公开(公告)号：US20100019292A1

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：US12461992

申请日：2009-08-31

申请人： Sang-Yong Kim ,  Ji-Hoon Cha ,  Woo-Gwan Shim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi

发明人： Sang-Yong Kim ,  Ji-Hoon Cha ,  Woo-Gwan Shim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi

IPC分类号： H01L29/78 ,  C09K13/00 ,  C09K13/02 ,  C09K13/04 ,  C09K13/08 ,  C09K13/06

CPC分类号： H01L21/32134 ,  C09K13/02 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： A transistor having a metal nitride layer pattern, etchant and methods of forming the same is provided. A gate insulating layer and/or a metal nitride layer may be formed on a semiconductor substrate. A mask layer may be formed on the metal nitride layer. Using the mask layer as an etching mask, an etching process may be performed on the metal nitride layer, forming the metal nitride layer pattern. An etchant, which may have an oxidizing agent, a chelate agent and/or a pH adjusting mixture, may perform the etching. The methods may reduce etching damage to a gate insulating layer under the metal nitride layer pattern during the formation of a transistor.

摘要翻译： 提供具有金属氮化物层图案的晶体管，蚀刻剂及其形成方法。 可以在半导体衬底上形成栅极绝缘层和/或金属氮化物层。 掩模层可以形成在金属氮化物层上。 使用掩模层作为蚀刻掩模，可以对金属氮化物层进行蚀刻处理，形成金属氮化物层图案。 可以具有氧化剂，螯合剂和/或pH调节混合物的蚀刻剂可以进行蚀刻。 在形成晶体管期间，这些方法可以减少金属氮化物层图案下的栅极绝缘层的蚀刻损伤。

公开(公告)号：US20090023265A1

公开(公告)日：2009-01-22

申请号：US12243728

申请日：2008-10-01

申请人： CHANG-SUP MUN ,  Hyung-Ho Ko ,  Woo-Gwan Shim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi

发明人： CHANG-SUP MUN ,  Hyung-Ho Ko ,  Woo-Gwan Shim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/31111 ,  H01L21/76224 ,  H01L28/40

摘要： Provided are an anionic surfactant-containing etching solution for removal of an oxide film, preparation methods thereof, and methods of fabricating a semiconductor device using the etching solution. The etching solution includes a hydrofluoric acid (HF), deionized water, and an anionic surfactant. The anionic surfactant is a compound in which an anime salt is added as a counter ion, as represented by R1—OSO3−HA+, R1—CO2−HA+,R1—PO42—(HA+)2,(R1)2—PO4—HA+, or R1—SO3—HA+ where R1 is a straight or branched hydrocarbon group of C4 to C22 and A is ammonia or amine. The etching solution provides a high etching selectivity ratio of an oxide film to a nitride film or a polysilicon film. Therefore, in a semiconductor device fabrication process such as a STI device isolation process or a capacitor formation process, when an oxide film is exposed together with a nitride film or a polysilicon film, the etching solution can be efficiently used in selectively removing only the oxide film.

摘要翻译： 提供了一种用于去除氧化膜的含阴离子表面活性剂的蚀刻溶液，其制备方法以及使用该蚀刻溶液制造半导体器件的方法。 蚀刻溶液包括氢氟酸（HF），去离子水和阴离子表面活性剂。 阴离子表面活性剂是其中以R1-OSO3-HA +，R1-CO2-HA +，R1-PO42-（HA +）2，（R1）2-PO4-HA + 或R1-SO3-HA +，其中R1是C4至C22的直链或支链烃基，A是氨或胺。 蚀刻溶液提供氧化膜与氮化物膜或多晶硅膜的高蚀刻选择性比。 因此，在诸如STI器件隔离处理或电容器形成工艺的半导体器件制造工艺中，当氧化物膜与氮化物膜或多晶硅膜一起暴露时，可以有效地使用蚀刻溶液来仅选择性地除去氧化物 电影。

公开(公告)号：US07322385B2

公开(公告)日：2008-01-29

申请号：US11158912

申请日：2005-06-22

申请人： Sang-Yong Kim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi ,  Woo-Gwan Shim

