公开(公告)号：US07642808B2

公开(公告)日：2010-01-05

申请号：US12005905

申请日：2007-12-28

申请人： Chun-Seok Jeong ,  Kang-Seol Lee

发明人： Chun-Seok Jeong ,  Kang-Seol Lee

IPC分类号： H03K19/003

CPC分类号： H04L25/028

摘要： An impedance adjusting circuit includes: a first calibration resistor circuit configured to be calibrated with an external resistor and generate a first calibration code; a second calibration resistor circuit configured to be calibrated with the first calibration resistor circuit and generate a second calibration code, the second calibration resistor circuit being connected to a first node; and a transmission line circuit configured to be responsive to a control signal to connect the first node to a pin of a system employing the impedance adjusting circuit.

摘要翻译： 阻抗调节电路包括：第一校准电阻器电路，被配置为用外部电阻校准并产生第一校准码; 第二校准电阻器电路，被配置为用第一校准电阻器电路校准并产生第二校准代码，第二校准电阻器电路连接到第一节点; 以及传输线电路，其被配置为响应于控制信号，以将所述第一节点连接到采用所述阻抗调节电路的系统的引脚。

公开(公告)号：US20090059643A1

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：US12204190

申请日：2008-09-04

申请人： Eun-Souk Lee ,  Kang-Seol Lee

发明人： Eun-Souk Lee ,  Kang-Seol Lee

IPC分类号： G11C5/06 ,  G11C8/08

CPC分类号： G11C5/063 ,  G11C7/1012 ,  G11C7/1048 ,  G11C11/4093 ,  G11C11/4097 ,  G11C2207/002

摘要： A semiconductor memory device has a simple layout pattern of a sub hole region. The semiconductor memory device includes a segment input/output line, a first local input/output line and a second local input/output line corresponding to the segment input/output line, an input/output switch configured to selectively connect the segment input/output line and the first local input/output line in response to a first switch control signal, and a dummy input/output switch which is connected to a second local input/output line but is not connected to the segment input/output line.

摘要翻译： 半导体存储器件具有子孔区域的简单布局图案。 半导体存储器件包括分段输入/输出线，对应于分段输入/输出线的第一局部输入/输出线和第二本地输入/输出线，配置成选择性地连接分段输入/输出 以及响应于第一开关控制信号的第一本地输入/输出线，以及连接到第二本地输入/输出线但未连接到段输入/输出线的虚拟输入/输出开关。

公开(公告)号：US07450439B2

公开(公告)日：2008-11-11

申请号：US11321115

申请日：2005-12-28

申请人： Kang-Seol Lee ,  Young-Jun Ku

发明人： Kang-Seol Lee ,  Young-Jun Ku

IPC分类号： G11C5/14

CPC分类号： G11C5/147 ,  G05F1/465

摘要： An internal voltage generator according to the present invention stably supplies an internal voltage regardless a level of power voltage input from a source external to a semiconductor memory device. The present invention includes a dead zone controller to generate a reference voltage, a high reference voltage and a low reference voltage based on an inputted power voltage; and an internal power generator to generate an internal power based on the reference voltage by comparing the internal power with the high reference voltage and the low reference voltage.

摘要翻译： 根据本发明的内部电压发生器，与从半导体存储器件外部的源极输入的电源电压的电平无关地稳定地提供内部电压。 本发明包括基于输入的电源电压产生参考电压，高参考电压和低参考电压的死区控制器; 以及内部功率发生器，通过将内部功率与高参考电压和低参考电压进行比较，基于参考电压产生内部功率。

公开(公告)号：US20080091378A1

公开(公告)日：2008-04-17

申请号：US11819423

申请日：2007-06-27

申请人： Chun-Seok Jeong ,  Kang-Seol Lee

发明人： Chun-Seok Jeong ,  Kang-Seol Lee

IPC分类号： G01K7/01

CPC分类号： G01K7/01

摘要： A circuit for outputting temperature data of a semiconductor memory apparatus includes a temperature detecting circuit that generates a temperature voltage corresponding to a change in temperature and outputs the temperature voltage, an A/D converter that converts the temperature voltage into a first temperature code and outputs it, and a temperature data correcting unit that outputs a second temperature code obtained by correcting an error of the first temperature code using a correction code.

摘要翻译： 用于输出半导体存储装置的温度数据的电路包括温度检测电路，其产生与温度变化相对应的温度电压并输出温度电压; A / D转换器，其将温度电压转换为第一温度代码，并输出 以及温度数据校正单元，其输出通过使用校正代码校正第一温度代码的误差而获得的第二温度代码。

公开(公告)号：US20080080280A1

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：US11824014

申请日：2007-06-29

申请人： Chun-Seok Jeong ,  Kang-Seol Lee

发明人： Chun-Seok Jeong ,  Kang-Seol Lee

IPC分类号： G11C7/10

CPC分类号： G11C11/4097 ,  G11C7/1048 ,  G11C7/18 ,  G11C11/4096 ,  G11C2207/002

摘要： A semiconductor memory device includes a bank, a data transfer line, a precharge control circuit, and a precharge line. The bank includes a multiplicity of cell mats arranged in a matrix form. Each of the cell mats has a plurality of unit cells. The data transfer line arranged between the cell mats transfers a data signal outputted from a selected cell mat among the cell mats. The precharge control circuit disposed on the edge of the bank controls the precharge of the data transfer line. The precharge line arranged between first and second cell mats transfers a precharge voltage to the precharge control circuit. The first and the second cell mats are disposed in the center of the bank.

