公开(公告)号：US08212253B2

公开(公告)日：2012-07-03

申请号：US13228182

申请日：2011-09-08

申请人： Chun-Feng Nieh ,  Keh-Chiang Ku ,  Nai-Han Cheng ,  Chi-Chun Chen ,  Li-Te S. Lin

发明人： Chun-Feng Nieh ,  Keh-Chiang Ku ,  Nai-Han Cheng ,  Chi-Chun Chen ,  Li-Te S. Lin

IPC分类号： H01L29/167 ,  H01L29/26 ,  H01L29/24 ,  H01L21/22

CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659

摘要： A semiconductor structure comprises a gate stack in a semiconductor substrate and a lightly doped source/drain (LDD) region in the semiconductor substrate. The LDD region is adjacent to a region underlying the gate stack. The LDD region comprises carbon and an n-type impurity, and the n-type impurity comprises phosphorus tetramer.

摘要翻译： 半导体结构包括半导体衬底中的栅极堆叠和半导体衬底中的轻掺杂源极/漏极（LDD）区域。 LDD区域与栅堆叠下方的区域相邻。 LDD区域包含碳和n型杂质，n型杂质包括磷四聚体。

公开(公告)号：US20100096705A1

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：US12253741

申请日：2008-10-17

申请人： Cheng-Lung Hung ,  Yong-Tian Hou ,  Keh-Chiang Ku ,  Chien-Hao Huang

发明人： Cheng-Lung Hung ,  Yong-Tian Hou ,  Keh-Chiang Ku ,  Chien-Hao Huang

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28088 ,  H01L21/265 ,  H01L21/268 ,  H01L21/32155 ,  H01L21/324 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： The present disclosure provides a method of fabricating a semiconductor device. The method includes forming a high-k dielectric layer over a semiconductor substrate, forming a capping layer over the high-k dielectric layer, forming a metal layer over the capping layer, forming a semiconductor layer over the metal layer, performing an implantation process on the semiconductor layer, the implantation process using a species including F, and forming a gate structure from the plurality of layers including the high-k dielectric layer, capping layer, metal layer, and semiconductor layer.

摘要翻译： 本公开提供了制造半导体器件的方法。 该方法包括在半导体衬底上形成高k电介质层，在高k电介质层上形成覆盖层，在覆盖层上形成金属层，在金属层上形成半导体层，对金属层进行注入工艺 半导体层，使用包括F的物质的注入工艺，以及从包括高k电介质层，覆盖层，金属层和半导体层的多个层形成栅极结构。

公开(公告)号：US07504292B2

公开(公告)日：2009-03-17

申请号：US11633721

申请日：2006-12-05

申请人： Keh-Chiang Ku ,  Pang-Yen Tsai ,  Chun-Feng Nieh ,  Li-Ting Wang

发明人： Keh-Chiang Ku ,  Pang-Yen Tsai ,  Chun-Feng Nieh ,  Li-Ting Wang

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/26586 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7848

摘要： A method for forming a semiconductor structure includes providing a semiconductor substrate, forming a gate stack on the semiconductor substrate, and epitaxially growing a lightly-doped source/drain (LDD) region adjacent the gate stack, wherein carbon is simultaneously doped into the LDD region.

摘要翻译： 一种用于形成半导体结构的方法包括提供半导体衬底，在半导体衬底上形成栅极堆叠，以及外围生长与栅堆叠相邻的轻掺杂源极/漏极（LDD）区域，其中碳同时掺杂到LDD区域 。

公开(公告)号：US07482211B2

公开(公告)日：2009-01-27

申请号：US11523274

申请日：2006-09-19

申请人： Chun-Feng Nieh ,  Chien-Hao Chen ,  Keh-Chiang Ku ,  Tze-Liang Lee ,  Shih-Chang Chen

发明人： Chun-Feng Nieh ,  Chien-Hao Chen ,  Keh-Chiang Ku ,  Tze-Liang Lee ,  Shih-Chang Chen

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： A method for forming a semiconductor device is provided. The method includes providing a semiconductor substrate, forming a gate dielectric over the semiconductor substrate, forming a gate electrode on the gate dielectric, forming a stressor in the semiconductor substrate adjacent an edge of the gate electrode, and implanting an impurity after the step of forming the stressor. The impurity is preferably selected from the group consisting essentially of group IV elements, inert elements, and combinations thereof.

