公开(公告)号：US20050130454A1

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：US10731269

申请日：2003-12-08

申请人： Anand Murthy ,  Boyan Boyanov ,  Glenn Glass ,  Thomas Hoffmann

发明人： Anand Murthy ,  Boyan Boyanov ,  Glenn Glass ,  Thomas Hoffmann

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/6628 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7842 ,  Y10S438/933

摘要： An embodiment of the invention reduces the external resistance of a transistor by utilizing a silicon germanium alloy for the source and drain regions and a nickel silicon germanium self-aligned silicide (i.e., salicide) layer to form the contact surface of the source and drain regions. The interface of the silicon germanium and the nickel silicon germanium silicide has a lower specific contact resistivity based on a decreased metal-semiconductor work function between the silicon germanium and the silicide and the increased carrier mobility in silicon germanium versus silicon. The silicon germanium may be doped to further tune its electrical properties. A reduction of the external resistance of a transistor equates to increased transistor performance both in switching speed and power consumption.

摘要翻译： 本发明的一个实施例通过利用用于源极和漏极区域的硅锗合金和镍硅锗自对准硅化物（即，自对准硅化物）层来形成源极和漏极区域的接触表面来降低晶体管的外部电阻 。 基于硅锗和硅化物之间的金属半导体功函数降低，硅锗与硅硅锗硅的界面具有较低的比接触电阻率，并且硅锗与硅中的载流子迁移率增加。 可以掺杂硅锗以进一步调整其电性能。 降低晶体管的外部电阻等同于在开关速度和功耗方面提高晶体管的性能。

公开(公告)号：US08924269B2

公开(公告)日：2014-12-30

申请号：US11803178

申请日：2007-05-11

申请人： Michael Seubert ,  Andre Wagner ,  Andreas Brossler ,  Andreas Leukert-Knapp ,  Andreas Poth ,  Arno Eifel ,  Axel Kuehl ,  Benjamin Klehr ,  Danny Pannicke ,  Frank Reinemuth ,  Georg Dopf ,  Georg Podhajsky ,  Giovanni Deledda ,  Gunther Liebich ,  Jochen Steinbach ,  Klaus Reinelt ,  Klaus Schlappner ,  Martin Gaub ,  Martin Schorr ,  Martin Von der Emder ,  Michael Sylvester ,  Ralf Schliehe-Diecks ,  Robert Bieber ,  Robert Doerner ,  Robert Reiner ,  Rudolf Winkel ,  Sergey Alekseev ,  Stefan Adelmann ,  Stefan Franke ,  Tanjana Preiser-Funke ,  Thilo Kraehmer ,  Thomas Hoffmann ,  Thomas Nitschke ,  Werner Gnan ,  Yongbin He ,  Anil Joshi Jetti ,  Christian Saalfrank ,  Sunsil S. Parvatikar ,  Sabine Montnacher

发明人： Michael Seubert ,  Andre Wagner ,  Andreas Brossler ,  Andreas Leukert-Knapp ,  Andreas Poth ,  Arno Eifel ,  Axel Kuehl ,  Benjamin Klehr ,  Danny Pannicke ,  Frank Reinemuth ,  Georg Dopf ,  Georg Podhajsky ,  Giovanni Deledda ,  Gunther Liebich ,  Jochen Steinbach ,  Klaus Reinelt ,  Klaus Schlappner ,  Martin Gaub ,  Martin Schorr ,  Martin Von der Emder ,  Michael Sylvester ,  Ralf Schliehe-Diecks ,  Robert Bieber ,  Robert Doerner ,  Robert Reiner ,  Rudolf Winkel ,  Sergey Alekseev ,  Stefan Adelmann ,  Stefan Franke ,  Tanjana Preiser-Funke ,  Thilo Kraehmer ,  Thomas Hoffmann ,  Thomas Nitschke ,  Werner Gnan ,  Yongbin He ,  Anil Joshi Jetti ,  Christian Saalfrank ,  Sunsil S. Parvatikar ,  Sabine Montnacher

