公开(公告)号：US20090014813A1

公开(公告)日：2009-01-15

申请号：US11840365

申请日：2007-08-17

申请人： Donald Y. Chao ,  Albert Chin ,  Ping-Fang Hung ,  Foug-Yu Yen ,  Kang-Cheng Lin ,  Kuo-Tai Huang

发明人： Donald Y. Chao ,  Albert Chin ,  Ping-Fang Hung ,  Foug-Yu Yen ,  Kang-Cheng Lin ,  Kuo-Tai Huang

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665

摘要： A semiconductor structure includes a refractory metal silicide layer; a silicon-rich refractory metal silicide layer on the refractory metal silicide layer; and a metal-rich refractory metal silicide layer on the silicon-rich refractory metal silicide layer. The refractory metal silicide layer, the silicon-rich refractory metal silicide layer and the metal-rich refractory metal silicide layer include same refractory metals. The semiconductor structure forms a portion of a gate electrode of a metal-oxide-semiconductor device.

摘要翻译： 半导体结构包括难熔金属硅化物层; 在难熔金属硅化物层上的富硅难熔金属硅化物层; 和富硅难熔金属硅化物层上的富金属难熔金属硅化物层。 难熔金属硅化物层，富硅难熔金属硅化物层和富含金属的难熔金属硅化物层包括相同的难熔金属。 半导体结构形成金属氧化物半导体器件的栅电极的一部分。

公开(公告)号：US08659032B2

公开(公告)日：2014-02-25

申请号：US13363003

申请日：2012-01-31

申请人： Donald Y. Chao ,  Hou-Yu Chen ,  Shyh-Horng Yang

发明人： Donald Y. Chao ,  Hou-Yu Chen ,  Shyh-Horng Yang

IPC分类号： H01L29/15

CPC分类号： H01L29/41791 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： The disclosure relates to a fin field effect transistor (FinFET). An exemplary structure for a FinFET comprises a substrate comprising a major surface; a first fin and a second fin extending upward from the substrate major surface to a first height; an insulation layer comprising a top surface extending upward from the substrate major surface to a second height less than the first height, whereby portions of the fins extend beyond the top surface of the insulation layer; each fin covered by a bulbous epitaxial layer defining an hourglass shaped cavity between adjacent fins, the cavity comprising upper and lower portions, wherein the epitaxial layer bordering the lower portion of the cavity is converted to silicide.

摘要翻译： 本发明涉及鳍状场效应晶体管（FinFET）。 FinFET的示例性结构包括：包括主表面的衬底; 第一翅片和第二翅片，其从所述基底主表面向上延伸到第一高度; 绝缘层，包括从所述基底主表面向上延伸到小于所述第一高度的第二高度的顶表面，由此所述翅片的部分延伸超出所述绝缘层的顶表面; 每个翅片由球形外延层覆盖，所述球形外延层在相邻翅片之间限定出沙漏形空腔，所述空腔包括上部和下部，其中与空腔的下部邻接的外延层被转换成硅化物。

公开(公告)号：US08159035B2

公开(公告)日：2012-04-17

申请号：US11840365

申请日：2007-08-17

申请人： Donald Y. Chao ,  Albert Chin ,  Ping-Fang Hung ,  Fong-Yu Yen ,  Kang-Cheng Lin ,  Kuo-Tai Huang

发明人： Donald Y. Chao ,  Albert Chin ,  Ping-Fang Hung ,  Fong-Yu Yen ,  Kang-Cheng Lin ,  Kuo-Tai Huang

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665

摘要： A semiconductor structure includes a refractory metal silicide layer; a silicon-rich refractory metal silicide layer on the refractory metal silicide layer; and a metal-rich refractory metal silicide layer on the silicon-rich refractory metal silicide layer. The refractory metal silicide layer, the silicon-rich refractory metal silicide layer and the metal-rich refractory metal silicide layer include same refractory metals. The semiconductor structure forms a portion of a gate electrode of a metal-oxide-semiconductor device.

摘要翻译： 半导体结构包括难熔金属硅化物层; 在难熔金属硅化物层上的富硅难熔金属硅化物层; 和富硅难熔金属硅化物层上的富金属难熔金属硅化物层。 难熔金属硅化物层，富硅难熔金属硅化物层和富含金属的难熔金属硅化物层包括相同的难熔金属。 半导体结构形成金属氧化物半导体器件的栅电极的一部分。

公开(公告)号：US08524588B2

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：US12492889

申请日：2009-06-26

申请人： Yih-Ann Lin ,  Ryan Chia-Jen Chen ,  Donald Y. Chao ,  Yi-Shien Mor ,  Kuo-Tai Huang

发明人： Yih-Ann Lin ,  Ryan Chia-Jen Chen ,  Donald Y. Chao ,  Yi-Shien Mor ,  Kuo-Tai Huang

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

摘要： The present disclosure provides a method of fabricating a semiconductor device. The method includes forming a gate dielectric over a semiconductor substrate, forming a capping layer over or under the gate dielectric, forming a metal layer over the capping layer, the metal layer having a first work function, treating a portion of the metal layer such that a work function of the portion of the metal layer changes from the first work function to a second work function, and forming a first metal gate from the untreated portion of the metal layer having the first work function and forming a second metal gate from the treated portion of the metal layer having the second work function.

摘要翻译： 本公开提供了制造半导体器件的方法。 该方法包括在半导体衬底上形成栅极电介质，在栅极电介质上或之下形成覆盖层，在覆盖层上形成金属层，金属层具有第一功函数，处理金属层的一部分，使得 所述金属层的所述部分的功函数从所述第一功函数变化为第二功函数，并且从具有所述第一功函数的所述金属层的未处理部分形成第一金属栅极，并且从所述处理的所述第二金属栅极形成第二金属栅极 具有第二功函数的金属层的部分。

公开(公告)号：US20100038721A1

公开(公告)日：2010-02-18

申请号：US12492889

申请日：2009-06-26

申请人： Yih-Ann Lin ,  Ryan Chia-Jen Chen ,  Donald Y. Chao ,  Yi-Shien Mor ,  Kuo-Tai Huang

发明人： Yih-Ann Lin ,  Ryan Chia-Jen Chen ,  Donald Y. Chao ,  Yi-Shien Mor ,  Kuo-Tai Huang

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

摘要： The present disclosure provides a method of fabricating a semiconductor device. The method includes forming a gate dielectric over a semiconductor substrate, forming a capping layer over or under the gate dielectric, forming a metal layer over the capping layer, the metal layer having a first work function, treating a portion of the metal layer such that a work function of the portion of the metal layer changes from the first work function to a second work function, and forming a first metal gate from the untreated portion of the metal layer having the first work function and forming a second metal gate from the treated portion of the metal layer having the second work function.

摘要翻译： 本公开提供了制造半导体器件的方法。 该方法包括在半导体衬底上形成栅极电介质，在栅极电介质之上或之下形成覆盖层，在覆盖层上形成金属层，金属层具有第一功函数，处理金属层的一部分，使得 所述金属层的所述部分的功函数从所述第一功函数变为第二功函数，并且从具有所述第一功函数的所述金属层的未处理部分形成第一金属栅极，并且从所述处理的所述金属栅极形成第二金属栅极 具有第二功函数的金属层的部分。