公开(公告)号：US20130171336A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：US13338885

申请日：2011-12-28

申请人： Nai-Han CHENG ,  Chi-Ming YANG ,  You-Hua CHOU ,  Kuo-Sheng CHUANG ,  Chin-Hsiang LIN

发明人： Nai-Han CHENG ,  Chi-Ming YANG ,  You-Hua CHOU ,  Kuo-Sheng CHUANG ,  Chin-Hsiang LIN

IPC分类号： C23C16/458 ,  B23Q7/00 ,  C23C14/50 ,  C23C16/52 ,  C23C14/54

CPC分类号： H01L21/68785 ,  C23C14/50 ,  C23C14/54 ,  C23C16/4582 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67288 ,  H01L21/6831 ,  Y10T29/49998

摘要： In a wafer processing method and a wafer processing system, a first property on a back side of a wafer is measured. The back side of the wafer is supported on a multi-zone chuck having a plurality of zones with controllable clamping forces. The wafer is secured to the multi-zone chuck by controlling the clamping forces in the corresponding zones in accordance with measured values of the first property in the zones.

摘要翻译： 在晶片处理方法和晶片处理系统中，测量晶片背面的第一特性。 晶片的背面被支撑在具有可控夹紧力的多个区域的多区域卡盘上。 通过根据区域中的第一属性的测量值控制相应区域中的夹紧力将晶片固定到多区域卡盘。

公开(公告)号：US20110086504A1

公开(公告)日：2011-04-14

申请号：US12879371

申请日：2010-09-10

申请人： Kuo Bin HUANG ,  Hsin-Chien LU ,  Ryan Chia-Jen CHEN ,  Chi-Ming YANG ,  Chyi Shyuan CHERN ,  Chin-Hsiang LIN

发明人： Kuo Bin HUANG ,  Hsin-Chien LU ,  Ryan Chia-Jen CHEN ,  Chi-Ming YANG ,  Chyi Shyuan CHERN ,  Chin-Hsiang LIN

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/28238 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857

摘要： A method for forming an integrated circuit is provided. The method includes forming a gate dielectric structure over a substrate. A titanium-containing sacrificial layer is formed, contacting the gate dielectric structure. The whole titanium-containing sacrificial layer is substantially removed.

摘要翻译： 提供一种用于形成集成电路的方法。 该方法包括在衬底上形成栅极电介质结构。 形成与该栅电介质结构接触的含钛牺牲层。 基本上除去了整个含钛牺牲层。

公开(公告)号：US20090011374A1

公开(公告)日：2009-01-08

申请号：US12205509

申请日：2008-09-05

申请人： Ching-Yu CHANG ,  Chin-Hsiang LIN

发明人： Ching-Yu CHANG ,  Chin-Hsiang LIN

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/405

摘要： The present invention includes a lithography method comprising forming a first patterned resist layer including at least one opening therein over a substrate. A protective layer is formed on the first patterned resist layer and the substrate whereby a reaction occurs at the interface between the first patterned resist layer and the protective layer to form a reaction layer over the first patterned resist layer. The non-reacted protective layer is then removed. Thereafter, a second patterned resist layer is formed over the substrate, wherein at least one portion of the second patterned resist layer is disposed within the at least one opening of the first patterned resist layer. The substrate is thereafter etched using the first and second patterned resist layers as a mask.

摘要翻译： 本发明包括光刻方法，包括在衬底上形成包括至少一个开口的第一图案化抗蚀剂层。 在第一图案化抗蚀剂层和基板上形成保护层，由此在第一图案化抗蚀剂层和保护层之间的界面处发生反应，以在第一图案化抗蚀剂层上形成反应层。 然后除去未反应的保护层。 此后，在衬底上形成第二图案化抗蚀剂层，其中第二图案化抗蚀剂层的至少一部分设置在第一图案化抗蚀剂层的至少一个开口内。 然后使用第一和第二图案化抗蚀剂层作为掩模蚀刻衬底。

公开(公告)号：US20070278424A1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：US11421590

申请日：2006-06-01

申请人： Chin-Hsiang LIN ,  Jui-Chung PENG ,  Yung-Cheng CHEN ,  Shy-Jan LIN

发明人： Chin-Hsiang LIN ,  Jui-Chung PENG ,  Yung-Cheng CHEN ,  Shy-Jan LIN

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70991 ,  G03F7/70466

摘要： The present disclosure provides a lithography apparatus with improved lithography throughput. The lithography apparatus includes a first lens system; a first substrate stage configured to receive a first radiation energy from the first lens system, and designed operable to move a substrate during an exposing process; a second lens system, having a higher resolution than that of the first lens system; and a second substrate stage approximate to the first substrate stage and configured to receive a second radiation energy from the second lens system, and designed operable to receive the substrate from the first substrate stage and move the substrate.

