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    Method of forming a semiconductor device having a metal layer
    22.
    发明授权
    Method of forming a semiconductor device having a metal layer 有权
    形成具有金属层的半导体器件的方法

    公开(公告)号：US07208424B2

    公开(公告)日：2007-04-24

    申请号：US10943383

    申请日：2004-09-17

    申请人： Tab A. Stephens ,  Brian J. Goolsby ,  Bich-Yen Nguyen ,  Voon-Yew Thean

    发明人： Tab A. Stephens ,  Brian J. Goolsby ,  Bich-Yen Nguyen ,  Voon-Yew Thean

    IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

    CPC分类号： H01L21/28088 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/785 ,  Y10S438/963

    摘要： A metal layer is formed over a metal oxide, where the metal oxide is formed over a semiconductor substrate. A predetermined critical dimension of the metal layer is determined. A first etch is performed to etch the metal layer down to the metal oxide and form footings at the sidewalls of the metal layer. A second etch to remove the footings to target a predetermined critical dimension, wherein the second etch is selective to the metal oxide. In one embodiment, a conductive layer is formed over the metal layer. The bulk of the conductive layer may be etched leaving a portion in contact with the metal layer. Next, the portion left in contact with the metal layer may be etched using chemistry selective to the metal layer.

    摘要翻译： 在金属氧化物之上形成金属层，其中在半导体衬底上形成金属氧化物。 确定金属层的预定临界尺寸。 执行第一蚀刻以将金属层向下蚀刻到金属氧化物并在金属层的侧壁处形成基脚。 用于移除基脚以靶向预定临界尺寸的第二蚀刻，其中第二蚀刻对金属氧化物是选择性的。 在一个实施例中，在金属层上形成导电层。 可以蚀刻导电层的主体，留下与金属层接触的部分。 接下来，可以使用化学选择性地蚀刻与金属层接触的部分。

    Method for making a semiconductor device with strain enhancement
    23.
    发明申请
    Method for making a semiconductor device with strain enhancement 有权
    制造具有应变增强的半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20060228863A1

    公开(公告)日：2006-10-12

    申请号：US11092291

    申请日：2005-03-29

    申请人： Da Zhang ,  Bich-Yen Nguyen ,  Voon-Yew Thean ,  Yasuhito Shiho ,  Veer Dhandapani

    发明人： Da Zhang ,  Bich-Yen Nguyen ,  Voon-Yew Thean ,  Yasuhito Shiho ,  Veer Dhandapani

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636

    摘要： A semiconductor device with strain enhancement is formed by providing a semiconductor substrate and an overlying control electrode having a sidewall. An insulating layer is formed adjacent the sidewall of the control electrode. The semiconductor substrate and the control electrode are implanted to form first and second doped current electrode regions, a portion of each of the first and second doped current electrode regions being driven to underlie both the insulating layer and the control electrode in a channel region of the semiconductor device. The first and second doped current electrode regions are removed from the semiconductor substrate except for underneath the control electrode and the insulating layer to respectively form first and second trenches. An insitu doped material containing a different lattice constant relative to the semiconductor substrate is formed within the first and second trenches to function as first and second current electrodes of the semiconductor device.

    摘要翻译： 通过提供半导体衬底和具有侧壁的上覆控制电极来形成具有应变增强的半导体器件。 在控制电极的侧壁附近形成绝缘层。 注入半导体衬底和控制电极以形成第一和第二掺杂电流电极区域，第一和第二掺杂电流电极区域中的每一个的一部分被驱动以在第一和第二掺杂电流电极区域的沟道区域中的绝缘层和控制电极之下 半导体器件。 第一和第二掺杂电流电极区域除了在控制电极和绝缘层之下除去分别形成第一和第二沟槽的半导体衬底外。 在第一沟槽和第二沟槽内形成含有相对于半导体衬底的不同晶格常数的原位掺杂材料，用作半导体器件的第一和第二电流电极。

    Transistor fabrication using double etch/refill process
    24.
    发明申请
    Transistor fabrication using double etch/refill process 有权
    使用双重蚀刻/补充工艺的晶体管制造

    公开(公告)号：US20060228842A1

    公开(公告)日：2006-10-12

    申请号：US11101354

    申请日：2005-04-07

    申请人： Da Zhang ,  Jing Liu ,  Bich-Yen Nguyen ,  Voon-Yew Thean ,  Ted White

    发明人： Da Zhang ,  Jing Liu ,  Bich-Yen Nguyen ,  Voon-Yew Thean ,  Ted White

    IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L21/20

    CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636

    摘要： A semiconductor fabrication process includes forming a gate electrode (120) overlying a gate dielectric (110) overlying a semiconductor substrate (102). First spacers (124) are formed on sidewalls of the gate electrode (120). First s/d trenches (130) are formed in the substrate (102) using the gate electrode (120) and first spacers (124) as a mask. The first s/d trenches (130) are filled with a first s/d structure (132). Second spacers (140) are formed on the gate electrode (120) sidewalls adjacent the first spacers (124). Second s/d trenches (150) are formed in the substrate (102) using the gate electrode (120) and the second spacers (140) as a mask. The second s/d trenches (150) are filled with a second s/d structure (152). Filling the first and second s/d trenches (130, 150) preferably includes growing the s/d structures using an epitaxial process. The s/d structures (132, 152) may be stress inducing structures such as silicon germanium for PMOS transistors and silicon carbon for NMOS transistors.

