公开(公告)号：US20130154034A1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：US13332093

申请日：2011-12-20

申请人： Dmytro Apalkov ,  Alexey Vasilyevitch Khvalkovskiy ,  Vladimir Nikitin ,  Mohamad Towfik Krounbi ,  Xueti Tang ,  Se Chung Oh ,  Woo Chang Lim ,  Jang Eun Lee ,  Ki Woong Kim ,  Kyoung Sun Kim

发明人： Dmytro Apalkov ,  Alexey Vasilyevitch Khvalkovskiy ,  Vladimir Nikitin ,  Mohamad Towfik Krounbi ,  Xueti Tang ,  Se Chung Oh ,  Woo Chang Lim ,  Jang Eun Lee ,  Ki Woong Kim ,  Kyoung Sun Kim

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/228 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： A method and system for setting the direction of pinned layers in a magnetic junction are described. In one aspect, a magnetic field greater than the coercivity of the layers in a pinned layer but less than the coupling field between the layers is applied. In another aspect the pinned layers are switched from an anti-dual state to a dual state using a spin transfer torque current. In another aspect, a magnetic junction having a partial perpendicular anisotropy (PPMA) layer in the pinned layer is provided. In some aspects, the PPMA layer is part of a synthetic antiferromagnetic structure. In some embodiments, a decoupling layer is provided between the PPMA layer and another ferromagnetic layer in the pinned layer.

摘要翻译： 描述了用于设置磁结中的钉扎层的方向的方法和系统。 一方面，施加大于被钉扎层中的层的矫顽力但小于层之间的耦合场的磁场。 在另一方面，使用自旋转移转矩电流将钉扎层从反双重状态切换到双重状态。 在另一方面，提供了在钉扎层中具有部分垂直各向异性（PPMA）层的磁性结。 在一些方面，PPMA层是合成反铁磁结构的一部分。 在一些实施方案中，在固着层中的PPMA层和另一铁磁层之间提供去耦层。

公开(公告)号：US20120236631A1

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：US13398617

申请日：2012-02-16

申请人： Jeong Heon Park ,  Woo Chang Lim ,  Se Chung Oh ,  Woo Jin Kim ,  Sang Hwan Park ,  Jang Eun Lee

发明人： Jeong Heon Park ,  Woo Chang Lim ,  Se Chung Oh ,  Woo Jin Kim ,  Sang Hwan Park ,  Jang Eun Lee

IPC分类号： G11C11/14 ,  H01L29/82

CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01L27/222 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  Y10S977/933 ,  Y10S977/935

摘要： Provided is a magnetic tunneling junction device including a fixed magnetic structure; a free magnetic structure; and a tunnel barrier between the fixed magnetic structure and the free magnetic structure, at least one of the fixed magnetic structure and the free magnetic structure including a perpendicular magnetization preserving layer, a magnetic layer between the perpendicular magnetization preserving layer and the tunnel barrier, and a perpendicular magnetization inducing layer between the perpendicular magnetization preserving layer and the magnetic layer.

摘要翻译： 提供一种包括固定磁性结构的磁性隧道接合装置; 自由磁结构; 以及在所述固定磁性结构和所述自由磁性结构之间的隧道势垒，所述固定磁性结构和所述自由磁性结构中的至少一个包括垂直磁化保持层，所述垂直磁化保留层与所述隧道势垒之间的磁性层，以及 在垂直磁化保持层和磁性层之间的垂直磁化诱导层。

公开(公告)号：US08987798B2

公开(公告)日：2015-03-24

申请号：US14306792

申请日：2014-06-17

申请人： Jeong Heon Park ,  Woo Chang Lim ,  Se Chung Oh ,  Young Hyun Kim ,  Sang Hwan Park ,  Jang Eun Lee

发明人： Jeong Heon Park ,  Woo Chang Lim ,  Se Chung Oh ,  Young Hyun Kim ,  Sang Hwan Park ,  Jang Eun Lee

IPC分类号： H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  G06F13/16

CPC分类号： H01L43/08 ,  G06F13/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10

摘要： Provided is a magnetic tunneling junction device including a first structure including a magnetic layer; a second structure including at least two extrinsic perpendicular magnetization structures, each including a magnetic layer and; a perpendicular magnetization inducing layer on the magnetic layer; and a tunnel barrier between the first and second structures.

