公开(公告)号：US07994495B2

公开(公告)日：2011-08-09

申请号：US12014884

申请日：2008-01-16

申请人： Yiliang Wu ,  Beng S. Ong

发明人： Yiliang Wu ,  Beng S. Ong

IPC分类号： H01L51/30

CPC分类号： H01L51/0529 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0537 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： An organic thin film transistor has a gate dielectric layer which is formed from a block copolymer. The block copolymer comprises a polar block and a nonpolar block. The resulting dielectric layer has good adhesion to the gate electrode and good compatibility with the semiconducting layer.

摘要翻译： 有机薄膜晶体管具有由嵌段共聚物形成的栅极电介质层。 嵌段共聚物包括极性嵌段和非极性嵌段。 所得的电介质层对栅电极具有良好的粘合性，并且与半导体层具有良好的相容性。

公开(公告)号：US20110034668A1

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：US12907357

申请日：2010-10-19

申请人： Beng S. Ong ,  Hualong Pan ,  Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

发明人： Beng S. Ong ,  Hualong Pan ,  Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

IPC分类号： C08G75/06

CPC分类号： H01L51/0036 ,  C08G61/126 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： An electronic device, such as a thin film transistor containing a semiconductor of the Formula: wherein R, R′ and R″ are, for example, independently hydrogen, a suitable hydrocarbon, a suitable hetero-containing group, a halogen, or mixtures thereof; and n represents the number of repeating units.

摘要翻译： 一种电子器件，例如含有下式的半导体的薄膜晶体管：其中R，R'和R“例如独立地为氢，合适的烃，合适的含杂基团，卤素或其混合物 ; n表示重复单元的数量。

公开(公告)号：US20100230670A1

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：US12791928

申请日：2010-06-02

申请人： Yuning Li ,  Beng S. Ong ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

发明人： Yuning Li ,  Beng S. Ong ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

IPC分类号： H01L51/30 ,  C07D487/02

CPC分类号： C08G61/124 ,  C08G61/126

摘要： An electronic device including a compound comprising at least one type of an optionally substituted indolocarbazole moiety and at least one divalent linkage.

摘要翻译： 包括包含至少一种类型的任选取代的吲哚咔唑部分和至少一种二价键的化合物的电子器件。

公开(公告)号：US07795373B2

公开(公告)日：2010-09-14

申请号：US11399091

申请日：2006-04-06

申请人： Yuning Li ,  Beng S. Ong ,  Yiliang Wu

发明人： Yuning Li ,  Beng S. Ong ,  Yiliang Wu

IPC分类号： C08G75/00 ,  C08G65/00

CPC分类号： C08G61/126 ,  C08G61/02 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0558

摘要： A polymer of Formula or structure (I) wherein at least one of R1 and R2 is a suitable hydrocarbon, hydrogen, a heteratom containing group, or a halogen; Ar and Ar′ represent an aromatic moiety; x, y, a, b, c, d, e, f, and g represent the number of groups or rings, respectively; and n represents the number of repeating units.

摘要翻译： 式（I）的聚合物，其中R 1和R 2中的至少一个是合适的烃，氢，含杂原子的基团或卤素; Ar和Ar'表示芳族部分; x，y，a，b，c，d，e，f和g分别表示基团或环的数目; n表示重复单元的数量。

公开(公告)号：US07781564B2

公开(公告)日：2010-08-24

申请号：US11565751

申请日：2006-12-01

申请人： Beng S. Ong ,  Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Yu Qi

发明人： Beng S. Ong ,  Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Yu Qi

IPC分类号： C08G75/06 ,  H01L35/24 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01B1/127 ,  C08G61/126 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： A polythiophene wherein the monomer segments thereof contain wherein A is a side chain; B is hydrogen or a side chain; and D is a divalent linkage, and wherein the number of A-substituted thienylene units (I) in the monomer segments is from about 1 to about 10, the number of B-substituted thienylene units (II) is from 0 to about 5, and the number of divalent linkages D is 0 or 1.

摘要翻译： 聚噻吩，其中单体链段含有其中A是侧链; B是氢或侧链; 和D是二价键，其中单体链段中的A取代的亚噻吩基单元（I）的数目为约1至约10，B-取代的亚噻吩基单元（II）的数目为0至约5， 并且二价键D的数目为0或1。

公开(公告)号：US07705111B2

公开(公告)日：2010-04-27

申请号：US11399246

申请日：2006-04-06

申请人： Beng S. Ong ,  Yuning Li ,  Yiliang Wu

发明人： Beng S. Ong ,  Yuning Li ,  Yiliang Wu

IPC分类号： C08G75/00

CPC分类号： C08G61/126 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0558

摘要： A polymer of the following formula wherein R is a suitable hydrocarbon or a heteroatom containing group; and n represents the number of repeating units.