    摘要翻译： 半导体制造工艺包括形成覆盖在半导体衬底（102）上的栅电介质（110）上的栅电极（120）。 第一间隔物（124）形成在栅电极（120）的侧壁上。 使用栅电极（120）和第一间隔物（124）作为掩模，在基板（102）中形成第一s / d沟槽（130）。 第一s / d沟槽（130）填充有第一s / d结构（132）。 第二间隔物（140）形成在邻近第一间隔物（124）的栅电极（120）侧壁上。 使用栅电极（120）和第二间隔物（140）作为掩模，在衬底（102）中形成第二s / d沟槽（150）。 第二s / d沟槽（150）填充有第二s / d结构（152）。 填充第一和第二s / d沟槽（130,150）优选地包括使用外延工艺来生长s / d结构。 s / d结构（132,152）可以是应力诱导结构，例如用于PMOS晶体管的硅锗和用于NMOS晶体管的硅碳。

    Method of manufacturing SOI template layer
    25.
    发明授权
    Method of manufacturing SOI template layer 有权
    制造SOI模板层的方法

    公开(公告)号：US07029980B2

    公开(公告)日：2006-04-18

    申请号：US10670928

    申请日：2003-09-25

    申请人： Chun-Li Liu ,  Marius K. Orlowski ,  Matthew W. Stoker ,  Philip J. Tobin ,  Mariam G. Sadaka ,  Alexander L. Barr ,  Bich-Yen Nguyen ,  Voon-Yew Thean ,  Shawn G. Thomas ,  Ted R. White

    发明人： Chun-Li Liu ,  Marius K. Orlowski ,  Matthew W. Stoker ,  Philip J. Tobin ,  Mariam G. Sadaka ,  Alexander L. Barr ,  Bich-Yen Nguyen ,  Voon-Yew Thean ,  Shawn G. Thomas ,  Ted R. White

    IPC分类号： H01L21/331

    CPC分类号： H01L29/161 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L29/1054 ,  Y10S438/933

    摘要： A vacancy injecting process for injecting vacancies in template layer material of an SOI substrate. The template layer material has a crystalline structure that includes, in some embodiments, both germanium and silicon atoms. A strained silicon layer is then epitaxially grown on the template layer material with the beneficial effects that straining has on electron and hole mobility. The vacancy injecting process is performed to inject vacancies and germanium atoms into the crystalline structure wherein germanium atoms recombine with the vacancies. One embodiment, a nitridation process is performed to grow a nitride layer on the template layer material and consume silicon in a way that injects vacancies in the crystalline structure while also allowing germanium atoms to recombine with the vacancies. Other examples of a vacancy injecting processes include silicidation processes, oxynitridation processes, oxidation processes with a chloride bearing gas, or inert gas post bake processes subsequent to an oxidation process.

    摘要翻译： 用于在SOI衬底的模板层材料中注入空位的空位注入工艺。 模板层材料具有在一些实施方案中包括锗和硅原子的晶体结构。 然后在模板层材料上外延生长应变硅层，具有应力对电子和空穴迁移率的有益效果。 进行空位注入处理以将空位和锗原子注入晶格结构中，其中锗原子与空位重新组合。 一个实施方案中，进行氮化处理以在模板层材料上生长氮化物层，并以注入晶体结构中的空位并且还允许锗原子与空位复合的方式消耗硅。 空位注入方法的其它实例包括硅化工艺，氧氮化工艺，含氯化物气体的氧化工艺或氧化工艺之后的惰性气体后烘烤工艺。

    Graded semiconductor layer
    26.
    发明申请
    Graded semiconductor layer 有权
    分级半导体层

    公开(公告)号：US20060040433A1

    公开(公告)日：2006-02-23

    申请号：US10919952

    申请日：2004-08-17

    申请人： Mariam Sadaka ,  Shawn Thomas ,  Ted White ,  Chun-Li Liu ,  Alexander Barr ,  Bich-Yen Nguyen ,  Voon-Yew Thean

    发明人： Mariam Sadaka ,  Shawn Thomas ,  Ted White ,  Chun-Li Liu ,  Alexander Barr ,  Bich-Yen Nguyen ,  Voon-Yew Thean

    IPC分类号： H01L21/84

    CPC分类号： H01L29/78687 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66742

    摘要： A process for forming a semiconductor device. The process includes forming a template layer for forming a layer of strained silicon. In one example a layer of graded silicon germanium is formed where the germanium is at a higher concentration at the lower portion and at a lower concentration at a top portion. When subject to a condensation process, the germanium of the top portion of the layer diffuses to a remaining portion of the silicon germanium layer. Because the silicon germanium layer has a higher concentration of germanium at lower portions, germanium pile up after condensation may be reduced at the upper portion of the remaining portion of the silicon germanium layer.

