman ,  Thomas D. Pawlik

    IPC分类号： H01L21/20

    CPC分类号： C23C16/407 ,  B33Y80/00 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/545

    摘要： The present invention relates to a process of making a zinc-oxide-based thin film semiconductor, for use in a transistor, comprising thin film deposition onto a substrate comprising providing a plurality of gaseous materials comprising at least first, second, and third gaseous materials, wherein the first gaseous material is a zinc-containing volatile material and the second gaseous material is reactive therewith such that when one of the first or second gaseous materials are on the surface of the substrate the other of the first or second gaseous materials will react to deposit a layer of material on the substrate and wherein the third gaseous material is inert with respect to reacting with the first or second gaseous materials.

    摘要翻译： 本发明涉及一种制造用于晶体管的氧化锌基薄膜半导体的方法，其包括在衬底上的薄膜沉积，包括提供多种气态材料，其包括至少第一，第二和第三气态材料 其中所述第一气态材料是含锌挥发性材料，并且所述第二气态材料与其反应，使得当所述第一或第二气态材料中的一种位于所述基材的表面上时，所述第一或第二气态材料中的另一种将反应 以在衬底上沉积一层材料，并且其中第三气态材料相对于与第一或第二气态材料的反应是惰性的。

    N,N′-di(arylalkyl)-substituted naphthalene-based tetracarboxylic diimide compounds as n-type semiconductor materials for thin film transistors
    7.
    发明授权
    N,N′-di(arylalkyl)-substituted naphthalene-based tetracarboxylic diimide compounds as n-type semiconductor materials for thin film transistors 有权
    N，N'-二（芳基烷基）取代的萘基四羧酸二酰亚胺化合物作为薄膜晶体管的n型半导体材料

    公开(公告)号：US07579619B2

    公开(公告)日：2009-08-25

    申请号：US11110076

    申请日：2005-04-20

    申请人： Deepak Shukla ,  Shelby F. Nelson ,  Diane C. Freeman

    发明人： Deepak Shukla ,  Shelby F. Nelson ,  Diane C. Freeman

    IPC分类号： H01L35/24

    CPC分类号： H01L51/0053 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C09B57/08 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0545 ,  Y02E10/549

    摘要： A thin film transistor comprises a layer of organic semiconductor material comprising a tetracarboxylic diimide naphthalene-based compound having, attached to each of the imide nitrogen atoms, a substituted or unsubstituted arylalkyl moiety. Such transistors can further comprise spaced apart first and second contact means or electrodes in contact with said material. Further disclosed is a process for fabricating an organic thin-film transistor device, preferably by sublimation deposition onto a substrate, wherein the substrate temperature is no more than 100° C.

    摘要翻译： 一种薄膜晶体管包括一层有机半导体材料，它包含一个四羧酸二酰亚胺萘系化合物，它具有连接到每个酰亚胺氮原子上的取代或未取代的芳烷基部分。 这种晶体管还可以包括与所述材料接触的间隔开的第一和第二接触装置或电极。 进一步公开了一种用于制造有机薄膜晶体管器件的方法，优选通过升华沉积到衬底上，其中衬底温度不超过100℃。

    N-type semiconductor materials for thin film transistors
    8.
    发明授权
    N-type semiconductor materials for thin film transistors 有权
    用于薄膜晶体管的N型半导体材料

    公开(公告)号：US07807994B2

    公开(公告)日：2010-10-05

    申请号：US12545337

    申请日：2009-08-21

    申请人： Deepak Shukla ,  Diane C. Freeman ,  Shelby F. Nelson ,  Jeffrey T. Carey ,  Wendy G. Ahearn

    发明人： Deepak Shukla ,  Diane C. Freeman ,  Shelby F. Nelson ,  Jeffrey T. Carey ,  Wendy G. Ahearn

    IPC分类号： H01L51/00 ,  C07D471/02

    CPC分类号： H01L51/0545 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C09B57/08 ,  H01L51/0008 ,  H01L51/0053 ,  Y02E10/549

    摘要： A thin film transistor comprises a layer of organic semiconductor material comprising a tetracarboxylic diimide naphthalene-based compound having, attached to each of the imide nitrogen atoms, an aromatic moiety, at least one of which moieties is substituted with at least one electron donating group. Such transistors can further comprise spaced apart first and second contact means or electrodes in contact with said material. Further disclosed is a process for fabricating an organic thin-film transistor device, preferably by sublimation deposition onto a substrate, wherein the substrate temperature is no more than 100° C.

