公开(公告)号：US20130026462A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：US13581094

申请日：2011-02-14

申请人： Michiko Takei ,  Yoshimasa Chikama ,  Tsuyoshi Inoue ,  Masahiko Suzuki ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshifumi Ohta ,  Yoshiyuki Harumoto ,  Hinae Mizuno

发明人： Michiko Takei ,  Yuuji Mizuno ,  Yoshimasa Chikama ,  Tsuyoshi Inoue ,  Masahiko Suzuki ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshifumi Ohta ,  Yoshiyuki Harumoto

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/1225

摘要： A method for manufacturing a thin film transistor includes the step of forming a gate electrode (11aa) on an insulating substrate, the step of forming a gate insulating layer (12) to cover the gate electrode (11aa), and thereafter, forming an oxide semiconductor layer (13a) on the gate insulating layer (12), the step of forming a source electrode (16aa) and a drain electrode (16b) on the oxide semiconductor layer (13a) by dry etching, with a channel region (C) of the oxide semiconductor layer being exposed, and the step of supplying oxygen radicals to a channel region of the oxide semiconductor layer.

摘要翻译： 制造薄膜晶体管的方法包括在绝缘基板上形成栅电极（11aa）的步骤，形成栅极绝缘层（12）以覆盖栅极（11aa）的步骤，然后形成氧化物 在栅绝缘层（12）上的半导体层（13a），通过干蚀刻在氧化物半导体层（13a）上形成源电极（16aa）和漏电极（16b）的步骤，具有沟道区（C） 的氧化物半导体层露出的步骤，以及向氧化物半导体层的沟道区域供给氧自由基的步骤。

公开(公告)号：US09024311B2

公开(公告)日：2015-05-05

申请号：US13379670

申请日：2010-04-06

申请人： Takeshi Hara ,  Hirohiko Nishiki ,  Yoshimasa Chikama ,  Kazuo Nakagawa ,  Yoshifumi Ohta ,  Tetsuya Aita ,  Masahiko Suzuki ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Miyajima ,  Michiko Takei ,  Yoshiyuki Harumoto ,  Hinae Mizuno

发明人： Takeshi Hara ,  Hirohiko Nishiki ,  Yoshimasa Chikama ,  Kazuo Nakagawa ,  Yoshifumi Ohta ,  Tetsuya Aita ,  Masahiko Suzuki ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Miyajima ,  Yuuji Mizuno ,  Michiko Takei ,  Yoshiyuki Harumoto

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

摘要： The present invention provides a thin film transistor including an oxide semiconductor layer (4) for electrically connecting a signal electrode (6a) and a drain electrode (7a), the an oxide semiconductor layer being made from an oxide semiconductor; and a barrier layer (6b) made from at least one selected from the group consisting of Ti, Mo, W, Nb, Ta, Cr, nitrides thereof, and alloys thereof, the barrier layer (6b) being in touch with the signal electrode (6a) and the oxide semiconductor layer (4) and separating the signal electrode (6a) from the oxide semiconductor layer (4). Because of this configuration, the thin film transistor can form and maintain an ohmic contact between the first electrode and the channel layer, thereby being a thin film transistor with good properties.

摘要翻译： 本发明提供了一种薄膜晶体管，其包括用于电连接信号电极（6a）和漏电极（7a）的氧化物半导体层（4），所述氧化物半导体层由氧化物半导体制成; 以及由选自Ti，Mo，W，Nb，Ta，Cr，氮化物中的至少一种及其合金制成的阻挡层（6b），阻挡层（6b）与信号电极 （6a）和氧化物半导体层（4），并且将信号电极（6a）与氧化物半导体层（4）分离。 由于这种结构，薄膜晶体管可以在第一电极和沟道层之间形成并保持欧姆接触，从而成为具有良好性能的薄膜晶体管。

公开(公告)号：US08685803B2

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：US13514081

申请日：2010-12-03

申请人： Yoshimasa Chikama ,  Hirohiko Nishiki ,  Yoshifumi Ohta ,  Takeshi Hara ,  Tetsuya Aita ,  Masahiko Suzuki ,  Michiko Takei ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Harumoto ,  Hinae Mizuno