    摘要翻译： 一种形成半导体器件的方法。 该方法包括形成用于形成应变硅层的模板层。 在一个示例中，形成梯度硅锗层，其中锗在下部处具有较高的浓度，在顶部处的浓度较低。 当进行冷凝处理时，层的顶部的锗扩散到硅锗层的剩余部分。 由于硅锗层在下部具有较高的锗浓度，所以在硅锗层的剩余部分的上部可以减少在冷凝后堆积的锗。

    Electronic devices including a semiconductor layer
    29.
    发明授权
    Electronic devices including a semiconductor layer 有权
    包括半导体层的电子器件

    公开(公告)号：US07821067B2

    公开(公告)日：2010-10-26

    申请号：US11836844

    申请日：2007-08-10

    申请人： Voon-Yew Thean ,  Brian J. Goolsby ,  Linda B. McCormick ,  Bich-Yen Nguyen ,  Colita M. Parker ,  Mariam G. Sadaka ,  Victor H. Vartanian ,  Ted R. White ,  Melissa O. Zavala

    发明人： Voon-Yew Thean ,  Brian J. Goolsby ,  Linda B. McCormick ,  Bich-Yen Nguyen ,  Colita M. Parker ,  Mariam G. Sadaka ,  Victor H. Vartanian ,  Ted R. White ,  Melissa O. Zavala

    IPC分类号： H01L21/84

    CPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/1203

    摘要： An electronic device can include a first semiconductor portion and a second semiconductor portion, wherein the compositions of the first and second semiconductor portions are different from each other. In one embodiment, the first and second semiconductor portions can have different stresses compared to each other. In one embodiment, the electronic device may be formed by forming an oxidation mask over the first semiconductor portion. A second semiconductor layer can be formed over the second semiconductor portion of the first semiconductor layer and have a different composition compared to the first semiconductor layer. An oxidation can be performed, and a concentration of a semiconductor element (e.g., germanium) within the second portion of the first semiconductor layer can be increased. In another embodiment, a selective condensation may be performed, and a field isolation region can be formed between the first and second portions of the first semiconductor layer.

    摘要翻译： 电子设备可以包括第一半导体部分和第二半导体部分，其中第一半导体部分和第二半导体部分的组成彼此不同。 在一个实施例中，第一和第二半导体部分可以具有彼此不同的应力。 在一个实施例中，可以通过在第一半导体部分上形成氧化掩模来形成电子器件。 可以在第一半导体层的第二半导体部分上形成第二半导体层，并且与第一半导体层相比具有不同的组成。 可以进行氧化，并且可以增加第一半导体层的第二部分内的半导体元素（例如锗）的浓度。 在另一个实施例中，可以执行选择性冷凝，并且可以在第一半导体层的第一和第二部分之间形成场隔离区。

    Structure and method for strained transistor directly on insulator
    30.
    发明授权
    Structure and method for strained transistor directly on insulator 有权
    应变晶体管直接在绝缘体上的结构和方法

    公开(公告)号：US07781839B2

    公开(公告)日：2010-08-24

    申请号：US11694273

    申请日：2007-03-30

    申请人： Voon-Yew Thean ,  Bich-Yen Nguyen

    发明人： Voon-Yew Thean ,  Bich-Yen Nguyen

    IPC分类号： H01L27/092

    CPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/7842

    摘要： A semiconductor device (10) comprising a substrate (12) and an oxide layer (14) formed over the substrate is provided. The semiconductor device further includes a first semiconductor layer (16) having a first lattice constant formed directly over the oxide layer. The semiconductor device further includes a second semiconductor layer (26) having a second lattice constant formed directly over the first semiconductor layer, wherein the second lattice constant is different from the first lattice constant.

    摘要翻译： 提供一种半导体器件（10），其包括衬底（12）和形成在衬底上的氧化物层（14）。 半导体器件还包括具有直接形成在氧化物层上的第一晶格常数的第一半导体层（16）。 半导体器件还包括具有直接形成在第一半导体层上的第二晶格常数的第二半导体层（26），其中第二晶格常数不同于第一晶格常数。