公开(公告)号：US06762483B1

公开(公告)日：2004-07-13

申请号：US10348910

申请日：2003-01-23

申请人： Zoran Krivokapic ,  Judy Xilin An ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Zoran Krivokapic ,  Judy Xilin An ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L2906

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/78687

摘要： A method of forming fins for a double-gate fin field effect transistor (FinFET) includes forming a second layer of semi-conducting material over a first layer of semi-conducting material and forming double caps in the second layer of semi-conducting material. The method further includes forming spacers adjacent sides of each of the double caps and forming double fins in the first semi-conducting material beneath the double caps. The method also includes thinning the double fins to produce narrow double fins.

摘要翻译： 一种形成双栅极鳍效应晶体管（FinFET）的鳍片的方法包括在第一半导体材料层上形成第二半导电材料层，并在第二半导体材料层中形成双重盖子。 该方法还包括在每个双盖的侧面上形成间隔物，并在双盖下方的第一半导体材料中形成双翅片。 该方法还包括使双翅片变薄以产生窄的双翅片。

公开(公告)号：US06756643B1

公开(公告)日：2004-06-29

申请号：US10459579

申请日：2003-06-12

申请人： Krishnashree Achuthan ,  Shibly S. Ahmed ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Krishnashree Achuthan ,  Shibly S. Ahmed ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L2976

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/3212 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681

摘要： A FinFET-type semiconductor device includes a fin structure on which a relatively thin amorphous silicon layer and then an undoped polysilicon layer is formed. The semiconductor device may be planarized using a chemical mechanical polishing (CMP) in which the amorphous silicon layer acts as a stop layer to prevent damage to the fin structure.

摘要翻译： FinFET型半导体器件包括翅片结构，其上形成相对薄的非晶硅层，然后形成未掺杂的多晶硅层。 半导体器件可以使用化学机械抛光（CMP）进行平面化，其中非晶硅层用作阻挡层以防止损坏鳍结构。

公开(公告)号：US06657276B1

公开(公告)日：2003-12-02

申请号：US10163925

申请日：2002-06-06

申请人： Olov B. Karlsson ,  HaiHong Wang ,  Bin Yu ,  Zoran Krivokapic ,  Qi Xiang

发明人： Olov B. Karlsson ,  HaiHong Wang ,  Bin Yu ,  Zoran Krivokapic ,  Qi Xiang

IPC分类号： H01L2900

CPC分类号： H01L29/7842 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/78654

摘要： A shallow trench isolation region formed in a layer of semiconductor material. The shallow trench isolation region includes a trench formed in the layer of semiconductor material, the trench being defined by sidewalls and a bottom; a liner within the trench formed from a high-K material, the liner conforming to the sidewalls and bottom of the trench; and a fill section made from isolating material, and disposed within and conforming to the high-K liner. A method of forming the shallow trench isolation region is also disclosed.

摘要翻译： 形成在半导体材料层中的浅沟槽隔离区。 浅沟槽隔离区域包括形成在半导体材料层中的沟槽，沟槽由侧壁和底部限定; 由高K材料形成的沟槽内的衬垫，衬垫符合沟槽的侧壁和底部; 以及由隔离材料制成并填充并符合高K衬里的填充部分。 还公开了形成浅沟槽隔离区域的方法。

公开(公告)号：US06645797B1

公开(公告)日：2003-11-11

申请号：US10310926

申请日：2002-12-06

申请人： Matthew S. Buynoski ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Cyrus E. Tabery ,  Haihong Wang ,  Chih-Yuh Yang ,  Bin Yu

发明人： Matthew S. Buynoski ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Cyrus E. Tabery ,  Haihong Wang ,  Chih-Yuh Yang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L2184

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/66795

摘要： A method for forming a fin in a semiconductor device that includes a substrate, an insulating layer formed on the substrate, and a conductive layer formed on the insulating layer, includes forming a carbon layer over the conductive layer and forming a mask over the carbon layer. The method further includes etching the mask and carbon layer to form at least one structure, where the structure has a first width, reducing the width of the carbon layer in the at least one structure to a second width, depositing an oxide layer to surround the at least one structure, removing a portion of the oxide layer and the mask, removing the carbon layer to form an opening in a remaining portion of the oxide layer for each of the at least one structure, filling the at least one opening with conductive material, and removing the remaining portion of the oxide layer and a portion of the conductive layer to form the fin.

摘要翻译： 一种在半导体器件中形成翅片的方法，包括：衬底，形成在衬底上的绝缘层和形成在绝缘层上的导电层，包括在导电层上形成碳层，并在碳层上形成掩模 。 该方法还包括蚀刻掩模和碳层以形成至少一种结构，其中结构具有第一宽度，将至少一个结构中的碳层的宽度减小到第二宽度，沉积氧化物层以围绕 至少一个结构，去除所述氧化物层和所述掩模的一部分，除去所述碳层以在所述至少一个结构中的每一个结构的氧化物层的剩余部分中形成开口，用导电材料填充所述至少一个开口 并且去除氧化物层的剩余部分和导电层的一部分以形成翅片。

公开(公告)号：US08222680B2

公开(公告)日：2012-07-17

申请号：US10274961

申请日：2002-10-22

申请人： Ming-Ren Lin ,  Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Cyrus E. Tabery ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Ming-Ren Lin ,  Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Cyrus E. Tabery ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818

摘要： A double gate metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) includes a fin, a first gate and a second gate. The first gate is formed on top of the fin. The second gate surrounds the fin and the first gate. In another implementation, a triple gate MOSFET includes a fin, a first gate, a second gate, and a third gate. The first gate is formed on top of the fin. The second gate is formed adjacent the fin. The third gate is formed adjacent the fin and opposite the second gate.

