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    Process for atomic layer deposition
    1.
    发明授权
    Process for atomic layer deposition 有权
    原子层沉积工艺

    公开(公告)号：US08207063B2

    公开(公告)日：2012-06-26

    申请号：US11627525

    申请日：2007-01-26

    申请人： Peter J. Cowdery-Corvan ,  David H. Levy ,  Shelby F. Nelson ,  Diane C. Freeman ,  Thomas D. Pawlik

    发明人： Peter J. Cowdery-Corvan ,  David H. Levy ,  Shelby F. Nelson ,  Diane C. Freeman ,  Thomas D. Pawlik

    IPC分类号： H01L21/20

    CPC分类号： C23C16/407 ,  B33Y80/00 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/545

    摘要： The present invention relates to a process of making a zinc-oxide-based thin film semiconductor, for use in a transistor, comprising thin film deposition onto a substrate comprising providing a plurality of gaseous materials comprising at least first, second, and third gaseous materials, wherein the first gaseous material is a zinc-containing volatile material and the second gaseous material is reactive therewith such that when one of the first or second gaseous materials are on the surface of the substrate the other of the first or second gaseous materials will react to deposit a layer of material on the substrate and wherein the third gaseous material is inert with respect to reacting with the first or second gaseous materials.

    摘要翻译： 本发明涉及一种制造用于晶体管的氧化锌基薄膜半导体的方法，其包括在衬底上的薄膜沉积，包括提供多种气态材料，其包括至少第一，第二和第三气态材料 其中所述第一气态材料是含锌挥发性材料，并且所述第二气态材料与其反应，使得当所述第一或第二气态材料中的一种位于所述基材的表面上时，所述第一或第二气态材料中的另一种将反应 以在衬底上沉积一层材料，并且其中第三气态材料相对于与第一或第二气态材料的反应是惰性的。

    PROCESS FOR MAKING DOPED ZINC OXIDE
    2.
    发明申请
    PROCESS FOR MAKING DOPED ZINC OXIDE 有权
    制造掺杂氧化锌的方法

    公开(公告)号：US20090081826A1

    公开(公告)日：2009-03-26

    申请号：US11861455

    申请日：2007-09-26

    申请人： Peter J. Cowdery-Corvan ,  David H. Levy ,  Thomas D. Pawlik ,  Diane C. Freeman ,  Shelby F. Nelson

    发明人： Peter J. Cowdery-Corvan ,  David H. Levy ,  Thomas D. Pawlik ,  Diane C. Freeman ,  Shelby F. Nelson

    IPC分类号： H01L21/36

    CPC分类号： H01L21/02576 ,  B33Y80/00 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262

    摘要： The present invention relates to a process of making a zinc-oxide-based thin film semiconductor, for use in a transistor, comprising thin film deposition onto a substrate comprising providing a plurality of gaseous materials comprising first, second, and third gaseous materials, wherein the first gaseous material is a zinc-containing volatile material and the second gaseous material is reactive therewith such that when one of the first or second gaseous materials are on the surface of the substrate the other of the first or second gaseous materials will react to deposit a layer of material on the substrate, wherein the third gaseous material is inert and wherein a volatile indium-containing compound is introduced into the first reactive gaseous material or a supplemental gaseous material.

    摘要翻译： 本发明涉及一种制造用于晶体管的氧化锌基薄膜半导体的方法，其包括在衬底上的薄膜沉积，包括提供多种包含第一，第二和第三气态材料的气态材料，其中 第一气体材料是含锌挥发性材料，第二气态材料与其反应，使得当第一或第二气态材料之一位于基材表面上时，第一或第二气态材料中的另一种将反应沉积 衬底上的一层材料，其中所述第三气态材料是惰性的，并且其中将挥发性含铟化合物引入到所述第一反应性气态材料或补充气态材料中。

    Process for making doped zinc oxide
    3.
    发明授权
    Process for making doped zinc oxide 有权
    制造掺杂氧化锌的方法

    公开(公告)号：US07972898B2

    公开(公告)日：2011-07-05

    申请号：US11861455

    申请日：2007-09-26

    申请人： Peter J. Cowdery-Corvan ,  David H. Levy ,  Thomas D. Pawlik ,  Diane C. Freeman ,  Shelby F. Nelson

    发明人： Peter J. Cowdery-Corvan ,  David H. Levy ,  Thomas D. Pawlik ,  Diane C. Freeman ,  Shelby F. Nelson

    IPC分类号： C22B19/00 ,  C03C17/245

    CPC分类号： H01L21/02576 ,  B33Y80/00 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262

    摘要： The present invention relates to a process of making a zinc-oxide-based thin film semiconductor, for use in a transistor, comprising thin film deposition onto a substrate comprising providing a plurality of gaseous materials comprising first, second, and third gaseous materials, wherein the first gaseous material is a zinc-containing volatile material and the second gaseous material is reactive therewith such that when one of the first or second gaseous materials are on the surface of the substrate the other of the first or second gaseous materials will react to deposit a layer of material on the substrate, wherein the third gaseous material is inert and wherein a volatile indium-containing compound is introduced into the first reactive gaseous material or a supplemental gaseous material.