发明人： Sang-Yong Kim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi ,  Woo-Gwan Shim

IPC分类号： B65B1/04

CPC分类号： H01L21/67051 ,  H01L21/67034

摘要： An apparatus for drying a substrate using the Marangoni effect is disclosed. The apparatus includes a rotatable supporting portion on which a substrate is placed. A first nozzle for supplying de-ionized water and a second nozzle for supplying isopropyl alcohol vapor are provided on the supporting portion. When the isopropyl alcohol vapor is supplied to the center of the substrate at the initial stage, the amount of alcohol that reaches the substrate is controlled by a controlling portion such that the amount of the second liquid gradually increases.

摘要翻译： 公开了一种使用Marangoni效应对基板进行干燥的装置。 该装置包括可旋转的支撑部分，放置基板。 用于提供去离子水的第一喷嘴和用于提供异丙醇蒸气的第二喷嘴设置在支撑部分上。 当在初始阶段将异丙醇蒸汽供应到基材的中心时，通过控制部分控制到达基板的醇的量，使得第二液体的量逐渐增加。

公开(公告)号：US20060172907A1

公开(公告)日：2006-08-03

申请号：US11341412

申请日：2006-01-30

申请人： Sang-Yong Kim ,  Ji-Hoon Cha ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi ,  Woo-Gwan Shim ,  Kui-Jong Baek ,  Sung-Bae Kim ,  Hyun-Tak Kim ,  Sang-Won Lee ,  Woong Han ,  Jung-Hun Lim

发明人： Sang-Yong Kim ,  Ji-Hoon Cha ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi ,  Woo-Gwan Shim ,  Kui-Jong Baek ,  Sung-Bae Kim ,  Hyun-Tak Kim ,  Sang-Won Lee ,  Woong Han ,  Jung-Hun Lim

IPC分类号： C11D7/32

CPC分类号： C11D3/042 ,  C11D3/30 ,  C11D3/33 ,  C11D7/08 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3245 ,  C11D11/0047

摘要： According to an example embodiment of the present invention, the microelectronic cleaning agent may include a fluoride component, an acid component, a chelating agent, a surfactant and water. Example embodiments of the present invention provide a microelectronic cleaning agent which can selectively remove, for example, a high-k dielectric layer. The microelectronic cleaning agent includes from about 0.001 weight % to about 10 weight % of a fluoride component, from about 0.001 weight % to about 30 weight % of an acid component, from about 0.001 weight % to about 20 weight % of a chelating agent, from about 0.001 weight % to about 10 weight % of a surfactant, and water (H2O). The water may comprise the remainder of the cleaning agent. According to another embodiment of the present invention, a method of fabricating a semiconductor device using the microelectronic cleaning agent is also provided.

摘要翻译： 根据本发明的示例性实施方案，微电子清洗剂可以包括氟化物组分，酸组分，螯合剂，表面活性剂和水。 本发明的示例性实施方案提供了可以选择性地除去例如高k电介质层的微电子清洁剂。 微电子清洁剂包括约0.001重量％至约10重量％的氟化物组分，约0.001重量％至约30重量％的酸组分，约0.001重量％至约20重量％的螯合剂， 约0.001重量％至约10重量％的表面活性剂和水（H 2 O 2）。 水可以包括剩余的清洁剂。 根据本发明的另一实施例，还提供了使用微电子清洁剂制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：US20060042722A1

公开(公告)日：2006-03-02

申请号：US11158912

申请日：2005-06-22

申请人： Sang-Yong Kim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi ,  Woo-Gwan Shim

发明人： Sang-Yong Kim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi ,  Woo-Gwan Shim

IPC分类号： B65B1/04

CPC分类号： H01L21/67051 ,  H01L21/67034

摘要： An apparatus for drying a substrate using the Marangoni effect is disclosed. The apparatus includes a rotatable supporting portion on which a substrate is placed. A first nozzle for supplying de-ionized water and a second nozzle for supplying isopropyl alcohol vapor are provided on the supporting portion. When the isopropyl alcohol vapor is supplied to the center of the substrate at the initial stage, the amount of alcohol that reaches the substrate is controlled by a controlling portion such that the amount of the second liquid gradually increases.