摘要翻译： 本发明提供一种包括具有磁性层的第一结构的磁性隧道接合装置; 包括至少两个外在垂直磁化结构的第二结构，每个包括磁性层; 磁性层上的垂直磁化诱导层; 以及第一和第二结构之间的隧道屏障。

公开(公告)号：US20130042081A1

公开(公告)日：2013-02-14

申请号：US13398640

申请日：2012-02-16

申请人： Jeong Heon Park ,  Woo Chang Lim ,  Se Chung Oh ,  Young Hyun Kim ,  Sang Hwan Park ,  Jang Eun Lee

发明人： Jeong Heon Park ,  Woo Chang Lim ,  Se Chung Oh ,  Young Hyun Kim ,  Sang Hwan Park ,  Jang Eun Lee

IPC分类号： G06F12/00 ,  H01L43/06

CPC分类号： H01L43/08 ,  G06F13/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10

摘要： Provided is a magnetic tunneling junction device including a first structure including a magnetic layer; a second structure including at least two extrinsic perpendicular magnetization structures, each including a magnetic layer and; a perpendicular magnetization inducing layer on the magnetic layer; and a tunnel barrier between the first and second structures.

公开(公告)号：US09356228B2

公开(公告)日：2016-05-31

申请号：US14618534

申请日：2015-02-10

申请人： Jeong Heon Park ,  Woo Chang Lim ,  Se Chung Oh ,  Young Hyun Kim ,  Sang Hwan Park ,  Jang Eun Lee

发明人： Jeong Heon Park ,  Woo Chang Lim ,  Se Chung Oh ,  Young Hyun Kim ,  Sang Hwan Park ,  Jang Eun Lee

IPC分类号： H01L21/14 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  G06F13/16 ,  H01L43/02

CPC分类号： H01L43/08 ,  G06F13/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10

摘要： Provided is a magnetic tunneling junction device including a first structure including a magnetic layer; a second structure including at least two extrinsic perpendicular magnetization structures, each including a magnetic layer and; a perpendicular magnetization inducing layer on the magnetic layer; and a tunnel barrier between the first and second structures.

公开(公告)号：US09276198B2

公开(公告)日：2016-03-01

申请号：US13967340

申请日：2013-08-14

申请人： Woo Chang Lim ,  Sangyong Kim ,  Whankyun Kim ,  Sang Hwan Park ,  Jeongheon Park

发明人： Woo Chang Lim ,  Sangyong Kim ,  Whankyun Kim ,  Sang Hwan Park ,  Jeongheon Park

IPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/16

CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659

摘要： A magnetic memory device according to embodiments includes a first reference magnetic layer on a substrate, a second reference magnetic layer on the first reference magnetic layer, a free layer between the first reference magnetic layer and the second reference magnetic layer, a first tunnel barrier layer between the first reference magnetic layer and the free layer, and a second tunnel barrier layer between the second reference magnetic layer and the free layer. The first reference magnetic, second reference magnetic and free layers each have a magnetization direction substantially perpendicular to a top surface of the substrate. A resistance-area product (RA) value of the first tunnel barrier layer is greater than that of the second tunnel barrier layer.

摘要翻译： 根据实施例的磁存储器件包括衬底上的第一参考磁性层，第一参考磁性层上的第二参考磁性层，第一参考磁性层和第二参考磁性层之间的自由层，第一隧道势垒层 在第一参考磁性层和自由层之间，以及在第二参考磁性层和自由层之间的第二隧道势垒层。 第一参考磁性，第二参考磁性和自由层各自具有基本上垂直于衬底顶表面的磁化方向。 第一隧道势垒层的电阻面积乘积（RA）值大于第二隧道势垒层的电阻面积积（RA）值。