IPC分类号： G06Q40/00 ,  G06Q30/02 ,  G06Q40/04 ,  G06Q30/04 ,  G06Q10/00 ,  G06Q30/06 ,  G06Q10/10 ,  G06Q20/10 ,  G06Q10/08 ,  G06Q10/06

CPC分类号： G06Q10/10 ,  G06Q10/06 ,  G06Q10/087 ,  G06Q10/20 ,  G06Q20/10 ,  G06Q30/0222 ,  G06Q30/0283 ,  G06Q30/04 ,  G06Q30/0601 ,  G06Q40/00 ,  G06Q40/04 ,  G06Q40/12 ,  G06Q40/123 ,  G06Q40/125

摘要： A business object model, which reflects data that is used during a given business transaction, is utilized to generate interfaces. This business object model facilitates commercial transactions by providing consistent interfaces that are suitable for use across industries, across businesses, and across different departments within a business during a business transaction.

摘要翻译： 用于反映在给定业务事务期间使用的数据的业务对象模型被用于生成接口。 该业务对象模型通过提供一致的接口来促进商业交易，该接口适合于在业务交易期间跨业务，跨企业以及业务中的不同部门使用。

公开(公告)号：US20140142082A1

公开(公告)日：2014-05-22

申请号：US14110702

申请日：2012-04-13

申请人： Christoph Steeneck ,  Olaf Kinzel ,  Christian Gege ,  Gerald Kleymann ,  Thomas Hoffmann

发明人： Christoph Steeneck ,  Olaf Kinzel ,  Christian Gege ,  Gerald Kleymann ,  Thomas Hoffmann

IPC分类号： C07D403/04 ,  C07D401/04 ,  C07D209/30 ,  C07D207/36

CPC分类号： C07D209/30 ,  C07D207/36 ,  C07D401/04 ,  C07D403/04 ,  C07D403/10

摘要： The invention provides modulators for the orphan nuclear receptor RORy and methods for treating RORy mediated diseases by administrating these novel RORy modulators to a human or a mammal in need thereof. Specifically, the present invention provides pyrrolo sulfonamide compounds of Formula (1) and the enantiomers, diastereomers, tautomers, solvates and pharmaceutically acceptable salts thereof.

摘要翻译： 本发明提供了用于孤儿核受体RORy的调节剂和通过将这些新型RORY调节剂施用于有需要的人或哺乳动物来治疗RORy介导的疾病的方法。 具体地说，本发明提供式（1）的吡咯磺酰胺化合物及其对映异构体，非对映异构体，互变异构体，溶剂合物及其药学上可接受的盐。

公开(公告)号：US08671032B2

公开(公告)日：2014-03-11

申请号：US11967865

申请日：2007-12-31

申请人： Martin Von der Emde ,  Thomas Hoffmann ,  Dietmar Nowotny ,  Jan Penning

发明人： Martin Von der Emde ,  Thomas Hoffmann ,  Dietmar Nowotny ,  Jan Penning

IPC分类号： G07F17/22 ,  G06F17/22 ,  G06Q40/00

CPC分类号： G06Q40/02 ,  G06Q40/12

摘要： Methods and apparatus, including systems and computer program products, for a service architecture design that provides enterprise services having payment functionality at the level of an enterprise application. The design includes a set of service operations, process components, and optionally deployment units. Suitable business objects are also described.

