公开(公告)号：US06542237B1

公开(公告)日：2003-04-01

申请号：US09520630

申请日：2000-03-07

申请人： Suigen Kyoh ,  Iwao Higashikawa ,  Soichi Inoue

发明人： Suigen Kyoh ,  Iwao Higashikawa ,  Soichi Inoue

IPC分类号： G01B1100

CPC分类号： G03F9/7003

摘要： An exposure method forms a plurality of patterns on a substrate, which is set on a stage of an exposure apparatus, through at least one mask. The method equalizes first positional linear error components of a pattern to be formed by the mask on a first coordinate system defined on the substrate to second positional linear error components of the pattern on a second coordinate system on which the stage is moved, by correcting coordinates for moving the stage on the second coordinate system. The method is capable of aligning the boundaries of patterns with each other on the substrate, to leave only positional linear error components on the patterns. These positional linear error components are removable to leave minimum random residual errors on the patterns, and therefore, the patterns on the substrate are precisely at specified positions.

摘要翻译： 曝光方法通过至少一个掩模在设置在曝光装置的台上的基板上形成多个图案。 该方法通过在基板上定义的第一坐标系上的掩模形成的图案的第一位置线性误差分量与移动台上的第二坐标系上的图案的第二位置线性误差分量相等， 用于在第二坐标系上移动舞台。 该方法能够使衬底上的图案的边界彼此对准，从而在图案上仅留下位置线性误差分量。 这些位置线性误差分量是可去除的，以在图案上留下最小的随机残留误差，因此衬底上的图案精确地在指定位置。

公开(公告)号：US08285412B2

公开(公告)日：2012-10-09

申请号：US12480355

申请日：2009-06-08

申请人： Suigen Kyoh

发明人： Suigen Kyoh

IPC分类号： G06F19/00

CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device production control method includes monitoring, after a production process of a semiconductor device, a process result at a predetermined position of a pattern to which the process is applied, to obtain a deviation with respect to a predetermined target result, quantitatively obtaining a degree of influence on an operation of a semiconductor device from the deviation of the process result, and comparing the degree of influence that is quantitatively obtained with a predetermined allowable margin for operation specifications of the semiconductor device.

摘要翻译： 半导体器件制造控制方法包括在半导体器件的制造处理之后，在施加了该工艺的图案的预定位置处监视处理结果，以获得相对于预定目标结果的偏差，定量获得 根据处理结果的偏差对半导体器件的操作产生的影响程度，并将定量获得的影响程度与半导体器件的操作规范的预定允许余量进行比较。

公开(公告)号：US08230379B2

公开(公告)日：2012-07-24

申请号：US11874601

申请日：2007-10-18

申请人： Sachiko Kobayashi ,  Suigen Kyoh

发明人： Sachiko Kobayashi ,  Suigen Kyoh

IPC分类号： G06F17/32

CPC分类号： G06F17/5081

摘要： A design layout generating method for generating a design pattern of a semiconductor integrated circuit is disclosed. This method comprises modifying a first modification area extracted from a design layout by a first modifying method, and modifying a second modification area extracted from the design layout so as to include the first modification area by a second modifying method on the basis of a pattern modifying guideline calculated from at least a partial design layout in the second modification area.

摘要翻译： 公开了一种用于产生半导体集成电路的设计图案的设计布局生成方法。 该方法包括：通过第一修改方法修改从设计布局提取的第一修改区域，以及修改从设计布局提取的第二修改区域，以便通过基于模式修改的第二修改方法来包括第一修改区域 从第二修改区域中的至少部分设计布局计算出的准则。

公开(公告)号：US08227151B2

公开(公告)日：2012-07-24

申请号：US12868779

申请日：2010-08-26

申请人： Ryoichi Inanami ,  Suigen Kyoh

发明人： Ryoichi Inanami ,  Suigen Kyoh

IPC分类号： G03F1/70 ,  G03F7/20 ,  G06F17/50

CPC分类号： G03F7/70941 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70558

摘要： In one embodiment, a flare correction method is disclosed. The method can acquire a flare point spread function. The method can calculate a pattern density distribution in a first region of the mask, the distance from the pattern being equal to or shorter than a predetermined value in the first region. The method can calculate pattern coverage in a second region of the mask, the distance from the pattern being longer than the predetermined value. The method can calculate a first flare distribution with respect to the pattern by performing convolution integration between the flare point spread function corresponding to the first region and the pattern density distribution. The method can calculate a flare value corresponding to the second region by multiplying a value of integral of the flare point spread function corresponding to the second region by the pattern coverage. The method can calculate a second flare distribution by adding the flare value to the first flare distribution. In addition, the method can correct the pattern based on the second flare distribution.