摘要翻译： 提供一种形成半导体器件的方法。 该方法包括提供半导体衬底，在半导体衬底上形成栅极电介质，在栅极电介质上形成栅电极，在与栅电极的边缘相邻的半导体衬底中形成应力器，并在形成步骤之后注入杂质 压力源。 杂质优选选自基本上由IV族元素，惰性元素及其组合组成的组。

公开(公告)号：US20080290420A1

公开(公告)日：2008-11-27

申请号：US11805894

申请日：2007-05-25

申请人： Ming-Hua Yu ,  Tai-Chun Huang ,  Chien-Hao Chen ,  Keh-Chiang Ku ,  Jr.-Hung Li ,  Ling-Yen Yeh ,  Tze-Liang Lee

发明人： Ming-Hua Yu ,  Tai-Chun Huang ,  Chien-Hao Chen ,  Keh-Chiang Ku ,  Jr.-Hung Li ,  Ling-Yen Yeh ,  Tze-Liang Lee

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7846

摘要： A semiconductor structure includes a semiconductor substrate; an opening in the semiconductor substrate; a semiconductor layer in the opening and covering a bottom and sidewalls of the opening, wherein the semiconductor layer and the semiconductor substrate comprise different materials; and a dielectric material over the semiconductor layer and filling a remaining portion of the opening.

摘要翻译： 半导体结构包括半导体衬底; 半导体衬底中的开口; 所述开口中的半导体层覆盖所述开口的底部和侧壁，其中所述半导体层和所述半导体衬底包括不同的材料; 以及在所述半导体层上方的电介质材料，并填充所述开口的剩余部分。

公开(公告)号：US20070298557A1

公开(公告)日：2007-12-27

申请号：US11607326

申请日：2006-12-01

申请人： Chun-Feng Nieh ,  Keh-Chiang Ku ,  Chien-Hao Chen ,  Hsun Chang ,  Li-Ting Wang ,  Tze-Liang Lee

发明人： Chun-Feng Nieh ,  Keh-Chiang Ku ,  Chien-Hao Chen ,  Hsun Chang ,  Li-Ting Wang ,  Tze-Liang Lee

IPC分类号： H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/1083 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

摘要： A method for forming a semiconductor device is provided. The method includes providing a semiconductor substrate; forming a gate dielectric over the semiconductor substrate; forming a gate electrode on the gate dielectric; forming a stressor in the semiconductor substrate adjacent to an edge of the gate electrode; and tilt implanting an impurity after the step of forming the stressor. The impurity is preferably selected from the group consisting essentially of group IV elements, inert elements, and combinations thereof.

摘要翻译： 提供一种形成半导体器件的方法。 该方法包括：提供半导体衬底; 在所述半导体衬底上形成栅极电介质; 在栅极电介质上形成栅电极; 在所述半导体衬底中形成与所述栅电极的边缘相邻的应力源; 并且在形成应力器的步骤之后倾斜注入杂质。 杂质优选选自基本上由IV族元素，惰性元素及其组合组成的组。

公开(公告)号：US20140035087A1

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：US13565675

申请日：2012-08-02

申请人： Chia-Ying Liu ,  Keh-Chiang Ku ,  Wu-Zhang Yang

发明人： Chia-Ying Liu ,  Keh-Chiang Ku ,  Wu-Zhang Yang

IPC分类号： H01L31/02

CPC分类号： H01L27/1463 ,  H01L27/14689

摘要： Methods of forming isolation structures are disclosed. A method of forming isolation structures for an image sensor array of one aspect may include forming a dielectric layer over a semiconductor substrate. Narrow, tall dielectric isolation structures may be formed from the dielectric layer. The narrow, tall dielectric isolation structures may have a width that is no more than 0.3 micrometers and a height that is at least 1.5 micrometers. A semiconductor material may be epitaxially grown around the narrow, tall dielectric isolation structures. Other methods and apparatus are also disclosed.