摘要翻译： 用于在企业应用级提供具有支付功能的企业服务的服务架构设计的方法和装置，包括系统和计算机程序产品。 该设计包括一组服务操作，过程组件和可选的部署单元。 还描述了合适的业务对象。

公开(公告)号：US20140006233A1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：US13535854

申请日：2012-06-28

申请人： Kathrin Hamburger ,  Elena Renkewitsch ,  Andrea Hahn ,  Michael Hoffmann ,  Thomas Breitling ,  Joachim Liebler ,  Kai-Michael Roesner ,  Alexander Fuerbach ,  Thomas Hoffmann ,  Peter Illg ,  Jutta Kaemper ,  Dietmar Kaiser ,  Enrico Mayer ,  Thomas Schachner ,  Michael Schmidt ,  Martin Walew ,  Dirk Henrich

发明人： Kathrin Hamburger ,  Elena Renkewitsch ,  Andrea Hahn ,  Michael Hoffmann ,  Thomas Breitling ,  Joachim Liebler ,  Kai-Michael Roesner ,  Alexander Fuerbach ,  Thomas Hoffmann ,  Peter Illg ,  Jutta Kaemper ,  Dietmar Kaiser ,  Enrico Mayer ,  Thomas Schachner ,  Michael Schmidt ,  Martin Walew ,  Dirk Henrich

IPC分类号： G06Q40/00

CPC分类号： G06Q40/00 ,  G06Q40/12

摘要： A business object model, which reflects data that is used during a given business transaction, is utilized to generate interfaces. This business object model facilitates commercial transactions by providing consistent interfaces that are suitable for use across industries, across businesses, and across different departments within a business during a business transaction. In some operations, software creates, updates, or otherwise processes information related to a financial accounting view of cost object expense list and a financials view of contract business object.

摘要翻译： 用于反映在给定业务事务期间使用的数据的业务对象模型被用于生成接口。 该业务对象模型通过提供一致的接口来促进商业交易，该接口适合于在业务交易期间跨业务，跨企业以及业务中的不同部门使用。 在一些操作中，软件创建，更新或以其他方式处理与成本对象费用列表的财务会计视图相关的信息以及合同业务对象的财务视图。

公开(公告)号：US08538864B2

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：US11396288

申请日：2006-03-30

申请人： Martin Von Der Emde ,  Thomas Hoffmann ,  Dietmar Nowotny ,  Jan Penning ,  Bernhard F. Kuhn

发明人： Martin Von Der Emde ,  Thomas Hoffmann ,  Dietmar Nowotny ,  Jan Penning ,  Bernhard F. Kuhn

IPC分类号： G06Q40/00 ,  G07F19/00

CPC分类号： G06Q20/023 ,  G06Q10/06 ,  G06Q10/10 ,  G06Q20/04 ,  G06Q20/102

摘要： Methods and apparatus, including systems and computer program products, for a service architecture design that provides enterprise services having payment functionality at the level of an enterprise application. The design includes a set of service operations, process components, and optionally deployment units. Suitable business objects are also described.

摘要翻译： 用于在企业应用级提供具有支付功能的企业服务的服务架构设计的方法和装置，包括系统和计算机程序产品。 该设计包括一组服务操作，过程组件和可选的部署单元。 还描述了合适的业务对象。

公开(公告)号：US20110006344A1

公开(公告)日：2011-01-13

申请号：US12655323

申请日：2009-12-29

申请人： Anand Murthy ,  Boyan Boyanov ,  Glenn A. Glass ,  Thomas Hoffmann

发明人： Anand Murthy ,  Boyan Boyanov ,  Glenn A. Glass ,  Thomas Hoffmann

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/6628 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7842 ,  Y10S438/933

摘要： An embodiment of the invention reduces the external resistance of a transistor by utilizing a silicon germanium alloy for the source and drain regions and a nickel silicon germanium self-aligned silicide (i.e., salicide) layer to form the contact surface of the source and drain regions. The interface of the silicon germanium and the nickel silicon germanium silicide has a lower specific contact resistivity based on a decreased metal-semiconductor work function between the silicon germanium and the silicide and the increased carrier mobility in silicon germanium versus silicon. The silicon germanium may be doped to further tune its electrical properties. A reduction of the external resistance of a transistor equates to increased transistor performance both in switching speed and power consumption.