摘要翻译： 本公开提供了具有改进的光刻产量的光刻设备。 光刻设备包括第一透镜系统; 第一衬底台，被配置为从所述第一透镜系统接收第一辐射能量，并且被设计为可操作以在曝光过程期间移动衬底; 第二透镜系统，具有比第一透镜系统更高的分辨率; 以及第二衬底台，其近似于所述第一衬底台并且被配置为从所述第二透镜系统接收第二辐射能量，并且被设计为可操作以从所述第一衬底台接收所述衬底并移动所述衬底。

公开(公告)号：US20130295297A1

公开(公告)日：2013-11-07

申请号：US13460884

申请日：2012-05-01

申请人： You-Hua CHOU ,  Chih-Tsung LEE ,  Shu-Fen WU ,  Chin-Hsiang LIN

发明人： You-Hua CHOU ,  Chih-Tsung LEE ,  Shu-Fen WU ,  Chin-Hsiang LIN

IPC分类号： C23C16/455 ,  H05H1/24

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/5096

摘要： An apparatus and method are disclosed for forming thin films on a semiconductor substrate. The apparatus in one embodiment includes a process chamber configured for supporting the substrate, a gas excitation power source, and first and second gas distribution showerheads fluidly coupled to a reactive process gas supply containing film precursors. The showerheads dispense the gas into two different zones above the substrate, which is excited to generate an inner plasma field and an outer plasma field over the wafer. The apparatus deposits a material on the substrate in a manner that promotes the formation of a film having a substantially uniform thickness across the substrate. In one embodiment, the substrate is a wafer. Various embodiments include first and second independently controllable power sources connected to the first and second showerheads to vary the power level and plasma intensity in each zone.

摘要翻译： 公开了用于在半导体衬底上形成薄膜的装置和方法。 在一个实施例中的装置包括被配置用于支撑衬底，气体激发电源以及流体耦合到含有反应性工艺气体源的膜前体的第一和第二气体分配喷头的处理室。 喷头将气体分配到衬底上方的两个不同区域中，该衬底被激发以在晶片上产生内部等离子体场和外部等离子体场。 该装置以促进在基底上形成具有基本上均匀的厚度的膜的方式将材料沉积在基底上。 在一个实施例中，衬底是晶片。 各种实施例包括连接到第一和第二喷头的第一和第二可独立控制的电源，以改变每个区域中的功率电平和等离子体强度。

公开(公告)号：US20130264498A1

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：US13439124

申请日：2012-04-04

申请人： Chun-Lin CHANG ,  Chih-Hing HWANG ,  Wen-Yu KU ,  Chi-Ming YANG ,  Chin-Hsiang LIN

发明人： Chun-Lin CHANG ,  Chih-Hing HWANG ,  Wen-Yu KU ,  Chi-Ming YANG ,  Chin-Hsiang LIN

IPC分类号： H01L21/265 ,  G21K5/00

CPC分类号： H01J37/3171 ,  A61N5/00 ,  G21G5/00 ,  G21K1/14 ,  H01J2237/0044

摘要： An apparatus comprises a plasma flood gun for neutralizing a positive charge buildup on a semiconductor wafer during a process of ion implantation using an ion beam. The plasma flood gun comprises more than two arc chambers, wherein each arc chamber is configured to generate and release electrons into the ion beam in a respective zone adjacent to the semiconductor wafer.

摘要翻译： 一种装置包括用于在使用离子束的离子注入的过程中中和半导体晶片上的正电荷累积的等离子体喷枪。 等离子体喷枪包括两个以上的电弧室，其中每个电弧室被配置为在与半导体晶片相邻的相应区域中产生电子并将其释放到离子束中。

公开(公告)号：US20130264308A1

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：US13439609

申请日：2012-04-04

申请人： Yu-Lung YANG ,  Ying XIAO ,  Chin-Hsiang LIN

发明人： Yu-Lung YANG ,  Ying XIAO ,  Chin-Hsiang LIN

IPC分类号： B05C11/02 ,  C03C25/68 ,  C23C14/54 ,  H05H1/24

CPC分类号： C23C16/45523 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/46 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/3299

摘要： A chuck and a wafer supported thereon are rotated during a plasma process or a film deposition process to reduce thickness non-uniformity of a film processed or deposited on the wafer.

