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    Lower layer resist composition for silicon-containing two-layer resist
    11.
    发明授权
    Lower layer resist composition for silicon-containing two-layer resist 有权
    含硅双层抗蚀剂的下层抗蚀剂组合物

    公开(公告)号：US06777161B2

    公开(公告)日：2004-08-17

    申请号：US10118896

    申请日：2002-04-10

    申请人： Shoichiro Yasunami ,  Kazuyoshi Mizutani

    发明人： Shoichiro Yasunami ,  Kazuyoshi Mizutani

    IPC分类号： G03C174

    CPC分类号： G03F7/095 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0758 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/11 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/126 ,  Y10S430/128

    摘要： To provide a lower layer resist composition for a silicon-containing two-layer resist, which is excellent in the dry etching resistance and film thickness uniformity. A lower layer resist composition for a silicon-containing two-layer resist, comprising (a) a phenol-based polymer, (b) a compound capable of generating a sulfonic acid at a temperature of 100° C. or more, (c) a phenol-based acid crosslinking agent having two or more benzene rings and capable of crosslinking with the polymer under the action of an acid, and (d) a solvent.

    摘要翻译： 1.一种用于含硅双层抗蚀剂的下层抗蚀剂组合物，其包含（a）一种含硅双层抗蚀剂的下层抗蚀剂组合物，其包含（a） 酚类聚合物，（b）能够在100℃以上的温度下产生磺酸的化合物，（c）具有两个以上苯环并能够与聚合物交联的苯酚系酸交联剂 在酸的作用下，和（d）溶剂。

    Positive photoresist composition
    13.
    发明授权
    Positive photoresist composition 失效
    正光致抗蚀剂组合物

    公开(公告)号：US06479213B2

    公开(公告)日：2002-11-12

    申请号：US10020958

    申请日：2001-12-19

    申请人： Kazuyoshi Mizutani ,  Shoichiro Yasunami

    发明人： Kazuyoshi Mizutani ,  Shoichiro Yasunami

    IPC分类号： G03F7004

    CPC分类号： G03F7/0757 ,  G03F7/0392

    摘要： Disclosed is a positive photoresist composition comprising an alkali-soluble polysiloxane containing as a copolymerization component at least a structural unit represented by the following formula (I′) and a positive photoresist composition comprising an acid-decomposable polysiloxane containing as a copolymerization component at least a structural unit represented by the following formula (I″): wherein L1 represents at least one divalent linking group selected from —A—OCO—, —A—COO—, —A—NHCO—, —A—NHCOO—, —A—NHCONH—, —A—CONH—, —A—OCONH— and —A—S—, A represents a single bond or an arylene group, X represents a divalent linking group, and n represents an integer of 1 to 6.

    摘要翻译： 公开了一种正型光致抗蚀剂组合物，其包含含有至少一种由下式（I'）表示的结构单元作为共聚组分的碱溶性聚硅氧烷和包含可酸分解的聚硅氧烷的正性光致抗蚀剂组合物，其含有至少一种 由下式（I“）表示的结构单元：其中L1表示至少一个选自-A-OCO-，-A-COO-，-A-NHCO-，-A-NHCOO-，-A -NHCONH-，-A-CONH-，-A-OCONH-和-AS-，A表示单键或亚芳基，X表示二价连接基团，n表示1〜6的整数。

    Positive resist composition
    14.
    发明授权
    Positive resist composition 有权
    正抗蚀剂组成

    公开(公告)号：US07232640B1

    公开(公告)日：2007-06-19

    申请号：US10812092

    申请日：2004-03-30

    申请人： Kazuyoshi Mizutani ,  Shoichiro Yasunami

    发明人： Kazuyoshi Mizutani ,  Shoichiro Yasunami

    IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/26

    CPC分类号： G03F7/0392

    摘要： A positive resist composition comprising a polymer capable of increasing its solubility in an alkali developer under action of an acid, wherein the resin comprises repeating units containing at least two special types of acetal structures separately, a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation, and a solvent.

    摘要翻译： 一种正性抗蚀剂组合物，其包含能够在酸的作用下增加其在碱显影剂中的溶解度的聚合物，其中所述树脂包含分别含有至少两种特殊类型的缩醛结构的重复单元，能够在以下情况下产生酸的化合物： 光化射线或辐射，以及溶剂。

    POSITIVE RESIST COMPOSITION
    15.
    发明申请
    POSITIVE RESIST COMPOSITION 有权
    积极抵抗组成

    公开(公告)号：US20070128547A1

    公开(公告)日：2007-06-07

    申请号：US10812092

    申请日：2004-03-30

    申请人： Kazuyoshi Mizutani ,  Shoichiro Yasunami

    发明人： Kazuyoshi Mizutani ,  Shoichiro Yasunami

    IPC分类号： G03C1/00

    CPC分类号： G03F7/0392

    摘要： A positive resist composition comprising a polymer capable of increasing its solubility in an alkali developer under action of an acid, wherein the resin comprises repeating units containing at least two special types of acetal structures separately, a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation, and a solvent.

