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    NON-VOLATILE FLIP-FLOP
    21.
    发明申请
    NON-VOLATILE FLIP-FLOP 有权
    非挥发性飞溅

    公开(公告)号：US20130194862A1

    公开(公告)日：2013-08-01

    申请号：US13361760

    申请日：2012-01-30

    申请人： Seong-Ook Jung ,  Kyungho Ryu ,  Youngdon Jung ,  Jisu Kim ,  Jung Pill Kim ,  Seung H. Kang

    发明人： Seong-Ook Jung ,  Kyungho Ryu ,  Youngdon Jung ,  Jisu Kim ,  Jung Pill Kim ,  Seung H. Kang

    IPC分类号： G11C11/16

    CPC分类号： G11C14/00 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C14/0081

    摘要： A flip-flop has an output control node and an isolation switch selectively couples a retention sense node to the output control node. A sense circuit selectively couples an external sense current source to the retention sense node and to magnetic tunneling junction (MTJ) elements. Optionally a write circuit selectively injects a write current through one MTJ element and then another MTJ element. Optionally, a write circuit injects a write current through a first MTJ element concurrently with injecting a write current through a second MTJ element.

    摘要翻译： 触发器具有输出控制节点，并且隔离开关选择性地将保持感测节点耦合到输出控制节点。 感测电路将外部感测电流源选择性地耦合到保持感测节点和磁性隧道结（MTJ）元件。 可选地，写入电路通过一个MTJ元件和另一个MTJ元件选择性地注入写入电流。 可选地，写入电路通过第一MTJ元件同时注入写入电流，并通过第二MTJ元件注入写入电流。

    Resistance-based memory with reduced voltage input/output device
    22.
    发明授权
    Resistance-based memory with reduced voltage input/output device 有权
    具有降低电压输入/输出装置的电阻式存储器

    公开(公告)号：US08335101B2

    公开(公告)日：2012-12-18

    申请号：US12691252

    申请日：2010-01-21

    申请人： Seong-Ook Jung ,  Jisu Kim ,  Seung H. Kang

    发明人： Seong-Ook Jung ,  Jisu Kim ,  Seung H. Kang

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/1673

    摘要： A resistance-based memory with a reduced voltage I/O device is disclosed. In a particular embodiment, a circuit includes a data path including a first resistive memory cell and a first load transistor. A reference path includes a second resistive memory cell and a second load transistor. The first load transistor and the second load transistor are input and output (I/O) transistors adapted to operate at a load supply voltage similar to a core supply voltage of a core transistor within the circuit.

    摘要翻译： 公开了一种具有降压I / O装置的基于电阻的存储器。 在特定实施例中，电路包括包括第一电阻存储器单元和第一负载晶体管的数据路径。 参考路径包括第二电阻存储器单元和第二负载晶体管。 第一负载晶体管和第二负载晶体管是适于在类似于电路内的核心晶体管的核心电源电压的负载电源电压下工作的输入和输出（I / O）晶体管。

    Self-Body Biasing Sensing Circuit for Resistance-Based Memories
    23.
    发明申请
    Self-Body Biasing Sensing Circuit for Resistance-Based Memories 有权
    基于电阻记忆的自身偏移感应电路

    公开(公告)号：US20120275212A1

    公开(公告)日：2012-11-01

    申请号：US13346029

    申请日：2012-01-09

    申请人： Seong-Ook Jung ,  Jisu Kim ,  Youngdon Jung ,  Jung Pill Kim ,  Seung H. Kang

    发明人： Seong-Ook Jung ,  Jisu Kim ,  Youngdon Jung ,  Jung Pill Kim ,  Seung H. Kang

    IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C7/00

    CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C7/06 ,  G11C7/14 ,  G11C11/16 ,  G11C13/004 ,  G11C16/26 ,  G11C16/28

    摘要： A resistance based memory sensing circuit has reference current transistors feeding a reference node and a read current transistor feeding a sense node, each transistor has a substrate body at a regular substrate voltage during a stand-by mode and biased during a sensing mode at a body bias voltage lower than the regular substrate voltage. In one option the body bias voltage is determined by a reference voltage on the reference node. The substrate body at the regular substrate voltage causes the transistors to have a regular threshold voltage, and the substrate body at the body bias voltage causes the transistors to have a sense mode threshold voltage, lower than the regular threshold voltage.