摘要翻译： 公开了形成隔离结构的方法。 形成一个方面的图像传感器阵列的隔离结构的方法可以包括在半导体衬底上形成电介质层。 可以从电介质层形成窄的高介电隔离结构。 窄的高介电隔离结构可以具有不超过0.3微米的宽度和至少1.5微米的高度。 半导体材料可以围绕窄的高介电隔离结构外延生长。 还公开了其它方法和装置。

公开(公告)号：US07994051B2

公开(公告)日：2011-08-09

申请号：US12253741

申请日：2008-10-17

申请人： Cheng-Lung Hung ,  Yong-Tian Hou ,  Keh-Chiang Ku ,  Chien-Hao Huang

发明人： Cheng-Lung Hung ,  Yong-Tian Hou ,  Keh-Chiang Ku ,  Chien-Hao Huang

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/28088 ,  H01L21/265 ,  H01L21/268 ,  H01L21/32155 ,  H01L21/324 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： The present disclosure provides a method of fabricating a semiconductor device. The method includes forming a high-k dielectric layer over a semiconductor substrate, forming a capping layer over the high-k dielectric layer, forming a metal layer over the capping layer, forming a semiconductor layer over the metal layer, performing an implantation process on the semiconductor layer, the implantation process using a species including F, and forming a gate structure from the plurality of layers including the high-k dielectric layer, capping layer, metal layer, and semiconductor layer.

摘要翻译： 本公开提供了制造半导体器件的方法。 该方法包括在半导体衬底上形成高k电介质层，在高k电介质层上形成覆盖层，在覆盖层上形成金属层，在金属层上形成半导体层，对金属层进行注入工艺 半导体层，使用包括F的物质的注入工艺，以及从包括高k电介质层，覆盖层，金属层和半导体层的多个层形成栅极结构。

公开(公告)号：US20100105185A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：US12259028

申请日：2008-10-27

申请人： Keh-Chiang Ku ,  Cheng-Lung Hung ,  Li-Ting Wang ,  Chien-Hao Chen ,  Chien-Hao Huang ,  Wenli Lin ,  Yu-Chang Lin

发明人： Keh-Chiang Ku ,  Cheng-Lung Hung ,  Li-Ting Wang ,  Chien-Hao Chen ,  Chien-Hao Huang ,  Wenli Lin ,  Yu-Chang Lin

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/28052 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28506 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： A method for forming a semiconductor structure includes providing a semiconductor substrate; forming a gate dielectric layer over the semiconductor substrate; forming a gate electrode layer over the gate dielectric layer; doping carbon and nitrogen into the gate electrode layer; and, after the step of doping carbon and nitrogen, patterning the gate dielectric layer and the gate electrode layer to form a gate dielectric and a gate electrode, respectively.

摘要翻译： 一种形成半导体结构的方法包括提供半导体衬底; 在所述半导体衬底上形成栅介电层; 在所述栅极电介质层上形成栅电极层; 将碳和氮掺杂到栅电极层中; 并且在掺杂碳和氮的步骤之后，分别构图栅极电介质层和栅极电极层以形成栅极电介质和栅电极。

公开(公告)号：US20100013029A1

公开(公告)日：2010-01-21

申请号：US12176133

申请日：2008-07-18

申请人： Harry Chuang ,  Hung-Chih Tsai ,  Keh-Chiang Ku ,  Kong-Beng Thei ,  Mong Song Liang

发明人： Harry Chuang ,  Hung-Chih Tsai ,  Keh-Chiang Ku ,  Kong-Beng Thei ,  Mong Song Liang

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L29/4983 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28525 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848

摘要： A device and a method for forming a metal silicide is presented. A device, which includes a gate region, a source region, and a drain region, is formed on a substrate. A metal is disposed on the substrate, followed by a first anneal, forming a metal silicide on at least one of the gate region, the source region, and the drain region. The unreacted metal is removed from the substrate. The metal silicide is implanted with atoms. The implant is followed by a super anneal of the substrate.

摘要翻译： 提出了一种用于形成金属硅化物的器件和方法。 在基板上形成包括栅极区域，源极区域和漏极区域的器件。 在基板上设置金属，接着进行第一退火，在栅极区域，源极区域和漏极区域中的至少一个上形成金属硅化物。 将未反应的金属从基材上除去。 金属硅化物被注入原子。 植入物之后是衬底的超退火。