    摘要翻译： 一种正性抗蚀剂组合物，其包含能够在酸的作用下增加其在碱显影剂中的溶解度的聚合物，其中所述树脂包含分别含有至少两种特殊类型的缩醛结构的重复单元，能够在以下情况下产生酸的化合物： 光化射线或辐射，以及溶剂。

    Resist composition and pattern forming method using the same
    18.
    发明授权
    Resist composition and pattern forming method using the same 有权
    抗蚀剂组合物和图案形成方法使用其

    公开(公告)号：US08785104B2

    公开(公告)日：2014-07-22

    申请号：US12921354

    申请日：2009-03-13

    申请人： Kazuyoshi Mizutani ,  Jiro Yokoyama ,  Shinichi Sugiyama

    发明人： Kazuyoshi Mizutani ,  Jiro Yokoyama ,  Shinichi Sugiyama

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/26

    CPC分类号： G03F7/0045 ,  C08F8/12 ,  C08F12/24 ,  C09D125/14 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  C08F212/14 ,  C08F2220/1825

    摘要： A resist composition and a pattern forming method using the composition are provided, the resist composition including: (A) a resin that decomposes by an action of an acid to increase a solubility of the resin (A) in an alkali developer; (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with actinic rays or radiation; (C) a compound represented by formula (C1); and (D) a solvent: wherein n represents an integer of 1 to 6; w represents an integer of 1 to 6; p represents an integer of 1 to 6; m represents an integer of 1 to 6; Ra, Rb, Rc and Rd each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group, provided that Ra and Rb may combine together to form a ring, and Rc and Rd may combine together to form a ring.

    摘要翻译： 提供了使用该组合物的抗蚀剂组合物和图案形成方法，该抗蚀剂组合物包括：（A）通过酸的作用分解以提高树脂（A）在碱性显影剂中的溶解度的树脂; （B）能够在用光化射线或辐射照射时能够产生酸的化合物; （C）由式（C1）表示的化合物; 和（D）溶剂：其中n表示1至6的整数; w表示1〜6的整数， p表示1〜6的整数， m表示1〜6的整数， Ra，Rb，Rc和Rd各自独立地表示氢原子，烷基，环烷基，芳基或芳烷基，条件是Ra和Rb可以结合在一起形成环，Rc和Rd可以结合在一起 形成一个戒指。

    Positive resist composition and pattern forming method using the same
    20.
    发明授权
    Positive resist composition and pattern forming method using the same 有权
    正型抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法

    公开(公告)号：US07923196B2

    公开(公告)日：2011-04-12

    申请号：US12672329

    申请日：2008-08-01

    申请人： Toru Tsuchihashi ,  Kazuyoshi Mizutani ,  Shuji Hirano ,  Jiro Yokoyama ,  Shinichi Sugiyama

    发明人： Toru Tsuchihashi ,  Kazuyoshi Mizutani ,  Shuji Hirano ,  Jiro Yokoyama ,  Shinichi Sugiyama

    IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/0397 ,  C08F8/12 ,  C08F12/22 ,  C08F12/24 ,  C08F212/14 ,  C08F2800/10 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/146 ,  C08F220/18 ,  C08F2220/1825 ,  C08F220/14

    摘要： A positive resist composition comprising (A) a resin which contains all of the repeating units represented by formulae (I) to (III), and becomes soluble in an alkali developer by the action of an acid, and (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation; and a pattern forming method using the composition. A represents a group capable of decomposing and leaving by the action of an acid, each R1 independently represents hydrogen or a methyl group, R2 represents a phenyl group or a cyclohexyl group, m represents 1 or 2, and n represents an integer of 0 to 2. By virtue of this construction, a resist composition ensuring high resolution, good pattern profile, sufficient depth of focus, little defects after development, and sufficiently high plasma etching resistance is provided.

    摘要翻译： 一种正型抗蚀剂组合物，其包含（A）含有由式（I）至（III）表示的所有重复单元的树脂，并且通过酸的作用变得可溶于碱性显影剂，和（B）能够 在用光化射线或辐射照射时产生酸; 以及使用该组合物的图案形成方法。 A表示能够通过酸的分解和离去的基团，每个R 1独立地表示氢或甲基，R 2表示苯基或环己基，m表示1或2，n表示0〜 通过这种结构，提供了确保高分辨率，良好的图案轮廓，足够的焦深，显影后的小缺陷以及足够高的耐等离子体耐蚀刻性的抗蚀剂组合物。