发明人： Yoshimasa Chikama ,  Hirohiko Nishiki ,  Yoshifumi Ohta ,  Yuuji Mizuno ,  Takeshi Hara ,  Tetsuya Aita ,  Masahiko Suzuki ,  Michiko Takei ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Harumoto

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/1225 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136213 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1248

摘要： A semiconductor device includes: a thin film transistor having a gate line (3a), a first insulating film (5), an island-shaped oxide semiconductor layer (7a), a second insulating film (9), a source line (13as), a drain electrode (13ad), and a passivation film; and a terminal portion having a first connecting portion (3c) made of the same conductive film as the gate line, a second connecting portion (13c) made of the same conductive film as the source line and the drain electrode, and a third connecting portion (19c) formed on the second connecting portion. The second connecting portion is in contact with the first connecting portion within a first opening (11c) provided in the first and second insulating films; the third connecting portion (19c) is in contact with the second connecting portion within a second opening (17c) provided in the passivation film; and the second connecting portion (13c) covers end faces of the first and second insulating films within the first opening (11c), but does not cover an end face of the passivation film (15) within the second opening (17c). As a result, the taper shape of a contact hole of the terminal portion can be controlled with a high precision.

摘要翻译： 半导体器件包括：具有栅极线（3a），第一绝缘膜（5），岛状氧化物半导体层（7a），第二绝缘膜（9），源极线（13as））的薄膜晶体管， ，漏电极（13ad）和钝化膜; 以及具有由与栅极线相同的导电膜制成的第一连接部分（3c）的端子部分，由与源极线和漏极电极相同的导电膜制成的第二连接部分（13c）和第三连接部分 （19c）形成在第二连接部分上。 第二连接部分在设置在第一和第二绝缘膜中的第一开口（11c）内与第一连接部分接触; 所述第三连接部分（19c）在设置在所述钝化膜中的第二开口（17c）内与所述第二连接部分接触; 并且所述第二连接部分（13c）覆盖所述第一开口（11c）内的所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的端面，但不覆盖所述第二开口（17c）内的所述钝化膜（15）的端面。 结果，可以高精度地控制端子部分的接触孔的锥形形状。

公开(公告)号：US20130140552A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：US13581007

申请日：2011-02-22

申请人： Hirohiko Nishiki ,  Yoshimasa Chikama ,  Tetsuya Aita ,  Masahiko Suzuki ,  Michiko Takei ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Harumoto ,  Yoshifumi Ohta ,  Takeshi Hara ,  Hinae Mizuno

发明人： Yuuji Mizuno ,  Hirohiko Nishiki ,  Yoshimasa Chikama ,  Tetsuya Aita ,  Masahiko Suzuki ,  Michiko Takei ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Harumoto ,  Yoshifumi Ohta ,  Takeshi Hara

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

摘要： A semiconductor device (100) according to the present invention includes: an oxide semiconductor layer (31) formed on an insulating layer (21), the oxide semiconductor layer (31) containing at least one element selected from the group consisting of In, Zn, and Sn; first and second sacrificial layers (41a) and (41b) formed, with an interspace from each other, on the oxide semiconductor layer (31); a second electrode (52a) formed in contact with an upper face of the first sacrificial layer (41a) and an upper face of the oxide semiconductor layer (31); and a third electrode (52b) formed in contact with an upper face of the second sacrificial layer (41b) and an upper face of the oxide semiconductor layer (31). The first and second sacrificial layers (41a) and (41b) contain an oxide having at least one element selected from the group consisting of Zn, Ga, Mg, Ca, and Sr.