摘要翻译： 半导体存储器件包括一个存储体，一个数据传输线，一个预充电控制电路和一个预充电线。 银行包括以矩阵形式布置的多个细胞垫。 每个细胞垫具有多个单元电池。 布置在单元格块之间的数据传送线传送从单元格单元格中从所选择的单元格矩阵输出的数据信号。 布置在组件的边缘上的预充电控制电路控制数据传输线的预充电。 布置在第一和第二电池垫之间的预充电线将预充电电压传送到预充电控制电路。 第一和第二细胞垫设置在银行的中心。

公开(公告)号：US20080068070A1

公开(公告)日：2008-03-20

申请号：US11984009

申请日：2007-11-13

申请人： Kang-Seol Lee ,  Jae-Hyuk Im

发明人： Kang-Seol Lee ,  Jae-Hyuk Im

IPC分类号： G05F1/44

CPC分类号： G11C5/14 ,  H02M3/07

摘要： An internal voltage generator for stably generating an internal voltage includes a latch unit for outputting a first and a second driving signals based on a periodic signal; a first pump block for generating the internal voltage in response to the first driving signal; and a second pump block for generating the internal voltage in response to the second driving signal.

摘要翻译： 用于稳定地产生内部电压的内部电压发生器包括用于基于周期信号输出第一和第二驱动信号的锁存单元; 用于响应于第一驱动信号产生内部电压的第一泵块; 以及用于响应于第二驱动信号产生内部电压的第二泵组。

公开(公告)号：US07310014B2

公开(公告)日：2007-12-18

申请号：US11302376

申请日：2005-12-14

申请人： Kang-Seol Lee ,  Jae-Hyuk Im

发明人： Kang-Seol Lee ,  Jae-Hyuk Im

IPC分类号： G05F1/10

CPC分类号： G11C5/14 ,  H02M3/07

摘要： An internal voltage generator for stably generating an internal voltage includes a latch unit for outputting a first and a second driving signals based on a periodic signal; a first pump block for generating the internal voltage in response to the first driving signal; and a second pump block for generating the internal voltage in response to the second driving signal.

摘要翻译： 用于稳定地产生内部电压的内部电压发生器包括用于基于周期信号输出第一和第二驱动信号的锁存单元; 用于响应于第一驱动信号产生内部电压的第一泵块; 以及用于响应于第二驱动信号产生内部电压的第二泵组。

公开(公告)号：US20110068821A1

公开(公告)日：2011-03-24

申请号：US12958634

申请日：2010-12-02

申请人： Tae-Sik YUN ,  Kang-Seol Lee

发明人： Tae-Sik YUN ,  Kang-Seol Lee

IPC分类号： H03K19/00

CPC分类号： G01R31/318511 ,  G11C29/06 ,  G11C29/1201 ,  G11C29/48

摘要： A semiconductor device includes a plurality of pads configured to receive a plurality of external signals, an internal circuit configured to perform a predetermined internal operation in response to one of the external signals that is inputted through one of the plurality of pads, and a signal transferring unit configured to receive the external signal, output the external signal to an internal circuit an output signal during a normal mode, and output a fixed signal regardless of changes in the external signal to the internal circuit in a test mode.

摘要翻译： 半导体器件包括多个被配置为接收多个外部信号的焊盘，内部电路被配置为响应于通过多个焊盘之一输入的外部信号之一执行预定的内部操作，以及信号传输 被配置为接收外部信号的单元，在正常模式期间将外部信号输出到内部电路的输出信号，并且在测试模式中输出固定信号，而不管外部信号对内部电路的变化。

公开(公告)号：US20100109701A1

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：US12343645

申请日：2008-12-24

申请人： Tae-Sik YUN ,  Kang-Seol Lee

发明人： Tae-Sik YUN ,  Kang-Seol Lee

IPC分类号： G01R31/317 ,  H03K19/00

CPC分类号： G01R31/318511 ,  G11C29/06 ,  G11C29/1201 ,  G11C29/48

摘要： A semiconductor device includes a plurality of pads configured to receive a plurality of external signals, an internal circuit configured to perform a predetermined internal operation in response to one of the external signals that is inputted through one of the plurality of pads, and a signal transferring unit configured to receive the external signal, output the external signal to an internal circuit an output signal during a normal mode, and output a fixed signal regardless of changes in the external signal to the internal circuit in a test mode.

摘要翻译： 半导体器件包括多个被配置为接收多个外部信号的焊盘，内部电路被配置为响应于通过多个焊盘之一输入的外部信号之一执行预定的内部操作，以及信号传输 被配置为接收外部信号的单元，在正常模式期间将外部信号输出到内部电路的输出信号，并且在测试模式中输出固定信号，而不管外部信号对内部电路的变化。

公开(公告)号：US07576596B2

公开(公告)日：2009-08-18

申请号：US11714194

申请日：2007-03-06

申请人： Kang-Seol Lee ,  Ji-Eun Jang

发明人： Kang-Seol Lee ,  Ji-Eun Jang

IPC分类号： G05F1/10

CPC分类号： G05F1/465

摘要： Embodiments of the present invention are directed to provide an internal voltage generator of a semiconductor memory device for generating a predetermined stable level of an internal voltage. The semiconductor memory device includes a control signal generator, an internal voltage generator and an internal voltage compensator. The control signal generator generates a reference signal and a compensating signal which are corresponding to voltage level of the reference signal. The internal voltage generator generates an internal voltage in response to the reference signal. The internal voltage compensator compensates the internal voltage in response to the compensating signal.

摘要翻译： 本发明的实施例旨在提供一种用于产生内部电压的预定稳定电平的半导体存储器件的内部电压发生器。 半导体存储器件包括控制信号发生器，内部电压发生器和内部电压补偿器。 控制信号发生器产生对应于参考信号的电压电平的参考信号和补偿信号。 内部电压发生器响应于参考信号产生内部电压。 内部电压补偿器根据补偿信号补偿内部电压。