公开(公告)号：US20100052159A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：US12231167

申请日：2008-08-29

申请人： Chi-won Hwang

发明人： Chi-won Hwang

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L21/76807 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2924/00

摘要： Methods of forming microelectronic device structures are described. Those methods may include forming a passivation layer on a substrate, wherein the substrate comprises an array of conductive structures, forming a first via in the passivation layer, forming a second via in the passivation layer that exposes at least one of the conductive structures in the array, and wherein the second via is formed within the first via space to form a step via, and forming a conductive material in the step via, wherein a round dimple is formed in the conductive material.

摘要翻译： 描述形成微电子器件结构的方法。 这些方法可以包括在衬底上形成钝化层，其中衬底包括导电结构阵列，在钝化层中形成第一通孔，在钝化层中形成第二通道，该第二通孔暴露出至少一个导电结构 并且其中所述第二通孔形成在所述第一通孔空间内以形成台阶通孔，并且在所述台阶通孔中形成导电材料，其中在所述导电材料中形成圆形凹坑。

公开(公告)号：US07600667B2

公开(公告)日：2009-10-13

申请号：US11537544

申请日：2006-09-29

申请人： Chi-won Hwang

发明人： Chi-won Hwang

IPC分类号： B23K31/02 ,  B23K35/12 ,  B23K31/00

CPC分类号： H01L23/49816 ,  H01L23/49877 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L24/742 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/11332 ,  H01L2224/11822 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/351 ,  Y10T428/12007 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： A method of making a carbon nanotube reinforced solder cap. Carbon nanotube-solder (CNT-S) particles are transferred from a transfer substrate, having an adhesive layer, to a solder bump by using thermo compression bonding. The CNT-S particles are then reflowed to form a cap on the solder bump. The solder bump with the reflowed cap can then be joined to a bonding pad or another solder bump with a cap by placing the solder bump on the pad or other bump and reflowing at a temperature sufficient to reflow the cap(s).

摘要翻译： 制造碳纳米管增强焊锡帽的方法。 通过使用热压接将碳纳米管焊料（CNT-S）颗粒从具有粘合剂层的转移基板转移到焊料凸块。 然后将CNT-S颗粒回流以在焊料凸块上形成盖。 然后可以通过将焊料凸块放置在焊盘或其它凸块上并且在足以回流盖的温度下回流而将具有回流盖的焊料凸块与盖接合到焊盘或另一个焊料凸块。

公开(公告)号：US20080078813A1

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：US11537544

申请日：2006-09-29

申请人： Chi-won Hwang

发明人： Chi-won Hwang

IPC分类号： A47J36/02

CPC分类号： H01L23/49816 ,  H01L23/49877 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L24/742 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/11332 ,  H01L2224/11822 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/351 ,  Y10T428/12007 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： A carbon nanotube solder is formed on a substrate of an integrated circuit package. The carbon nanotube solder exhibits high heat and electrical conductivities. The carbon nanotube solder is used as a solder microcap on a metal bump for communication between an integrated circuit device and external structures.

摘要翻译： 在集成电路封装的基板上形成碳纳米管焊料。 碳纳米管焊料表现出高的热和电导率。 碳纳米管焊料用作金属凸块上的焊料微帽，用于集成电路器件和外部结构之间的连接。

公开(公告)号：US20080073776A1

公开(公告)日：2008-03-27

申请号：US11528123

申请日：2006-09-26

申请人： Daewoong Suh ,  Chi-won Hwang

发明人： Daewoong Suh ,  Chi-won Hwang

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L23/3736 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

摘要： A microelectronic cooling assembly and method for fabricating the same are described. In one example, a microelectronic cooling assembly includes a microelectronic device, a heat spreader, and a thermal interface material (TIM) that thermally joins the microelectronic device and heat spreader, the TIM comprising a sintered metallic nanopaste.

摘要翻译： 描述了一种微电子冷却组件及其制造方法。 在一个示例中，微电子冷却组件包括微电子器件，散热器和热接合微电子器件和散热器的热界面材料（TIM），TIM包含烧结金属纳米糊剂。