摘要翻译： 根据本发明的半导体器件（100）包括：形成在绝缘层（21）上的氧化物半导体层（31），所述氧化物半导体层（31）包含选自In，Zn ，和Sn; 第一和第二牺牲层（41a）和（41b）在氧化物半导体层（31）上形成有彼此的间隙; 形成为与第一牺牲层（41a）的上表面和氧化物半导体层（31）的上表面接触的第二电极（52a）; 以及与第二牺牲层（41b）的上表面和氧化物半导体层（31）的上表面接触形成的第三电极（52b）。 第一和第二牺牲层（41a）和（41b）含有具有选自Zn，Ga，Mg，Ca和Sr中的至少一种元素的氧化物。

公开(公告)号：US20130105788A1

公开(公告)日：2013-05-02

申请号：US13393335

申请日：2010-05-06

申请人： Yoshimasa Chikama ,  Hirohiko Nishiki ,  Yoshifumi Ohta ,  Takeshi Hara ,  Okifumi Nakagawa ,  Tetsuya Aita ,  Masahiko Suzuki ,  Michiko Takei ,  Yoshiyuki Harumoto ,  Kazuo Nakagawa ,  Hinae Mizuno

发明人： Yoshimasa Chikama ,  Hirohiko Nishiki ,  Yoshifumi Ohta ,  Yuuji Mizuno ,  Takeshi Hara ,  Okifumi Nakagawa ,  Tetsuya Aita ,  Masahiko Suzuki ,  Michiko Takei ,  Yoshiyuki Harumoto ,  Kazuo Nakagawa

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/7869

摘要： The present invention provides an oxide semiconductor capable of achieving a thin film transistor with excellent electric property and credibility, a thin film transistor having a channel layer formed of the oxide semiconductor, and a display device equipped with the thin film transistor. The oxide semiconductor of the present invention is an oxide semiconductor for a thin film transistor, and includes Si, In, Zn, and O as constituent atoms.

摘要翻译： 本发明提供一种能够实现电性能和可靠性优异的薄膜晶体管的氧化物半导体，具有由氧化物半导体形成的沟道层的薄膜晶体管，以及配备有该薄膜晶体管的显示装置。 本发明的氧化物半导体是用于薄膜晶体管的氧化物半导体，并且包括Si，In，Zn和O作为构成原子。

公开(公告)号：US20130099227A1

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：US13394343

申请日：2010-04-22

申请人： Okifumi Nakagawa ,  Hirohiko Nishiki ,  Yoshimasa Chikama ,  Yoshifumi Ohta ,  Takeshi Hara ,  Tetsuya Aita ,  Masahiko Suzuki ,  Kazuo Nakagawa ,  Michiko Takei ,  Yoshiyuki Harumoto ,  Hinae Mizuno

发明人： Okifumi Nakagawa ,  Hirohiko Nishiki ,  Yoshimasa Chikama ,  Yoshifumi Ohta ,  Takeshi Hara ,  Tetsuya Aita ,  Masahiko Suzuki ,  Kazuo Nakagawa ,  Yuuji Mizuno ,  Michiko Takei ,  Yoshiyuki Harumoto

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/7869

摘要： The present invention provides an oxide semiconductor capable of achieving a thin film transistor with excellent electric property, a thin film transistor having a channel layer formed of the oxide semiconductor, and a display device equipped with the thin film transistor. The oxide semiconductor of the present invention is an oxide semiconductor for a thin film transistor, and includes Al, In, Zn, and O as constituent atoms.

摘要翻译： 本发明提供能够实现电性能优异的薄膜晶体管的氧化物半导体，具有由氧化物半导体形成的沟道层的薄膜晶体管，以及配备有薄膜晶体管的显示装置。 本发明的氧化物半导体是用于薄膜晶体管的氧化物半导体，并且包括Al，In，Zn和O作为构成原子。

公开(公告)号：US20130092923A1

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：US13521316

申请日：2011-01-12

申请人： Takeshi Hara ,  Hirohiko Nishiki ,  Yoshifumi Ohta ,  Yoshimasa Chikama ,  Tetsuya Aita ,  Masahiko Suzuki ,  Michiko Takei ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Harumoto ,  Hinae Mizuno