摘要翻译： 在等离子体处理或薄膜沉积工艺期间，支撑在其上的卡盘和晶片旋转以减小加工或沉积在晶片上的膜的厚度不均匀性。

公开(公告)号：US20130144423A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：US13311601

申请日：2011-12-06

申请人： Chih-Wei HSU ,  Mei-Jen WU ,  Yen-Di TSEN ,  Jo Fei WANG ,  Jong-I MOU ,  Chin-Hsiang LIN

发明人： Chih-Wei HSU ,  Mei-Jen WU ,  Yen-Di TSEN ,  Jo Fei WANG ,  Jong-I MOU ,  Chin-Hsiang LIN

IPC分类号： G06F19/00

CPC分类号： G05B19/18 ,  G05B2219/45031 ,  H01L22/20

摘要： A system and method of automatically calculating boundaries for a semiconductor fabrication process. The method includes selecting a first parameter for monitoring during a semiconductor fabrication process. A first set of values for the first parameter are received and a group value of the first set is determined. Each value in the first set of values is normalized. A first weighting factor is selected based on a number of values in the first set. The embodiment also includes generating a first and a second boundary value as a function of the weighting factor, the first set normalized values and the group value of the first set and applying the first and second boundary values to control the semiconductor fabrication process.

摘要翻译： 一种自动计算半导体制造工艺边界的系统和方法。 该方法包括在半导体制造过程中选择用于监测的第一参数。 接收第一参数的第一组值，并确定第一组的组值。 第一组值中的每个值都被归一化。 基于第一组中的值的数量来选择第一加权因子。 该实施例还包括根据加权因子，第一集合归一化值和第一组的组值产生第一和第二边界值，并施加第一和第二边界值以控制半导体制造过程。

公开(公告)号：US20070037410A1

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：US11426233

申请日：2006-06-23

申请人： Ching-Yu CHANG ,  Chin-Hsiang LIN ,  Burn Jeng LIN

发明人： Ching-Yu CHANG ,  Chin-Hsiang LIN ,  Burn Jeng LIN

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086

摘要： A method of lithography patterning includes forming a first material layer on a substrate, the first material layer being substantially free of silicon, and forming a patterned resist layer including at least one opening therein above the first material layer. A second material layer containing silicon is formed on the patterned resist layer and an opening is formed in the first material layer using the second material layer as a mask.

摘要翻译： 光刻图案的方法包括在基底上形成第一材料层，第一材料层基本上不含硅，并且在第一材料层上方形成包括至少一个开口的图案化抗蚀剂层。 在图案化的抗蚀剂层上形成含有硅的第二材料层，并且使用第二材料层作为掩模在第一材料层中形成开口。

公开(公告)号：US20130322990A1

公开(公告)日：2013-12-05

申请号：US13486024

申请日：2012-06-01

申请人： Shih-Hung CHEN ,  Ying XIAO ,  Chin-Hsiang LIN

发明人： Shih-Hung CHEN ,  Ying XIAO ,  Chin-Hsiang LIN

IPC分类号： H01L21/677

CPC分类号： H01L21/6773 ,  H01L21/67733 ,  H01L21/67775

摘要： A wafer handling system with apparatus for transporting wafers between semiconductor fabrication tools. In one embodiment, the apparatus is a loadport bridge mechanism including an enclosure having first and second mounting ends, a docking port at each end configured and dimensioned to interface with a loadport of a semiconductor tool, and at least one wafer transport robot operable to transport a wafer between the docking ports. The wafer transport robot hands off or receives a wafer to/from a tool robot at the loadports of a first and second tool. The bridge mechanism allows one or more wafers to be transferred between loadports of different tools on an individual basis without reliance on the FAB's automated material handling system (AMHS) for bulk wafer transport inside a wafer carrier such as a FOUP or others.

摘要翻译： 一种具有用于在半导体制造工具之间传输晶片的装置的晶片处理系统。 在一个实施例中，该装置是装载端口机构，其包括具有第一和第二安装端的外壳，每个端部处的对接端口被构造和尺寸设计成与半导体工具的承载端口相接合，以及至少一个可运输的晶片传送机械手 在对接端口之间的晶片。 晶片传送机器人在第一和第二工具的载荷端口移动或接收来自工具机器人的晶片。 桥接机构允许一个或多个晶片在不同工具的载荷端口之间单独传输，而不依赖于FAB的自动化材料处理系统（AMHS），用于在诸如FOUP或其它晶片载体之间的体晶片传输。