摘要翻译： 下式的聚合物其中R是合适的烃或含杂原子的基团; n表示重复单元的数量。

公开(公告)号：US07586120B2

公开(公告)日：2009-09-08

申请号：US11399169

申请日：2006-04-06

申请人： Yuning Li ,  Beng S. Ong ,  Yiliang Wu

发明人： Yuning Li ,  Beng S. Ong ,  Yiliang Wu

IPC分类号： H01L35/24 ,  H01L51/00

CPC分类号： H01L51/0041 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： An electronic device comprising a polymer of Formula (I) wherein at least one of R1 and R2 is a suitable hydrocarbon, hydrogen, a heteroatom containing group, or a halogen; Ar and Ar′ represent an aromatic moiety; x, y, a, b, c, d, e, f, and g represent the number of groups or rings, respectively; and n represents the number of repeating units.

摘要翻译： 一种包含式（I）的聚合物的电子器件，其中R 1和R 2中的至少一个是合适的烃，氢，含杂原子的基团或卤素; Ar和Ar'表示芳族部分; x，y，a，b，c，d，e，f和g分别表示基团或环的数目; n表示重复单元的数量。

公开(公告)号：US07491575B2

公开(公告)日：2009-02-17

申请号：US11497826

申请日：2006-08-02

申请人： Yiliang Wu ,  Beng S. Ong

发明人： Yiliang Wu ,  Beng S. Ong

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/16

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： A process for fabricating at least one semiconductor layer of an electronic device including: performing on a composition including a hydrolyzable zinc compound a number of activities including: (a) hydrolyzing at least a portion of the hydrolyzable zinc compound to form zinc oxide; (b) liquid depositing; and (c) optionally heating, wherein the activities (a), (b), and (c) are each accomplished a number of times in any effective arrangement, resulting in the at least one semiconductor layer comprising the zinc oxide.

摘要翻译： 一种用于制造电子器件的至少一个半导体层的方法，包括：对包含可水解锌化合物的组合物进行多种活性，包括：（a）水解可水解的锌化合物的至少一部分以形成氧化锌; （b）液体沉积; 和（c）可选地加热，其中活性（a），（b）和（c）各自以任何有效布置实现多次，导致至少一个包含氧化锌的半导体层。

公开(公告)号：US07456424B2

公开(公告)日：2008-11-25

申请号：US11167485

申请日：2005-06-27

申请人： Yiliang Wu ,  Beng S. Ong ,  Yu Qi ,  Yuning Li

发明人： Yiliang Wu ,  Beng S. Ong ,  Yu Qi ,  Yuning Li

IPC分类号： H01L29/08

CPC分类号： H01L51/0541 ,  H01L51/0067

摘要： A thin film transistor composed of a semiconductor layer including an optionally substituted indolocarbazole.

摘要翻译： 一种由包括任选取代的吲哚咔唑的半导体层组成的薄膜晶体管。

公开(公告)号：US07449715B2

公开(公告)日：2008-11-11

申请号：US11399231

申请日：2006-04-06

申请人： Yuning Li ,  Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Beng S. Ong

发明人： Yuning Li ,  Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Beng S. Ong

IPC分类号： H01L29/08

CPC分类号： H01L51/0074 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0545

摘要： An electronic device comprising a polymer of Formula or structure (I) wherein R1 is hydrogen, halogen, a suitable hydrocarbon, or a heteroatom containing group; R2 is hydrogen, a suitable hydrocarbon, a heteroatom containing group, or a halogen; R3 and R4 are independently a suitable hydrocarbon, hydrogen, a heteroatom containing group, or a halogen; Ar is an aromatic component; x, y, a, b, and c represent the number of groups or rings, respectively; Z represents sulfur, oxygen, selenium, or NR wherein R is hydrogen, alkyl, or aryl; and n represents the number of repeating units.

摘要翻译： 一种包含式或其结构（I）的聚合物的电子器件，其中R 1是氢，卤素，合适的烃或含杂原子的基团; R 2是氢，适合的烃，含杂原子的基团或卤素; R 3和R 4独立地是合适的烃，氢，含杂原子的基团或卤素; Ar是芳香族成分; x，y，a，b和c分别表示基团或环的数目; Z表示硫，氧，硒或NR，其中R是氢，烷基或芳基; n表示重复单元的数量。