发明人： Takeshi Hara ,  Hirohiko Nishiki ,  Yoshifumi Ohta ,  Yuuji Mizuno ,  Yoshimasa Chikama ,  Tetsuya Aita ,  Masahiko Suzuki ,  Michiko Takei ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Harumoto

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/786 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66742

摘要： An active matrix substrate includes a plurality of pixel electrodes (19a) arranged in a matrix, and a plurality of TFTs (5a) connected to the respective corresponding pixel electrodes (19a). Each TFT (5a) includes a gate electrode (11aa) provided on an insulating substrate (10a), a gate insulating layer (12) covering the gate electrode (11aa), an oxide semiconductor layer (13a) provided on the gate insulating layer (12) over the gate electrode (11aa) and having a channel region (C), and a source electrode (16aa) and a drain electrode (16b) provided on the oxide semiconductor layer (13a), overlapping the gate electrode (11aa) and facing each other with the channel region (C) being interposed between the source and drain electrodes. A protection insulating layer (17) made of a spin-on glass material is provided on the channel region (C) of the oxide semiconductor layer (13a).

摘要翻译： 有源矩阵基板包括以矩阵布置的多个像素电极（19a）和连接到各个相应的像素电极（19a）的多个TFT（5a）。 每个TFT（5a）包括设置在绝缘基板（10a）上的栅电极（11aa），覆盖栅极电极（11aa）的栅极绝缘层（12），设置在栅极绝缘层上的氧化物半导体层 12a）和具有沟道区（C）的栅极电极（11a）和设置在氧化物半导体层（13a）上的源电极（16aa）和漏电极（16b），与栅极电极（11aa）和 沟道区域（C）插入在源极和漏极之间彼此面对。 在氧化物半导体层（13a）的沟道区（C）上设置由旋涂玻璃材料制成的保护绝缘层（17）。

公开(公告)号：US20130023086A1

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：US13517079

申请日：2010-08-23

申请人： Yoshimasa Chikama ,  Hiromitsu Katsui ,  Hirohiko Nishiki ,  Yoshifumi Ohta ,  Takeshi Hara ,  Tetsuya Aita ,  Masahiko Suzuki ,  Michiko Takei ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Harumoto ,  Hinae Mizuno

发明人： Yoshimasa Chikama ,  Hiromitsu Katsui ,  Hirohiko Nishiki ,  Yoshifumi Ohta ,  Yuuji Mizuno ,  Takeshi Hara ,  Tetsuya Aita ,  Masahiko Suzuki ,  Michiko Takei ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Harumoto

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/1225 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13606 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2201/501 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288

摘要： An active matrix substrate includes a plurality of pixel electrodes (P) provided in a matrix, and a plurality of TFTs (5) connected to the pixel electrodes (P). Each of the TFTs (5) includes a gate electrode (11a) provided on an insulating substrate, a gate insulating film (12a) provided to cover the gate electrode (11a), an oxide semiconductor layer (13a) provided on the gate insulating film (12a) to overlap the gate electrode (11a), and a source electrode (17a) and a drain electrode (17b) facing each other and being connected to the oxide semiconductor layer (13a). A protective insulating film (14a) is provided between the oxide semiconductor layer (13a) and the source and drain electrodes (17a) and (17b) to cover the oxide semiconductor layer (13a).

摘要翻译： 有源矩阵基板包括设置在矩阵中的多个像素电极（P）和连接到像素电极（P）的多个TFT（5）。 每个TFT（5）包括设置在绝缘基板上的栅极电极（11a），设置成覆盖栅极电极（11a）的栅极绝缘膜（12a），设置在栅极绝缘膜上的氧化物半导体层 （12a）与栅极电极（11a）重叠，并且与氧化物半导体层（13a）连接的源电极（17a）和漏电极（17b）彼此相对。 在氧化物半导体层（13a）和源极和漏极（17a）和（17b）之间设置保护绝缘膜（14a）以覆盖氧化物半导体层（13a）。

公开(公告)号：US20120138923A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：US13379670