    摘要翻译： 基于电阻的存储器感测电路具有馈送参考节点的参考电流晶体管和馈送感测节点的读取电流晶体管，每个晶体管在待机模式期间具有处于规则衬底电压的衬底主体，并且在身体的感测模式期间被偏置 偏置电压低于正常基板电压。 在一个选项中，体偏置电压由参考节点上的参考电压确定。 处于规则衬底电压的衬底体使晶体管具有规则的阈值电压，并且在体偏置电压下的衬底体使晶体管具有低于常规阈值电压的感测模式阈值电压。

    Latching Circuit
    24.
    发明申请
    Latching Circuit 有权
    闭锁电路

    公开(公告)号：US20120026783A1

    公开(公告)日：2012-02-02

    申请号：US12847371

    申请日：2010-07-30

    申请人： Seong-Ook Jung ,  Kyungho Ryu ,  Jisu Kim ,  Jung Pill Kim ,  Seung H. Kang

    发明人： Seong-Ook Jung ,  Kyungho Ryu ,  Jisu Kim ,  Jung Pill Kim ,  Seung H. Kang

    IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C7/10

    CPC分类号： G11C11/1675 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C13/0002 ,  G11C14/009

    摘要： A non-volatile latch circuit includes a pair of cross-coupled inverters, a pair of resistance-based memory elements, and write circuitry configured to write data to the pair of resistance-based memory elements. The pair of resistance-based memory elements is isolated from the pair of cross-coupled inverters during a latching operation. A sensing circuit includes a first current path that includes a first resistance-based memory element and an output of the sensing circuit. The sensing circuit includes a second current path to reduce current flow through the first resistance-based memory element at a first operating point of the sensing circuit. The sensing circuit may also include an n-type metal-oxide-semiconductor (NMOS) transistor to provide a step down supply voltage to the first current path.

    摘要翻译： 非易失性锁存电路包括一对交叉耦合的反相器，一对基于电阻的存储器元件和被配置为将数据写入到该对基于电阻的存储器元件的写入电路。 在锁定操作期间，一对基于电阻的存储器元件与一对交叉耦合的反相器隔离。 感测电路包括第一电流路径，其包括第一基于电阻的存储元件和感测电路的输出。 感测电路包括第二电流路径，以减小在感测电路的第一工作点处通过第一基于电阻的存储元件的电流。 感测电路还可以包括n型金属氧化物半导体（NMOS）晶体管，以向第一电流路径提供降压电源电压。

    Invalid Write Prevention for STT-MRAM Array
    25.
    发明申请
    Invalid Write Prevention for STT-MRAM Array 有权
    STT-MRAM阵列无效写入预防

    公开(公告)号：US20110267874A1

    公开(公告)日：2011-11-03

    申请号：US12769995

    申请日：2010-04-29

    申请人： Kyungho Ryu ,  Jisu Kim ,  Seong-Ook Jung ,  Seung H. Kang

    发明人： Kyungho Ryu ,  Jisu Kim ,  Seong-Ook Jung ,  Seung H. Kang

    IPC分类号： G11C11/00 ,  H01F7/06 ,  G11C7/22 ,  G11C8/08

    CPC分类号： G11C11/1675 ,  G11C11/1659 ,  H01L43/12 ,  Y10T29/4902

    摘要： In a Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory (STT-MRAM) a bit cell array can have a source line substantially parallel to a word line. The source line can be substantially perpendicular to bit lines. A source line control unit includes a common source line driver and a source line selector configured to select individual ones of the source lines. The source line driver and source line selector can be coupled in multiplexed relation. A bit line control unit includes a common bit line driver and a bit line selector in multiplexed relation. The bit line control unit includes a positive channel metal oxide semiconductor (PMOS) element coupled between the common source line driver and bit line select lines and bit lines.

    摘要翻译： 在自旋转移力矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）中，位单元阵列可以具有基本上平行于字线的源极线。 源极线可以基本上垂直于位线。 源极线控制单元包括公共源极线驱动器和被配置为选择各个源极线的源极线选择器。 源极线驱动器和源极线选择器可以以多路复用关系耦合。 位线控制单元包括公共位线驱动器和复用关系的位线选择器。 位线控制单元包括耦合在公共源线驱动器和位线选择线和位线之间的正沟道金属氧化物半导体（PMOS）元件。

    Safety razor blade tool
    28.
    发明授权
    Safety razor blade tool 失效
    安全剃须刀刀具