摘要翻译： 在一个实施例中，公开了一种闪光校正方法。 该方法可以获得耀斑点扩散函数。 该方法可以计算掩模的第一区域中的图案密度分布，在图案的距离等于或小于第一区域中的预定值。 该方法可以计算掩模的第二区域中的图案覆盖，距离图案的距离长于预定值。 该方法可以通过执行与第一区域相对应的闪点扩展函数与图案密度分布之间的卷积积分来计算相对于图案的第一耀斑分布。 该方法可以通过将对应于第二区域的闪点扩散函数的积分值乘以图案覆盖来计算与第二区域相对应的耀斑值。 该方法可以通过向第一个耀斑分布添加耀斑值来计算第二个耀斑分布。 此外，该方法可以基于第二个耀斑分布来校正模式。

公开(公告)号：US20110097827A1

公开(公告)日：2011-04-28

申请号：US12882944

申请日：2010-09-15

申请人： Masayuki HATANO ,  Suigen Kyoh ,  Tetsuro Nakasugi

发明人： Masayuki HATANO ,  Suigen Kyoh ,  Tetsuro Nakasugi

IPC分类号： H01L21/66 ,  B29C59/02

CPC分类号： G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F9/00

摘要： In one embodiment, a pattern formation method is disclosed. The method can place a liquid resin material on a workpiece substrate. The method can press a template against the resin material and measuring distance between a lower surface of a projection of the template and an upper surface of the workpiece substrate. The template includes a pattern formation region and a circumferential region around the pattern formation region. A pattern for circuit pattern formation is formed in the pattern formation region and the projection is formed in the circumferential region. The method can form a resin pattern by curing the resin material in a state of pressing the template. In addition, the method can separate the template from the resin pattern.

摘要翻译： 在一个实施例中，公开了图案形成方法。 该方法可以将液态树脂材料放置在工件基板上。 该方法可以将模板压靠树脂材料并测量模板的突起的下表面与工件基板的上表面之间的距离。 模板包括图案形成区域和围绕图案形成区域的周边区域。 在图案形成区域中形成用于电路图案形成的图案，并且在周向区域中形成突起。 该方法可以通过在压制模板的状态下固化树脂材料来形成树脂图案。 此外，该方法可以将模板与树脂图案分离。

公开(公告)号：US07523437B2

公开(公告)日：2009-04-21

申请号：US11012492

申请日：2004-12-16

申请人： Suigen Kyoh ,  Toshiya Kotani ,  Soichi Inoue

发明人： Suigen Kyoh ,  Toshiya Kotani ,  Soichi Inoue

IPC分类号： G06F16/50

CPC分类号： G03F1/36 ,  G03F7/70441

摘要： Disclosed is a method of producing a pattern for a semiconductor device, comprising extracting part of a pattern layout, perturbing a pattern included in the part of the pattern layout to generate a perturbation pattern, correcting the perturbation pattern, predicting a first pattern, to be formed on a wafer, from the corrected perturbation pattern, acquiring a first difference between the perturbation pattern and the first pattern, and storing information concerning the perturbation pattern including information concerning the first difference.

摘要翻译： 公开了一种制造用于半导体器件的图案的方法，包括提取图案布局的一部分，扰乱包含在图案布局部分中的图案以产生扰动图案，校正扰动图案，预测第一图案，为 形成在晶片上，从校正的扰动图案获取扰动图案和第一图案之间的第一个差异，以及存储关于包含关于第一个差异的信息的扰动图案的信息。

公开(公告)号：US07266801B2

公开(公告)日：2007-09-04

申请号：US11012613

申请日：2004-12-16

申请人： Toshiya Kotani ,  Suigen Kyoh ,  Hirotaka Ichikawa

发明人： Toshiya Kotani ,  Suigen Kyoh ,  Hirotaka Ichikawa

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5081

摘要： There is disclosed a method of correcting a design pattern considering a process margin between layers of a semiconductor integrated circuit, including calculating a first pattern shape corresponding to a processed pattern shape of a first layer based on a first design pattern, calculating a second pattern shape corresponding to a processed pattern shape of a second layer based on a second design pattern, calculating a third pattern shape using a Boolean operation between the first and second pattern shapes, determining whether or not an evaluation value obtained from the third pattern shape satisfies a predetermined value, and correcting at least one of the first and second design patterns if it is determined that the evaluation value does not satisfy the predetermined value.