申请日：2010-04-06

申请人： Takeshi Hara ,  Hirohiko Nishiki ,  Yoshimasa Chikawa ,  Kazuo Nakagawa ,  Yoshifumi Ohta ,  Tetsuya Aita ,  Masahiko Suzuki ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Miyajima ,  Yuuji Mizuno ,  Hinae Mizuno ,  Michiko Takei ,  Yoshiyuki Harumoto

发明人： Takeshi Hara ,  Hirohiko Nishiki ,  Yoshimasa Chikawa ,  Kazuo Nakagawa ,  Yoshifumi Ohta ,  Tetsuya Aita ,  Masahiko Suzuki ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Miyajima ,  Yuuji Mizuno ,  Hinae Mizuno ,  Michiko Takei ,  Yoshiyuki Harumoto

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

摘要： The present invention provides a thin film transistor including an oxide semiconductor layer (4) for electrically connecting a signal electrode (6a) and a drain electrode (7a), the an oxide semiconductor layer being made from an oxide semiconductor; and a barrier layer (6b) made from at least one selected from the group consisting of Ti, Mo, W, Nb, Ta, Cr, nitrides thereof, and alloys thereof, the barrier layer (6b) being in touch with the signal electrode (6a) and the oxide semiconductor layer (4) and separating the signal electrode (6a) from the oxide semiconductor layer (4). Because of this configuration, the thin film transistor can form and maintain an ohmic contact between the first electrode and the channel layer, thereby being a thin film transistor with good properties.

摘要翻译： 本发明提供了一种薄膜晶体管，其包括用于电连接信号电极（6a）和漏电极（7a）的氧化物半导体层（4），所述氧化物半导体层由氧化物半导体制成; 以及由选自Ti，Mo，W，Nb，Ta，Cr，氮化物中的至少一种及其合金制成的阻挡层（6b），阻挡层（6b）与信号电极 （6a）和氧化物半导体层（4），并且将信号电极（6a）与氧化物半导体层（4）分离。 由于这种结构，薄膜晶体管可以在第一电极和沟道层之间形成并保持欧姆接触，从而成为具有良好性能的薄膜晶体管。

公开(公告)号：US08829513B2

公开(公告)日：2014-09-09

申请号：US13391638

申请日：2010-03-29

申请人： Yoshifumi Ota ,  Hirohiko Nishiki ,  Yoshimasa Chikama ,  Takeshi Hara ,  Tetsuya Aita ,  Masahiko Suzuki ,  Okifumi Nakagawa ,  Kazuo Nakagawa ,  Michiko Takei ,  Yoshiyuki Harumoto ,  Hinae Mizuno

发明人： Yoshifumi Ota ,  Hirohiko Nishiki ,  Yoshimasa Chikama ,  Takeshi Hara ,  Tetsuya Aita ,  Masahiko Suzuki ,  Okifumi Nakagawa ,  Kazuo Nakagawa ,  Yuuji Mizuno ,  Michiko Takei ,  Yoshiyuki Harumoto

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32 ,  H01L33/00 ,  G02F1/1368

CPC分类号： H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/3258 ,  H01L33/0041

摘要： The present invention provides an oxide semiconductor that realizes a TFT excellent in electric properties and process resistance, a TFT comprising a channel layer formed of the oxide semiconductor, and a display device equipped with the TFT. The oxide semiconductor of the present invention is an oxide semiconductor for a thin film transistor, wherein the oxide semiconductor contains Ga (gallium), In (indium), Zn (zinc), and O (oxygen) as constituent atoms, and the oxide semiconductor has Zn atomic composition satisfying the equation of 0.01≦Zn/(In+Zn)≦0.22.

摘要翻译： 本发明提供实现电性能和工艺电阻优异的TFT的氧化物半导体，包括由氧化物半导体形成的沟道层的TFT以及配备有TFT的显示装置。 本发明的氧化物半导体是用于薄膜晶体管的氧化物半导体，其中氧化物半导体包含Ga（镓），In（铟），Zn（锌）和O（氧）作为构成原子，氧化物半导体 Zn原子组成满足0.01＆nlE; Zn /（In + Zn）＆nlE; 0.22。