    摘要翻译： 一种薄膜晶体管，包括一层有机半导体材料，它包括一个四羧酸二酰亚胺萘系化合物，它具有连接到每个酰亚胺氮原子上的芳族部分，其中至少一个部分被至少一个给电子基团取代。 这种晶体管还可以包括与所述材料接触的间隔开的第一和第二接触装置或电极。 进一步公开了一种用于制造有机薄膜晶体管器件的方法，优选通过升华沉积到衬底上，其中衬底温度不超过100℃。

    N,N'-DI(ARYLALKYL)-SUBSTITUTED NAPHTHALENE-BASED TETRACARBOXYLIC DIIMIDE COMPOUNDS AS N-TYPE SEMICONDUCTOR MATERIALS FOR THIN FILM TRANSISTORS
    9.
    发明申请
    N,N'-DI(ARYLALKYL)-SUBSTITUTED NAPHTHALENE-BASED TETRACARBOXYLIC DIIMIDE COMPOUNDS AS N-TYPE SEMICONDUCTOR MATERIALS FOR THIN FILM TRANSISTORS 有权
    N，N'-DI（ARYLALKYL） - 作为N型薄膜晶体管的半导体材料的基于萘基的四嵌段二氧化二铝化合物

    公开(公告)号：US20090261323A1

    公开(公告)日：2009-10-22

    申请号：US12474533

    申请日：2009-05-29

    申请人： Deepak Shukla ,  Shelby F. Nelson ,  Diane C. Freeman

    发明人： Deepak Shukla ,  Shelby F. Nelson ,  Diane C. Freeman

    IPC分类号： H01L51/10 ,  H01L51/40

    CPC分类号： H01L51/0053 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C09B57/08 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0545 ,  Y02E10/549

    摘要： A thin film transistor comprises a layer of organic semiconductor material comprising a tetracarboxylic diimide naphthalene-based compound having, attached to each of the imide nitrogen atoms, a substituted or unsubstituted arylalkyl moiety. Such transistors can further comprise spaced apart first and second contact means or electrodes in contact with said material. Further disclosed is a process for fabricating an organic thin-film transistor device, preferably by sublimation deposition onto a substrate, wherein the substrate temperature is no more than 100° C.

    摘要翻译： 一种薄膜晶体管包括一层有机半导体材料，它包含一个四羧酸二酰亚胺萘系化合物，它具有连接到每个酰亚胺氮原子上的取代或未取代的芳烷基部分。 这种晶体管还可以包括与所述材料接触的间隔开的第一和第二接触装置或电极。 进一步公开了一种用于制造有机薄膜晶体管器件的方法，优选通过升华沉积到衬底上，其中衬底温度不超过100℃。

    N,N′-di(arylalkyl)-substituted naphthalene-based tetracarboxylic diimide compounds as n-type semiconductor materials for thin film transistors
    10.
    发明授权
    N,N′-di(arylalkyl)-substituted naphthalene-based tetracarboxylic diimide compounds as n-type semiconductor materials for thin film transistors 有权
    N，N'-二（芳基烷基）取代的萘基四羧酸二酰亚胺化合物作为薄膜晶体管的n型半导体材料

    公开(公告)号：US07981719B2

    公开(公告)日：2011-07-19

    申请号：US12474533

    申请日：2009-05-29

    申请人： Deepak Shukla ,  Shelby F. Nelson ,  Diane C. Freeman

    发明人： Deepak Shukla ,  Shelby F. Nelson ,  Diane C. Freeman

    IPC分类号： H01L51/40

    CPC分类号： H01L51/0053 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C09B57/08 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0545 ,  Y02E10/549

    摘要： A thin film transistor comprises a layer of organic semiconductor material comprising a tetracarboxylic diimide naphthalene-based compound having, attached to each of the imide nitrogen atoms, a substituted or unsubstituted arylalkyl moiety. Such transistors can further comprise spaced apart first and second contact means or electrodes in contact with said material. Further disclosed is a process for fabricating an organic thin-film transistor device, preferably by sublimation deposition onto a substrate, wherein the substrate temperature is no more than 100° C.

    摘要翻译： 一种薄膜晶体管包括一层有机半导体材料，它包含一个四羧酸二酰亚胺萘系化合物，它具有连接到每个酰亚胺氮原子上的取代或未取代的芳烷基部分。 这种晶体管还可以包括与所述材料接触的间隔开的第一和第二接触装置或电极。 进一步公开了一种用于制造有机薄膜晶体管器件的方法，优选通过升华沉积到衬底上，其中衬底温度不超过100℃。