摘要翻译： 双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）包括鳍状物，第一栅极和第二栅极。 第一个门形成在鳍的顶部。 第二个门围绕翅片和第一个门。 在另一实施方案中，三栅极MOSFET包括鳍片，第一栅极，第二栅极和第三栅极。 第一个门形成在鳍的顶部。 第二个门形成在翅片附近。 第三栅极形成在翅片附近并与第二栅极相对。

公开(公告)号：US07781810B1

公开(公告)日：2010-08-24

申请号：US11538217

申请日：2006-10-03

申请人： Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L29/7855 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/78684

摘要： A device includes a fin, a first gate and a second gate. The first gate is formed adjacent a first side of the fin and includes a first layer of material having a first thickness and having an upper surface that is substantially co-planar with an upper surface of the fin. The second gate is formed adjacent a second side of the fin opposite the first side and includes a second layer of material having a second thickness and having an upper surface that is substantially co-planar with the upper surface of the fin, where the first thickness and the second thickness are substantially equal to a height of the fin.

摘要翻译： 一种装置包括鳍片，第一栅极和第二栅极。 第一门形成在鳍片的第一侧附近，并且包括具有第一厚度并且具有与鳍片的上表面基本共面的上表面的第一材料层。 所述第二浇口邻近所述翅片的与所述第一侧相对的第二侧形成，并且包括具有第二厚度并具有与所述翅片的上表面基本共面的上表面的第二材料层，其中所述第一厚度 并且第二厚度基本上等于翅片的高度。

公开(公告)号：US07250645B1

公开(公告)日：2007-07-31

申请号：US10761374

申请日：2004-01-22

申请人： Haihong Wang ,  Shibly S. Ahmed ,  Ming-Ren Lin ,  Bin Yu

发明人： Haihong Wang ,  Shibly S. Ahmed ,  Ming-Ren Lin ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L27/08

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842

摘要： A fin field effect transistor (FinFET) includes a reversed T-shaped fin. The FinFET further includes source and drain regions formed adjacent the reversed T-shaped fin. The FinFET further includes a dielectric layer formed adjacent surfaces of the fin and a gate formed adjacent the dielectric layer.

摘要翻译： 翅片场效应晶体管（FinFET）包括反转的T形翅片。 FinFET还包括邻近反转的T形翅片形成的源极和漏极区域。 FinFET还包括邻近散热片表面形成的电介质层和邻近电介质层形成的栅极。

公开(公告)号：US06995438B1

公开(公告)日：2006-02-07

申请号：US10674478

申请日：2003-10-01

申请人： Shibly S. Ahmed ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Shibly S. Ahmed ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795

摘要： A semiconductor device includes a substrate and an insulating layer formed on the substrate. A conductive fin may be formed on the insulating layer. Fully silicided source and drain regions may be formed adjacent to the fin. A metal gate may be formed over a portion of the fin via a damascene process.

摘要翻译： 半导体器件包括衬底和形成在衬底上的绝缘层。 可以在绝缘层上形成导电翅片。 完全硅化的源极和漏极区域可以形成在鳍片附近。 可以通过镶嵌工艺在鳍的一部分上形成金属栅极。

公开(公告)号：US06984569B2

公开(公告)日：2006-01-10

申请号：US10642916

申请日：2003-08-18

申请人： Olov B. Karlsson ,  HaiHong Wang ,  Bin Yu ,  Zoran Krivokapic ,  Qi Xiang

发明人： Olov B. Karlsson ,  HaiHong Wang ,  Bin Yu ,  Zoran Krivokapic ,  Qi Xiang

IPC分类号： H01L21/8224

CPC分类号： H01L29/7842 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/78654

摘要： A shallow trench isolation region formed in a layer of semiconductor material. The shallow trench isolation region includes a trench formed in the layer of semiconductor material, the trench being defined by sidewalls and a bottom; a liner within the trench formed from a high-K material, the liner conforming to the sidewalls and bottom of the trench; and a fill section made from isolating material, and disposed within and conforming to the high-K liner. A method of forming the shallow trench isolation region is also disclosed.

公开(公告)号：US06982464B2

公开(公告)日：2006-01-03

申请号：US10975473

申请日：2004-10-29

申请人： Krishnashree Achuthan ,  Shibly S. Ahmed ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Krishnashree Achuthan ,  Shibly S. Ahmed ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/3212 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681

摘要： A FinFET-type semiconductor device includes a fin structure on which a relatively thin amorphous silicon layer and then an undoped polysilicon layer is formed. The semiconductor device may be planarized using a chemical mechanical polishing (CMP) in which the amorphous silicon layer acts as a stop layer to prevent damage to the fin structure.

摘要翻译： FinFET型半导体器件包括翅片结构，其上形成相对薄的非晶硅层，然后形成未掺杂的多晶硅层。 半导体器件可以使用化学机械抛光（CMP）进行平面化，其中非晶硅层用作阻挡层以防止损坏鳍结构。