公开(公告)号：US07851326B2

公开(公告)日：2010-12-14

申请号：US11812386

申请日：2007-06-18

申请人： Franz Dietz ,  Volker Dudek ,  Michael Graf ,  Thomas Hoffmann

发明人： Franz Dietz ,  Volker Dudek ,  Michael Graf ,  Thomas Hoffmann

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/76224

摘要： A method for producing deep trench structures in an STI structure of a semiconductor substrate is provided, with the following successive process steps: subsequent to a full-area filling of STI recesses introduced into a semiconductor substrate with a first filler material, a first surface of a semiconductor structure is subjected to a CMP process to level the applied filler material and produce the STI structure; the leveled STI structure thus produced is structured; using the structured, leveled STI structure as a hard mask, at least one deep trench is etched in the area of this STI structure to create the deep trench structures.

摘要翻译： 提供一种用于在半导体衬底的STI结构中制造深沟槽结构的方法，具有以下连续的工艺步骤：在用第一填充材料引入到半导体衬底中的STI凹部的全面填充之后， 对半导体结构进行CMP处理以对施加的填充材料进行平整并产生STI结构; 这样生产的水平STI结构是结构化的; 使用结构化的水平STI结构作为硬掩模，在该STI结构的区域中蚀刻至少一个深沟槽以产生深沟槽结构。

公开(公告)号：US20100070391A1

公开(公告)日：2010-03-18

申请号：US12233534

申请日：2008-09-18

申请人： Cornelia Storr ,  Ute Ludwig ,  Martin Von Der Emde ,  Thomas Hoffmann ,  Yongbin He ,  Theo Zimmermann ,  Dietmar Nowotny

发明人： Cornelia Storr ,  Ute Ludwig ,  Martin Von Der Emde ,  Thomas Hoffmann ,  Yongbin He ,  Theo Zimmermann ,  Dietmar Nowotny

IPC分类号： G06Q10/00

CPC分类号： G06Q40/02 ,  G06Q40/12

摘要： Methods, systems, and apparatus, including computer program products, for implementing a software architecture design for a software application implementing tax declaration. The application is structured as multiple process components interacting with each other through service interfaces, and multiple service interface operations, each being implemented for a respective process component. The process components include an Accounting process component, a Due Item Processing process component, and a Payment Processing process component.

摘要翻译： 方法，系统和装置，包括计算机程序产品，用于实施执行税务申报的软件应用程序的软件架构设计。 该应用程序被构造为多个进程组件通过服务接口彼此交互，并且多个服务接口操作，每个被实现用于相应的进程组件。 过程组件包括会计过程组件，到期项目处理过程组件和支付处理过程组件。

公开(公告)号：US20090057911A1

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：US12203124

申请日：2008-09-02

申请人： Thomas Hoffmann ,  Stefan Schwantes

发明人： Thomas Hoffmann ,  Stefan Schwantes

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L21/743 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/84

摘要： A method for manufacturing a semiconductor arrangement, use of a trench structure, and a semiconductor arrangement is provided that includes a single-crystal semiconductor layer, a conductive substrate region and a buried insulator layer, which isolates the single-crystal semiconductor layer from the conductive substrate region, whereby the conductive substrate region is contacted. A trench structure is formed to separate the single-crystal semiconductor layer into a first semiconductor region outside the trench structure and a second semiconductor region within the trench structure, an opening is formed in the single-crystal semiconductor layer within the second semiconductor region, the buried insulator layer is removed within the opening, and a conductor, which contacts the conductive substrate region and adjoins the second semiconductor region, is introduced into the opening.

摘要翻译： 提供一种制造半导体装置的方法，使用沟槽结构和半导体装置，其包括单晶半导体层，导电衬底区域和掩埋绝缘体层，其将单晶半导体层与导电 衬底区域，由此使导电衬底区域接触。 形成沟槽结构以将单晶半导体层分离成沟槽结构之外的第一半导体区域和沟槽结构内的第二半导体区域，在第二半导体区域内的单晶半导体层中形成开口， 在开口内去除埋入的绝缘体层，并且将与导电衬底区域接触并与第二半导体区域相邻接的导体引入到开口中。