摘要翻译： 公开了一种使用Marangoni效应对基板进行干燥的装置。 该装置包括可旋转的支撑部分，放置基板。 用于提供去离子水的第一喷嘴和用于提供异丙醇蒸气的第二喷嘴设置在支撑部分上。 当在初始阶段将异丙醇蒸汽供应到基材的中心时，通过控制部分控制到达基板的醇的量，使得第二液体的量逐渐增加。

公开(公告)号：US07435644B2

公开(公告)日：2008-10-14

申请号：US11329577

申请日：2006-01-11

申请人： Woo-Gwan Shim ,  Jung-Min Oh ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi ,  Sang-Yong Kim

发明人： Woo-Gwan Shim ,  Jung-Min Oh ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi ,  Sang-Yong Kim

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10852

摘要： Provided is a method of manufacturing a capacitor of a semiconductor device, which can prevent tilting or an electrical short of a lower electrode. In the method, a mesh-type bridge insulating layer is formed above the contact plug on a mold oxide layer. The mold oxide layer and the bridge insulating layer are etched to define an electrode region. The mold oxide layer is removed using an etching gas having an etch selectivity of 500 or greater for the mold oxide layer with respect to the bridge insulating layer.

摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的电容器的方法，其可以防止下电极的倾斜或电短路。 在该方法中，在模具氧化物层上的接触插塞上方形成网状桥接绝缘层。 蚀刻模具氧化物层和桥接绝缘层以限定电极区域。 使用相对于桥接绝缘层的模具氧化物层的蚀刻选择性为500以上的蚀刻气体去除模具氧化物层。

公开(公告)号：US20060189148A1

公开(公告)日：2006-08-24

申请号：US11358082

申请日：2006-02-22

申请人： Sang-Yong Kim ,  Ji-Hoon Cha ,  Woo-Gwan Shim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi

发明人： Sang-Yong Kim ,  Ji-Hoon Cha ,  Woo-Gwan Shim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi

IPC分类号： H01L21/302 ,  C09K13/00 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01L21/32134 ,  C09K13/02 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： A transistor having a metal nitride layer pattern, etchant and methods of forming the same is provided. A gate insulating layer and/or a metal nitride layer may be formed on a semiconductor substrate. A mask layer may be formed on the metal nitride layer. Using the mask layer as an etching mask, an etching process may be performed on the metal nitride layer, forming the metal nitride layer pattern. An etchant, which may have an oxidizing agent, a chelate agent and/or a pH adjusting mixture, may perform the etching. The methods may reduce etching damage to a gate insulating layer under the metal nitride layer pattern during the formation of a transistor.

摘要翻译： 提供具有金属氮化物层图案的晶体管，蚀刻剂及其形成方法。 可以在半导体衬底上形成栅极绝缘层和/或金属氮化物层。 掩模层可以形成在金属氮化物层上。 使用掩模层作为蚀刻掩模，可以对金属氮化物层进行蚀刻处理，形成金属氮化物层图案。 可以具有氧化剂，螯合剂和/或pH调节混合物的蚀刻剂可以进行蚀刻。 在形成晶体管期间，这些方法可以减少金属氮化物层图案下的栅极绝缘层的蚀刻损伤。

公开(公告)号：US20060183297A1

公开(公告)日：2006-08-17

申请号：US11130030

申请日：2005-05-16

申请人： Chang-Sup Mun ,  Hyung-Ho Ko ,  Woo-Gwan Shim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi

发明人： Chang-Sup Mun ,  Hyung-Ho Ko ,  Woo-Gwan Shim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/302 ,  H01L21/46

CPC分类号： H01L21/31111 ,  H01L21/76224 ,  H01L28/40

摘要： Provided are an anionic surfactant-containing etching solution for removal of an oxide film, preparation methods thereof, and methods of fabricating a semiconductor device using the etching solution. The etching solution includes a hydrofluoric acid (HF), deionized water, and an anionic surfactant. The anionic surfactant is a compound in which an anime salt is added as a counter ion, as represented by R1—OSO3−HA+, R1—CO2−HA+, R1—PO42−(HA+)2, (R1)2—PO4−HA+, or R1—SO3−HA+ where R1 is a straight or branched hydrocarbon group of C4 to C22 and A is ammonia or amine. The etching solution provides a high etching selectivity ratio of an oxide film to a nitride film or a polysilicon film. Therefore, in a semiconductor device fabrication process such as a STI device isolation process or a capacitor formation process, when an oxide film is exposed together with a nitride film or a polysilicon film, the etching solution can be efficiently used in selectively removing only the oxide film.