摘要翻译： 公开了一种考虑半导体集成电路的层之间的处理余量来校正设计图案的方法，包括基于第一设计图案计算与第一层的处理图案形状相对应的第一图案形状，计算第二图案形状 对应于基于第二设计图案的第二层的处理图案形状，使用第一和第二图案形状之间的布尔运算来计算第三图案形状，确定从第三图案形状获得的评估值是否满足预定的 值，并且如果确定所述评估值不满足所述预定值，则校正所述第一和第二设计图案中的至少一个。

公开(公告)号：US06340542B1

公开(公告)日：2002-01-22

申请号：US09455320

申请日：1999-12-06

申请人： Soichi Inoue ,  Suigen Kyoh ,  Iwao Higashikawa ,  Ichiro Mori

发明人： Soichi Inoue ,  Suigen Kyoh ,  Iwao Higashikawa ,  Ichiro Mori

IPC分类号： G03F900

CPC分类号： G03F7/70433 ,  G03F1/36

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device, light is applied through the cell patterns made in master masks, thereby transferring the cell patterns to, and forming the cell patterns on, a wafer. On the basis of layout data representing a layout diagram of the semiconductor device, the pattern data of the device is divided along the boundaries of the function blocks of the device, generating pattern data items. Master masks are prepared in accordance with the pattern data items. Light is applied to the wafer, first through the master mask and then through the master mask. The cell patterns made in the master masks are transferred to the wafer.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法，通过在主掩模中制成的电池图案来施加光，从而将晶片图案转移到晶片上并形成晶胞图案。 基于表示半导体器件的布局图的布局数据，沿着器件的功能块的边界划分器件的图案数据，生成图案数据项。 根据模式数据项准备主掩模。 将光施加到晶片上，首先通过主掩模，然后通过主掩模。 在主掩模中制成的电池图案被转移到晶片。

公开(公告)号：US06319637B1

公开(公告)日：2001-11-20

申请号：US09492788

申请日：2000-01-28

申请人： Iwao Higashikawa ,  Suigen Kyoh

发明人： Iwao Higashikawa ,  Suigen Kyoh

IPC分类号： G03F900

CPC分类号： G03F1/72 ,  G03F7/0035

摘要： A main pattern region is projected to a substrate to be exposed while a defective portion including a defect generated in the main pattern region of an original mask is masked. Thereafter, a spare pattern corresponding to the defective portion is further projected on the substrate. In this manner, it is possible to prevent the defect of the main pattern region of the original mask from being transferred to the substrate. The pattern accuracy of the repair portion is the same as that of the exposed portion from the original mask. Therefore, the repair can be made with a high accuracy. Furthermore, it is possible to repair the defect produced at a pattern edge portion with a high accuracy without limitations given by a conventional repair technique.

摘要翻译： 主图案区域被投影到待曝光的基板，同时包含在原始掩模的主图案区域中产生的缺陷的缺陷部分被掩蔽。 此后，将与缺陷部对应的备用图案进一步突出在基板上。 以这种方式，可以防止原始掩模的主图案区域的缺陷转移到基板。 修复部分的图案精度与来自原始掩模的曝光部分的图案精度相同。 因此，可以高精度地进行修理。 此外，可以在没有由常规修复技术给出的限制的情况下以高精度修复在图案边缘部分处产生的缺陷。

公开(公告)号：US08728711B2

公开(公告)日：2014-05-20

申请号：US12971468

申请日：2010-12-17

申请人： Yumi Nakajima ,  Suigen Kyoh ,  Ryoichi Inanami

发明人： Yumi Nakajima ,  Suigen Kyoh ,  Ryoichi Inanami

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/50 ,  G03F1/82 ,  G03F7/70925

摘要： In one embodiment, a method for cleaning a reticle stage of an extreme ultraviolet exposure apparatus is disclosed. The method can include pressing a particle catching layer of a cleaning reticle onto the reticle stage, and the cleaning reticle includes the particle catching layer formed on a substrate. The method can include peeling the cleaning reticle from the reticle stage. The method can include removing the particle catching layer from the substrate. I addition, the method can include forming a new particle catching layer on the substrate having the particle catching layer removed.

摘要翻译： 在一个实施例中，公开了一种用于清洁极紫外曝光设备的掩模版台的方法。 该方法可以包括将清洁掩模版的颗粒捕获层压在分划板台上，并且清洁掩模版包括形成在基板上的颗粒捕获层。 该方法可以包括从掩模版阶段剥离清洁掩模版。 该方法可以包括从基底去除颗粒捕获层。 另外，该方法可以包括在除去了颗粒捕获层的基板上形成新的颗粒捕获层。