    公开(公告)号：US5771589A

    公开(公告)日：1998-06-30

    申请号：US582388

    申请日：1996-01-03

    申请人： Jisu Kim

    发明人： Jisu Kim

    IPC分类号： B26B5/00 ,  B26B21/06 ,  B26B21/54 ,  B26B21/60

    CPC分类号： B29C65/46 ,  B26B21/06 ,  B26B21/54 ,  B26B5/006 ,  B29C47/0021 ,  B29C47/003 ,  B29C47/026 ,  B29C47/128 ,  B29C47/8895 ,  B29C65/58 ,  B29C66/47 ,  B29C2793/0027 ,  B29C2793/009 ,  B29C47/34 ,  B29C47/56 ,  B29C47/90 ,  B29C47/905 ,  B29C66/71 ,  B29K2019/00 ,  B29K2021/00 ,  B29K2021/003 ,  B29K2023/00 ,  B29K2023/06 ,  B29K2023/065 ,  B29K2023/12 ,  B29K2027/06 ,  B29K2101/12 ,  B29L2009/00 ,  B29L2031/7186 ,  Y10S76/08

    摘要： A safety razor blade tool includes a substantially rectangular safety razor blade having a cutting edge and an opposing non-cutting edge, and a rubberized thermoplastic protective cover fixedly attached to the non-cutting edge. The protective cover has an extruded substantially rigid inner layer of thermoplastic material and a coextruded thermoplastic rubber outer layer. Such an improved safety razor blade tool may be produced by providing a blade having a cutting edge and a non-cutting edge, feeding a substantially rigid thermoplastic in a viscous state to a coextrusion die, simultaneously feeding a thermoplastic rubber compatible with the substantially rigid thermoplastic in a viscous state to the same coextrusion die, coextruding the substantially rigid thermoplastic and the compatible thermoplastic rubber to form a one-piece coextruded protective cover having an inner layer of the substantially rigid thermoplastic and an outer layer of the compatible thermoplastic rubber, and fixedly attaching the coextruded one-piece protective cover to the non-cutting edge of the blade.

    摘要翻译： 安全刀片刀具包括具有切削刃和相对的非切削刃的基本为矩形的安全剃刀刀片，以及固定地连接到非切削刃的橡胶化热塑性保护盖。 保护罩具有挤出的基本刚性的热塑性材料内层和共挤出的热塑性橡胶外层。 可以通过提供具有切割边缘和非切割边缘的刀片来生产这种改进的安全剃刀刀片工具，将具有粘性状态的基本上刚性的热塑性塑料馈送到共挤出模具，同时供给与基本上刚性的热塑性塑料相容的热塑性橡胶 在相同的共挤出模具中处于粘性状态，共挤出基本上刚性的热塑性塑料和可相容的热塑性橡胶，以形成具有基本上刚性的热塑性塑料的内层和相容的热塑性橡胶的外层的单件共挤出保护罩， 将共挤出的一体式保护盖连接到刀片的非切割刃。

    REAGENT COMPOSITION FOR BIOSENSORS AND BIOSENSOR COMPRISING REAGENT LAYER FORMED OF THE SAME
    30.
    发明申请
    REAGENT COMPOSITION FOR BIOSENSORS AND BIOSENSOR COMPRISING REAGENT LAYER FORMED OF THE SAME 审中-公开
    用于生物传感器和包含其形成的试剂层的生物传感器的试剂组合物

    公开(公告)号：US20150027905A1

    公开(公告)日：2015-01-29

    申请号：US14383044

    申请日：2012-03-06

    申请人： Jisu Kim ,  Gueisam Lim

    发明人： Jisu Kim ,  Gueisam Lim

    IPC分类号： G01N27/327 ,  C12Q1/00

    CPC分类号： G01N27/3274 ,  C12Q1/004

    摘要： The present invention relates to a composition which reduces the measurement error caused by the effect of hematocrit in a biosensor and to a biosensor comprising the same. Specifically, the invention relates to a reagent composition comprising an enzyme, an electron transfer mediator, a water-soluble polymer, and bile acid, and to a biosensor comprising a reagent layer formed of the composition. The reagent layer reduces the measurement error caused by the effect of hematocrit in the biosensor.

    摘要翻译： 本发明涉及减少由生物传感器中的血细胞比容的影响引起的测量误差的组合物和包含该测量误差的生物传感器。 具体地，本发明涉及包含酶，电子转移介体，水溶性聚合物和胆汁酸的试剂组合物，以及包含由该组合物形成的试剂层的生物传感器。 试剂层减少了由生物传感器中血细胞比容的影响引起的测量误差。