    摘要翻译： 本发明涉及一种制造用于晶体管的氧化锌基薄膜半导体的方法，其包括在衬底上的薄膜沉积，包括提供多种包含第一，第二和第三气态材料的气态材料，其中 第一气体材料是含锌挥发性材料，第二气态材料与其反应，使得当第一或第二气态材料之一位于基材表面上时，第一或第二气态材料中的另一种将反应沉积 衬底上的一层材料，其中所述第三气态材料是惰性的，并且其中将挥发性含铟化合物引入到所述第一反应性气态材料或补充气态材料中。

    PROCESS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION
    4.
    发明申请
    PROCESS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION 有权
    原子层沉积过程

    公开(公告)号：US20080182358A1

    公开(公告)日：2008-07-31

    申请号：US11627525

    申请日：2007-01-26

    申请人： Peter J. Cowdery-Corvan ,  David H. Levy ,  Shelby F. Nelson ,  Diane C. Freeman ,  Thomas D. Pawlik

    发明人： Peter J. Cowdery-Corvan ,  David H. Levy ,  Shelby F. Nelson ,  Diane C. Freeman ,  Thomas D. Pawlik

    IPC分类号： H01L21/20

    CPC分类号： C23C16/407 ,  B33Y80/00 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/545

    摘要： The present invention relates to a process of making a zinc-oxide-based thin film semiconductor, for use in a transistor, comprising thin film deposition onto a substrate comprising providing a plurality of gaseous materials comprising at least first, second, and third gaseous materials, wherein the first gaseous material is a zinc-containing volatile material and the second gaseous material is reactive therewith such that when one of the first or second gaseous materials are on the surface of the substrate the other of the first or second gaseous materials will react to deposit a layer of material on the substrate and wherein the third gaseous material is inert with respect to reacting with the first or second gaseous materials.

    摘要翻译： 本发明涉及一种制造用于晶体管的氧化锌基薄膜半导体的方法，其包括在衬底上的薄膜沉积，包括提供多种气态材料，其包括至少第一，第二和第三气态材料 其中所述第一气态材料是含锌挥发性材料，并且所述第二气态材料与其反应，使得当所述第一或第二气态材料中的一种位于所述基材的表面上时，所述第一或第二气态材料中的另一种将反应 以在衬底上沉积一层材料，并且其中第三气态材料相对于与第一或第二气态材料的反应是惰性的。

    Colored mask combined with selective area deposition
    7.
    发明授权
    Colored mask combined with selective area deposition 有权
    彩色面罩与选择性区域沉积相结合

    公开(公告)号：US08129098B2

    公开(公告)日：2012-03-06

    申请号：US11986169

    申请日：2007-11-20

    申请人： Lyn M. Irving ,  Diane C. Freeman ,  Peter J. Cowdery-Corvan ,  Cheng Yang ,  David H. Levy

    发明人： Lyn M. Irving ,  Diane C. Freeman ,  Peter J. Cowdery-Corvan ,  Cheng Yang ,  David H. Levy

    IPC分类号： G03F7/20

    CPC分类号： H01L27/1288 ,  G03F7/0005 ,  G03F7/2022 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/7869

    摘要： The invention relates to a process for forming a structure comprising (a) providing a transparent support; (b) forming a color mask on a first side of the transparent support; (c) applying a first layer comprising a deposition inhibitor material that is sensitive to visible light; (d) patterning the first layer by exposing the first layer through the color mask with visible light to form a first pattern and developing the deposition inhibitor material to provide selected areas of the first layer effectively not having the deposition inhibitor material; and (e) depositing a second layer of functional material over the transparent support; wherein the second layer of functional material is substantially deposited only in selected areas over the transparent support not having the deposition inhibitor material.

    摘要翻译： 本发明涉及一种用于形成结构的方法，包括（a）提供透明支撑体; （b）在所述透明支撑体的第一面上形成彩色掩模; （c）施加包含对可见光敏感的沉积抑制剂材料的第一层; （d）通过用可见光将所述第一层暴露于所述彩色掩模以形成第一图案并使所述沉积抑制剂材料显影以提供所述第一层的选定区域，而不具有所述沉积抑制剂材料; 和（e）在所述透明支撑体上沉积第二层功能材料; 其中第二层功能材料仅在不具有沉积抑制剂材料的透明支撑体上基本上沉积在选定的区域中。

    PROCESS FOR DEPOSITING ORGANIC MATERIALS
    10.
    发明申请
    PROCESS FOR DEPOSITING ORGANIC MATERIALS 有权
    沉积有机材料的工艺

    公开(公告)号：US20090081883A1

    公开(公告)日：2009-03-26

    申请号：US11861618

    申请日：2007-09-26

    申请人： Diane C. Freeman ,  David H. Levy ,  Peter J. Cowdery-Corvan

    发明人： Diane C. Freeman ,  David H. Levy ,  Peter J. Cowdery-Corvan

    IPC分类号： H01L21/469

    CPC分类号： C23C16/30 ,  B05D1/60 ,  B05D2252/02 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/545

    摘要： A process of making an organic thin film on a substrate by atomic layer deposition is disclosed, the process comprising simultaneously directing a series of gas flows along substantially parallel elongated channels, and wherein the series of gas flows comprises, in order, at least a first reactive gaseous material, an inert purge gas, and a second reactive gaseous material, optionally repeated a plurality of times, wherein the first reactive gaseous material is capable of reacting with a substrate surface treated with the second reactive gaseous material wherein the first reactive gaseous material, the second reactive gaseous material or both is a volatile organic compound. The process is carried out substantially at or above atmospheric pressure and at a temperature under 250° C., during deposition of the organic thin film.

    摘要翻译： 公开了通过原子层沉积在衬底上制造有机薄膜的方法，该方法包括同时引导一系列沿着大致平行的细长通道的气流，并且其中一系列气流依次包括至少第一 反应性气态材料，惰性吹扫气体和第二反应性气体材料，任选地重复多次，其中第一反应性气体材料能够与用第二反应性气态材料处理的基底表面反应，其中第一反应性气态材料 ，第二反应性气体物质或两者都是挥发性有机化合物。 在有机薄膜的沉积期间，该过程基本上在大气压以上且在250℃以下的温度下进行。