摘要翻译： 提供了一种用于去除氧化膜的含阴离子表面活性剂的蚀刻溶液，其制备方法以及使用该蚀刻溶液制造半导体器件的方法。 蚀刻溶液包括氢氟酸（HF），去离子水和阴离子表面活性剂。 阴离子表面活性剂是其中加入作为抗衡离子的动物盐的化合物，如R 1〜N 3 O 3 - R 1，R 2，R 1，R 1，...，R 1， （R 1）2 - - - - - （4）其中R 1，R 2， / SUB>）2 + 或 其中R 1是C 4的直链或支链烃基，其中R 1是直链或支链C 1 -C 4烷基， C 22和A是氨或胺。 蚀刻溶液提供氧化膜与氮化物膜或多晶硅膜的高蚀刻选择性比。 因此，在诸如STI器件隔离处理或电容器形成工艺的半导体器件制造工艺中，当氧化物膜与氮化物膜或多晶硅膜一起暴露时，可以有效地使用蚀刻溶液来仅选择性地除去氧化物 电影。

公开(公告)号：US20050074948A1

公开(公告)日：2005-04-07

申请号：US10949426

申请日：2004-09-24

申请人： Hyung-Ho Ko ,  Woo-Gwan Shim ,  Yu-Kyung Kim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi

发明人： Hyung-Ho Ko ,  Woo-Gwan Shim ,  Yu-Kyung Kim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L21/76224

摘要： In a method of manufacturing a shallow trench isolation (STI) structure using a HF vapor etching process according to some embodiments of the invention, a trench is formed in a semiconductor substrate. A buffer layer and a first insulating layer, which fill the trench, are formed. A portion of the first insulating layer is removed by performing an etching process using HF vapor, thereby removing a void existing in the first insulating layer. A second insulating layer filling the trench is formed on the etched first insulating layer. Other embodiments of the invention are described and claimed.

摘要翻译： 在根据本发明的一些实施例的使用HF蒸汽蚀刻工艺制造浅沟槽隔离（STI）结构的方法中，在半导体衬底中形成沟槽。 形成填充沟槽的缓冲层和第一绝缘层。 通过使用HF蒸气进行蚀刻处理来去除第一绝缘层的一部分，从而去除存在于第一绝缘层中的空隙。 在蚀刻的第一绝缘层上形成填充沟槽的第二绝缘层。 描述和要求保护本发明的其它实施例。

公开(公告)号：US20050260830A1

公开(公告)日：2005-11-24

申请号：US11089208

申请日：2005-03-24

申请人： Doo-Won Kwon ,  Hyung-Ho Ko ,  Chang-Sup Mun ,  Woo-Gwan Shim ,  Im-Soo Park ,  Yu-Kyung Kim ,  Jeong-Nam Han

发明人： Doo-Won Kwon ,  Hyung-Ho Ko ,  Chang-Sup Mun ,  Woo-Gwan Shim ,  Im-Soo Park ,  Yu-Kyung Kim ,  Jeong-Nam Han

IPC分类号： H01L21/304 ,  C30B1/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/306 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L21/02052

摘要： This invention provides methods of fabricating semiconductor devices, wherein an alloy layer is formed on a semiconductor substrate to form a substrate structure, which methods include using an aqueous solution diluted ammonia and peroxide mixture (APM) to perform cleaning and/or wet etching treatment steps on the substrate structure.

摘要翻译： 本发明提供制造半导体器件的方法，其中在半导体衬底上形成合金层以形成衬底结构，该方法包括使用稀氨水溶液和过氧化物混合物（APM）进行清洗和/或湿蚀刻处理步骤 在衬底结构上。